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[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202111562477.5在审
发明人：许智凯;傅思逸;林毓翔;林建廷 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括基底、第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管。基底包括高压区、中压区以及低压区。第一晶体管设置在该高压区内并包括第一栅极介电层以及第一栅极电极。第二晶体管，设置在该低压区内并包括多个鳍状结构以及第二栅极电极。第三晶体管，设置在该中压区内并包括第三栅极介电层以及第三栅极电极，其中该第一栅极电极的最顶表面、该第二栅极电极的最顶表面以及该第三栅极电极的最顶表面相互齐平。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]包括功率晶体管和电压限制装置的晶体管布置-CN201610336434.8在审
发明人： M.巴特尔斯;M.莱姆克;R.鲁道夫;S.特根;R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明涉及包括功率晶体管和电压限制装置的晶体管布置。一种在半导体本体中的晶体管布置包括具有至少两个晶体管单元的功率晶体管，每个晶体管单元布置在半导体本体的半导体鳍中，以及具有带有至少两个器件单元的电压限制器件。每个器件单元布置成与相应晶体管单元的半导体鳍中的晶体管单元相邻，并且电压限制器件通过介电层与功率晶体管分开。
包括功率晶体管电压限制装置布置

[发明专利]半导体器件模型的建模方法及其建模系统-CN202211565432.8在审
发明人：秦苏梅 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件模型的建模方法及其建模系统。所述半导体器件模型的建模方法，包括以下步骤：在不同测量条件下分别对半导体器件中的每个晶体管进行电性测试，以得到各晶体管的电性参数。对各晶体管的电性参数的曲线进行拟合，以得到各晶体管的模型参数。对测量条件、各晶体管的电性参数和各晶体管的模型参数进行描述，以得到各晶体管的晶体管模型。基于各晶体管的晶体管模型组建半导体器件模型。上述半导体器件模型的建模方法大大增加了半导体器件模型的精确度，进而有利于集成电路设计者的电路设计、仿真。
半导体器件模型建模方法及其系统

[发明专利]在SOI上形成平面多栅极晶体管结构和其方法-CN200510001734.2有效
发明人：杨富量;杨育佳;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-01-14 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明为一种半导体元件，包括绝缘层、半导体层、第一晶体管与第二晶体管。半导体层位于绝缘层上。半导体层的第一部分具有第一厚度。半导体层的第二部分具有第二厚度。第二厚度大于第一厚度。第一晶体管具有由半导体层的第一部分形成的第一主动区。第二晶体管具有由半导体层的第二部分形成的第二主动区。举例来说，第一晶体管可以是平面型晶体管，而第二晶体管可以是多闸晶体管。
soi 形成平面栅极晶体管结构方法

[发明专利]高压集成电路和半导体电路-CN202211237161.3有效
发明人：冯宇翔;左安超 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供一种高压集成电路和半导体电路，所述高压集成电路包括第一晶体管、自举控制电路、升压电路以及驱动电路；所述第一晶体管连接至所述高压集成电路的电源电压端口；所述自举控制电路用于将所述升压电路输出的电压处理产生自举电压，再检测所述自举电压的大小并根据所述自举电压的大小控制所述第一晶体管的开通和断开；所述自举电压高于预设值时，所述自举控制电路控制所述第一晶体管的断开以隔离所述自举电压通过所述第一晶体管输出至所述高压集成电路的电源电压端口；所述升压电路用于将所述高压集成电路的电源电压端口输入的电源电压升压。与相关技术相比，本发明的高压集成电路和半导体电路的可靠性高。
高压集成电路半导体电路

[发明专利]输出级结构-CN200410092714.6有效
发明人：李朝政;林永豪;王文祺;蔡瑞原 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2004-11-11 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种输出级结构，其包含第一、第二p型金属氧化物半导体晶体管以及第一、第二n型金属氧化物半导体晶体管，其中，该些金属氧化物半导体晶体管是以双阱工艺制作。第一p型金属氧化物半导体晶体管的源极连接电压源，栅极连接第一电压；第二p型金属氧化物半导体晶体管的源极连接第一p型金属氧化物半导体晶体管的漏极，栅极连接第二电压，漏极连接输出垫；第一n型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接输出垫，栅极连接第三电压；第二n型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接第一n型金属氧化物半导体晶体管的源极，栅极连接第四电压，源极连接一接地点。
输出结构

[实用新型]一种高稳定性的半导体晶体管封装结构-CN201821876947.9有效
发明人：赵喜高 -专利权人：深圳市可易亚半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高稳定性的半导体晶体管封装结构，涉及半导体晶体管封装结构技术领域。实现了封装后的半导体晶体管不会晃动，使半导体晶体管的稳定性高的效果。该高稳定性的半导体晶体管封装结构，包括底座、盖板、固定装置和卡帽装置。该高稳定性的半导体晶体管封装结构，上盖通过转块在转动槽内的连接杆上旋转，使卡块卡入卡槽内，压板接触半导体晶体管的顶部，放入固定孔内，旋转螺纹帽，螺纹帽带动连接架向下，使转盘带动延长杆向下，使挂钩通过拉孔带动拉杆向下，使卡条向下，第二弹簧固定延长杆，延长杆固定挂钩，使转盘在连接架内旋转，将螺纹帽拧紧进行卡紧，封装后的半导体晶体管不会晃动，使半导体晶体管的稳定性高。
半导体晶体管封装结构高稳定性延长杆连接架螺纹帽晃动转盘封装本实用新型弹簧固定固定挂钩固定装置旋转螺纹盖板固定孔连接杆内旋转转动槽底座放入卡槽卡紧卡块卡帽卡入卡条拉杆拉孔拧紧上盖压板转块挂钩

[发明专利]高压半导体晶体管及其制造方法-CN201010199051.3有效
发明人：苏如意;杨富智;蔡俊琳;霍克孝;沈佳青;黄柏晟;郑志昌;柳瑞兴;段孝勤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是有关于一种高压半导体晶体管及其制造方法。此晶体管包含半导体基材、形成于半导体基材之上的栅极结构、形成于半导体基材中且位于栅极结构每一侧的源极与漏极、形成于半导体基材中的被掺杂的第一井区、及位于第一井区中的被掺杂的第二井区。本发明通过在半导体基材中设置双井结构(一延伸p型井区位于n型井区中)，可提高BV值，强化晶体管的性能。此外，P型掺杂延伸区的设置，降低了晶体管操作时的导通电阻Ron，故可节省晶体管的耗电成本。
高压半导体晶体管及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201510019318.9有效
发明人：张弓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括SRAM单元，其中所述SRAM单元包括：作为上拉晶体管的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管、作为下拉晶体管的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管、以及作为传输门晶体管的第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管，其中，在每个所述传输门晶体管中，源极和漏极相对于栅极结构非对称设置。本发明的半导体器件由于包括的SRAM单元中的传输门晶体管的源极和漏极相对于栅极结构非对称设置，因此相对于现有技术具有更好的读噪声容限和写噪声容限。本发明的半导体器件的制造方法用于制造上述半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置包括上述半导体器件，同样具有上述优点。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]一种高低压集成的工艺器件及其制备方法-CN201010265799.9无效
发明人：易扬波;李海松;陶平;王钦;刘侠 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2010-08-30 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种高低压集成的工艺器件及其制备方法，包括低压增强型、耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶体管，高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管和中高压增强型、耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管构成；所述制备方法为：在N型重掺杂衬底上制作N型外延层，接着在N型外延层上制作不同的P型掺杂阱，然后在P型掺杂阱上同时制作中高压增强型、耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的N型耐压区，最后在P
一种低压集成工艺器件及其制备方法

[发明专利]参考电压电路-CN200710306361.9无效
发明人：谢其松;刘宇华 -专利权人：络达科技股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种参考电压电路，主要包括有一电流镜、一第一电阻、一第一金属氧化物半导体晶体管及一第二金属氧化物半导体晶体管，其中电流镜的输出端耦接该第一电阻，电流镜的节点则耦接该第一金属氧化物半导体晶体管，并使得第二金属氧化物半导体晶体管耦接该第一金属氧化物半导体晶体管，且该第二金属氧化物半导体晶体管的第一端点与栅极端相耦接，藉此将可以在第一金属氧化物半导体晶体管及第二金属氧化物半导体晶体管之间得到一个稳定的参考电压
参考电压电路

[发明专利]半导体装置-CN201980085350.3在审
发明人：奥田肇;福田泰诏;宅间彻;高桥俊太郎;高桥直树 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置包括：半导体层；绝缘栅极型的第一晶体管，其形成于上述半导体层；绝缘栅极型的第二晶体管，其形成于上述半导体层；以及控制配线，其以与上述第一晶体管以及上述第二晶体管电连接的方式形成于上述半导体层之上，传递在通常动作时将上述第一晶体管以及上述第二晶体管控制为接通状态、在有源钳位动作时将上述第一晶体管控制为断开状态并且将上述第二晶体管控制为接通状态的控制信号。
半导体装置

[发明专利]车载充电机半导体晶体管的先装后焊结构和方法-CN201910900881.5在审
发明人：刘钧;冯颖盈;姚顺;罗耀文;肖伟军 -专利权人：深圳威迈斯新能源股份有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H05K7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种车载充电机半导体晶体管的先装后焊结构和方法，该结构包括：壳体、塑胶支架、弹片、半导体晶体管和电路板，半导体晶体管粘贴在塑胶支架的一侧，弹片安装在壳体内，弹片将塑胶支架上的半导体晶体管的一侧压紧贴合在壳体内的水道侧壁上，电路板固定地安装在半导体晶体管及水道的上方，半导体晶体管的引脚在未焊接之前穿设在电路板上的焊接通孔中。本发明将现有技术中的先焊后装方案改进为先装后焊方案，从而避免了半导体晶体管的引脚、焊点受到很大的应力，造成功能失效的问题，同时也避免了由于半导体晶体管引脚先被焊住再压紧，导致半导体晶体管不能很好的贴合在散热器上
半导体晶体管塑胶支架弹片引脚电路板散热器体内焊点车载充电机电路板固定方案改进功能失效焊接通孔水道侧壁散热壳体贴合压紧焊接紧贴粘贴水道

[实用新型]车载充电机半导体晶体管的先装后焊结构-CN201921588676.1有效
发明人：刘钧;冯颖盈;姚顺;罗耀文;肖伟军 -专利权人：深圳威迈斯新能源股份有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H05K7/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种车载充电机半导体晶体管的先装后焊结构，包括：壳体、塑胶支架、弹片、半导体晶体管和电路板，半导体晶体管粘贴在塑胶支架的一侧，弹片安装在壳体内，弹片将塑胶支架上的半导体晶体管的一侧压紧贴合在壳体内的水道侧壁上，电路板固定地安装在半导体晶体管及水道的上方，半导体晶体管的引脚在未焊接之前穿设在电路板上的焊接通孔中。本实用新型将现有技术中的先焊后装方案改进为先装后焊方案，从而避免了半导体晶体管的引脚、焊点受到很大的应力，造成功能失效的问题，同时也避免了由于半导体晶体管引脚先被焊住再压紧，导致半导体晶体管不能很好的贴合在散热器上
车载充电机半导体晶体管先装后焊结构

[发明专利]MOS晶体管及其制造方法与包含MOS晶体管的三维存储器-CN202111079115.0在审
发明人：姚兰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开提供了一种MOS晶体管及其制造方法，以及包括该MOS晶体管的三维存储器。根据本公开的一种MOS晶体管的制造方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括有高压器件区和低压器件区；在高压器件区形成高压器件栅极，在低压器件区形成低压器件栅极；在高压器件栅极的两侧以及低压器件栅极的两侧均形成侧墙，其中，在高压器件栅极的两侧形成的侧墙的宽度大于在低压器件栅极的两侧形成的侧墙的宽度；以及在高压器件栅极的侧墙的两侧的半导体衬底中形成高压器件区的源极和漏极，在低压器件栅极的侧墙的两侧的半导体衬底中形成低压器件区的源极和漏极
mos 晶体管及其制造方法包含三维存储器