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[发明专利]半导体单元、半导体装置、电池单元以及车辆-CN201980070740.3有效
发明人：三浦峰生;林口匡司;寺田润 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H02H3/087 文献下载
摘要：本发明的半导体单元包括半导体装置、控制部和电阻部。半导体装置具有设置在电池的正极与逆变电路之间的晶体管，逆变电路与电池电连接。控制部与晶体管的控制端子连接，控制晶体管。控制部以在流过晶体管的电流为阈值以上的情况下使晶体管截止的方式控制晶体管。电阻部的电阻值为100Ω以上。
半导体单元装置电池以及车辆

[发明专利]设有冲击电压保护电路的半导体装置-CN200310103604.0无效
发明人：山本文寿;村井保文;古谷启一 -专利权人：株式会社瑞萨科技;协荣产业株式会社
申请日： 2003-10-30 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明的设有冲击电压保护电路的半导体装置，是一种设有与信号输入端子34电连接且包括npn晶体管32和npn晶体管33的冲击电压保护电路51的半导体装置，在该半导体装置中，npn晶体管32的基极的最窄区域的宽度与npn晶体管33的基极的最窄区域的宽度不同，通过这种结构，使npn晶体管32比npn晶体管33更容易被击穿。
设有冲击电压保护电路半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法以及液晶显示装置-CN201811551037.8在审
发明人：美崎克纪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供能使TFT特性稳定化的薄膜晶体管基板和具备其的液晶显示装置以及薄膜晶体管基板的制造方法。一种具备底栅结构的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板，是薄膜晶体管的半导体层具有In‑Ga‑Zn‑O系的第1氧化物半导体层和In‑Ga‑Zn‑O系的第2氧化物半导体层的薄膜晶体管基板，在第1氧化物半导体层中，铟的组成比大于镓和锌的各组成比，第2氧化物半导体层以覆盖第1氧化物半导体层的方式设置，其中镓的组成比大于铟和锌的各组成比。
薄膜晶体管基板氧化物半导体层组成比液晶显示装置薄膜晶体管半导体层底栅结构方式设置稳定化制造覆盖

[发明专利]具有电流传感器的半导体器件-CN201510583954.4有效
发明人： M·胡茨勒;M·罗施 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供了具有电流传感器的半导体器件。一种半导体器件包括半导体本体。半导体本体包括负载晶体管部分和传感器晶体管部分。负载晶体管部分的第一源极区域和传感器晶体管的第二源极区域彼此电分离。在公共栅极沟槽中的公共栅极电极从第一表面延伸至半导体本体中，其中公共栅极沟槽的第一部分在负载晶体管部分中，并且公共栅极沟槽的第二部分在传感器晶体管部分中。在场电极沟槽中的场电极从第一表面延伸至半导体本体中。场电极沟槽的平行于第一表面的最大尺寸小于场电极沟槽的深度。
具有电流传感器半导体器件

[发明专利]用于选择电源的电路和方法-CN201310225304.3有效
发明人： R.斯比尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：提供了一种电路，其包括第一电源端子，连接到第一p型金属氧化物半导体晶体管；第二电源端子，连接到第二p型金属氧化物半导体晶体管；输出节点，连接在第一p型金属氧化物半导体晶体管和第二p型金属氧化物半导体晶体管之间；以及判断电路，连接到第一电源端子和第二电源端子，其中判断电路由输出节点供电并且其中第一p型金属氧化物半导体晶体管和第二p型金属氧化物半导体晶体管的栅极端子由判断电路互补地和能动地控制。
用于选择电源电路方法

[发明专利]垂直晶体管器件和技术-CN201680091057.4在审
发明人： R·皮拉里塞泰;A·A·夏尔马;V·H·勒;G·W·杜威;J·T·卡瓦列罗斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-12-24 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本文公开了垂直晶体管器件和技术。在一些实施例中，器件可以包括：半导体衬底；半导体衬底上的第一层中的第一晶体管；以及第二层中的第二晶体管，其中，第二晶体管包括第一源极/漏极(S/D)接触部和第二S/D接触部，第一层在第二层和半导体衬底之间在一些实施例中，器件可以包括：半导体衬底；半导体衬底上方的晶体管，其中，晶体管包括沟道以及在沟道和半导体衬底之间的源极/漏极(S/D)接触部。
衬底半导体晶体管第一层垂直晶体管源极/漏极沟道

[发明专利]低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法-CN202010729635.0在审
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供的阵列基板，包括衬底基板以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管组件，薄膜晶体管组件包括第一半导体层、第一源极、第一漏极、第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极；第一半导体层、第一源极、第一漏极和公共栅极形成第一薄膜晶体管，第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极形成第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管设于第一薄膜晶体管上方，且第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在竖直方向上具有重叠区域；其中，第一半导体层和第二半导体层中的一者为多晶硅半导体层，另一者为金属氧化物半导体层。
低温多晶氧化物阵列及其制作方法

[实用新型]低温多晶氧化物阵列基板-CN202021506961.7有效
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供的阵列基板，包括衬底基板以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管组件，薄膜晶体管组件包括第一半导体层、第一源极、第一漏极、第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极；第一半导体层、第一源极、第一漏极和公共栅极形成第一薄膜晶体管，第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极形成第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管设于第一薄膜晶体管上方，且第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管在竖直方向上具有重叠区域；第一半导体层和第二半导体层中的一者为多晶硅半导体层，另一者为金属氧化物半导体层。
低温多晶氧化物阵列

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子设备-CN202010728328.0在审
发明人：郭炳容;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法和电子设备，涉及半导体技术领域，以解决隔断区域和外围区域交界处产生底切的问题。所述半导体器件包括：基底，具有单元区域、外围区域以及位于单元区域和外围区域之间的隔断区域；分别形成在基底上的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管位于单元区域，第二晶体管位于外围区域；缓冲层，形成在第一晶体管上，缓冲层覆盖单元区域和隔断区域；第二晶体管的栅堆叠覆盖缓冲层在隔断区域的位置和外围区域；以及与第一晶体管的有源区电连接的位线，位线形成在缓冲层上。所述半导体器件的制造方法用于制造半导体器件。本发明提供的半导体器件用于电子设备。
一种半导体器件及其制造方法电子设备

[发明专利]单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件-CN201110147085.2无效
发明人：郑谦兴 -专利权人：硕颉科技股份有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件，包括芯片、金属氧化半导体场效应晶体管、萧特基二极管以及终端结构。芯片分为晶体管区、二极管区与终端区。金属氧化半导体场效应晶体管设置于晶体管区上。萧特基二极管设置于二极管区上。终端结构设置于终端区，其中终端区分隔晶体管区与二极管区，且金属氧化半导体场效应晶体管与萧特基二极管共享终端结构。
单片金属氧化半导体场效应晶体管萧特基二极管元件

[发明专利]半导体芯片-CN202110420235.6在审
发明人：杨柏峰;王圣祯;杨世海;林佑明;吴昭谊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：提供一种包括半导体衬底、内连线结构及存储器器件的半导体芯片。所述半导体衬底包括第一晶体管，且第一晶体管是负电容场效晶体管。所述内连线结构设置在半导体衬底之上且电连接到第一晶体管，且所述内连线结构包括堆叠的层间介电层、内连线配线及嵌置在堆叠的层间介电层中的第二晶体管。所述存储器器件嵌置在堆叠的层间介电层中且电连接到第二晶体管。
半导体芯片

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201310435716.X有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，所述半导体器件的制备方法先使用应力记忆技术对所述晶体管的沟道区施加一预应力，再对所述晶体管进行金属硅化工艺。本发明的半导体器件的制备方法，在进行对所述晶体管进行金属硅化工艺之间，先使用应力记忆技术对所述晶体管的沟道区施加一预应力，该预应力能够提高半导体器件中沟道区的应力，以提高所述晶体管的载流子迁移率，从而提高所述晶体管的器件性能
半导体器件制备方法

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN201980010232.6有效
发明人：洼内源宜 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置具备具有晶体管部和二极管部的半导体基板，晶体管部和二极管部这两者具有：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板的内部；以及第二导电型的基区，其在半导体基板的内部，设置在漂移区的上方，在半导体基板的内部，在基区的下方，从晶体管部的至少一部分起遍及二极管部而设置有包含寿命控制剂的寿命控制区，在晶体管部设置有在俯视半导体基板时与寿命控制区重叠，而调整晶体管部的阈值的阈值调整部。
半导体装置制造方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器-CN202210796709.1在审
发明人：周坤亿;陈宏岳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其主要包含一第一金属氧化物半导体(metal‑oxide semiconductor,MOS)晶体管以及一第二金属氧化物半导体晶体管设于一基底上；一磁性隧穿接面(magnetictunneling junction,MTJ)设于该第一金属氧化物半导体晶体管以及该第二金属氧化物半导体晶体管之间；一第一层间介电层设于该MTJ一侧并位于该第一金属氧化物半导体晶体管上；以及一第二层间介电层设于该MTJ另一侧并位于该第二金属氧化物半导体晶体管上。
磁阻随机存取存储器

[发明专利]磁阻式随机存取存储器-CN201811044167.2有效
发明人：周坤亿;陈宏岳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其主要包含一第一金属氧化物半导体(metal‑oxide semiconductor,MOS)晶体管以及一第二金属氧化物半导体晶体管设于一基底上；一磁性隧穿接面(magnetictunneling junction,MTJ)设于该第一金属氧化物半导体晶体管以及该第二金属氧化物半导体晶体管之间；一第一层间介电层设于该MTJ一侧并位于该第一金属氧化物半导体晶体管上；以及一第二层间介电层设于该MTJ另一侧并位于该第二金属氧化物半导体晶体管上。
磁阻随机存取存储器