专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种无缝管和管件固溶处理冷却辅助装置-CN202322303896.8有效
  • 孙宝春;黄凯亮 - 福建宏轮钢业集团有限公司
  • 2023-08-28 - 2023-10-13 - C21D9/08
  • 本实用新型提供有一种无缝管和管件固溶处理冷却辅助装置,包括第一支撑板,所述第一支撑板的内部安装有滑轨,所述滑轨的外侧安装有滑座,所述滑座的外侧安装有挡板,所述挡板的内部开设有安装口,所述挡板的外侧安装有连接杆,所述连接杆的外侧安装有第二支撑板,所述第二支撑板的外侧安装有固定座,所述连接杆的外侧安装有第一固定架。该一种无缝管和管件固溶处理冷却辅助装置,在第一支撑板的内部安装有滑轨和滑座,滑座的外侧安装有挡板和连接杆,通过滑轨和滑座上下移动,便于随时调节连接杆的高度,从而使得装置在夹持管道时能够调节其使用高度,从而使得辅助装置使用更加方便。
  • 一种无缝管件固溶处理冷却辅助装置
  • [发明专利]存储器及电子设备-CN202280004263.2在审
  • 黄凯亮;景蔚亮;冯君校;王正波 - 华为技术有限公司
  • 2022-01-07 - 2023-09-12 - H10B41/20
  • 本申请公开了一种存储器及电子设备,该存储器可以包括至少一层存储阵列,与该至少一层存储阵列层叠设置的晶体管阵列。其中,每一层存储阵列中包括多个存储单元;晶体管阵列中可以包括沿第一方向排列的多个晶体管组,每一晶体管组包括沿第二方向等距离排列的多个晶体管,且相邻晶体管组沿第二方向错位排列;晶体管组中每一晶体管对应电连接各存储阵列中一个的存储单元,第一方向与第二方向垂直。在该存储器中,晶体管阵列中晶体管的排列呈蜂窝排列,相比晶体管阵列为规则的矩阵排列可以增加单位面积上晶体管的数量,从而减小单个晶体管的水平投影面积,进而可以提高存储阵列中存储单元的密度,提高存储器的存储容量。
  • 存储器电子设备
  • [发明专利]铁电存储器及其控制方法、电子设备-CN202180086911.9在审
  • 景蔚亮;吕杭炳;殷士辉;方亦陈;卜思童;黄凯亮;刘晓真;徐亮;许俊豪 - 华为技术有限公司
  • 2021-05-21 - 2023-09-12 - G11C11/22
  • 本申请实施例提供一种铁电存储器及其控制方法、包含有该铁电存储器的电子设备。主要用于提升铁电存储器的存储密度。该铁电存储器包括:衬底和形成在衬底上的多个存储单元,每个存储单元包括第一晶体管、第二晶体管和浮栅,以及第一铁电电容;其中,浮栅沿与衬底相垂直的方向延伸,还有,第一晶体管和第二晶体管沿浮栅的延伸方向排布,并位于浮栅的相对的两端,且第一晶体管和第二晶体管均与浮栅电连接,也就是说,第一晶体管通过浮栅与第二晶体管电连接;第一铁电电容设置在浮栅的外围,并与浮栅电连接。这样的话,通过将浮栅与衬底相垂直设置,可以减少每个存储单元在衬底上所占据的面积,进而提升存储密度。
  • 存储器及其控制方法电子设备
  • [发明专利]四通阀、制冷系统及制冷系统的控制方法-CN201711168542.X有效
  • 程琦;姚亮;姜佳辉;黄凯亮;刘思源 - 珠海格力电器股份有限公司
  • 2017-11-21 - 2023-09-08 - F25B13/00
  • 本申请提供了一种四通阀、制冷系统及制冷系统的控制方法。其中,四通阀包括主四通阀和先导四通阀,先导四通阀与主四通阀相连,用于控制主四通阀中的流路方向。主四通阀包括一个输入液口和三个换向液口。四通阀还包括流路控制阀。流路控制阀设置在主四通阀的输入液口与先导四通阀相连接的控制液路上,流路控制阀用于控制控制液路的通闭以控制通过先导四通阀进入主四通阀的控制空腔中的冷媒量。应用本发明的技术方案,就可以避免控制空腔中积液对于主四通阀换向的影响,使得四通阀的换向更加顺畅,进而保证机组的正常运行,减小换向噪音。
  • 四通制冷系统控制方法
  • [发明专利]半导体装置、电子设备、晶体管的形成方法-CN202180086867.1在审
  • 黄凯亮;景蔚亮;冯君校;王正波 - 华为技术有限公司
  • 2021-03-08 - 2023-09-01 - H10B12/00
  • 本申请实施例提供一种半导体装置、电子设备、晶体管的形成方法和存储器的形成方法。涉及存储器技术领域,可以提高存储单元的集成密度。该半导体装置包括衬底和形成在衬底上的第一晶体管和第二晶体管,第二晶体管与第一晶体管电连接,第一晶体管和第二晶体管沿与衬底相垂直的第一方向排布,第一晶体管和第二晶体管均包括栅极、半导体层、第一极和第二极;第一晶体管和第二晶体管中的任一晶体管中,栅极和半导体层沿与衬底相平行的第二方向排布,第一极和第二极沿第一方向设置在半导体层的两侧,并分别与半导体层电连接。
  • 半导体装置电子设备晶体管形成方法
  • [发明专利]一种铁电存储器及电子设备-CN202180056186.0在审
  • 殷士辉;景蔚亮;黄凯亮;卜思童;王正波;许俊豪 - 华为技术有限公司
  • 2021-12-22 - 2023-09-01 - H10B53/30
  • 本申请的实施例提供一种铁电存储器及电子设备,涉及存储器技术领域,可以减小存储单元的面积。铁电存储器中的存储单元包括读取晶体管、预充晶体管和电容组;读取晶体管的第一极与第一位线电连接,第二极与源线电连接;预充晶体管的第一极与读取晶体管的栅极电连接,第二极与第二位线电连接,栅极与控制线电连接;读取晶体管的第一极和预充晶体管的第一极均设置在第二极沿第一方向的一侧,读取晶体管的半导体层包括第一部分,预充晶体管的半导体层包括第二部分,第一部分和第二部分均沿第一方向延伸;电容组包括层叠的第一电容和第二电容;第一电容和第二电容与读取晶体管的栅极电连接,第一电容还与第一字线电连接,第二电容还与第二字线电连接。
  • 一种存储器电子设备
  • [发明专利]存储器和存储器的制作方法-CN202180037432.8在审
  • 殷士辉;景蔚亮;黄凯亮;冯君校;王正波;廖恒 - 华为技术有限公司
  • 2021-12-08 - 2023-08-11 - G11C11/22
  • 本申请实施例提供一种存储器和存储器的制作方法,存储器包括写字节线、写比特线、读字节线、读比特线以及存储单元;存储单元包括在第一方向上依次排布的写晶体管和读晶体管,读晶体管包括第一栅极、第一极和第二极,写晶体管包括第二栅极、第三极和第四极,第二栅极连接写字节线,第四极连接写比特线,第二极连接读字节线,第一极连接读比特线,第三极和第一栅极连接形成存储节点;去耦合电容的一端连接至存储节点,另一端连接至预设电位。本申请实施例提供一种存储器和存储器的制作方法,可以减少写字节线、读字节线对存储节点的电压耦合。
  • 存储器制作方法
  • [发明专利]存储电路及存储器-CN202180076669.7在审
  • 黄凯亮;景蔚亮;王正波 - 华为技术有限公司
  • 2021-02-07 - 2023-08-04 - G11C11/00
  • 本申请涉及一种存储电路及存储器,所述存储电路包括写晶体管以及读晶体管,所述写晶体管用于接收第一输入信号,并根据所述第一输入信号更新所述存储电路的存储状态;所述读晶体管包括背栅,用于接收第二输入信号,所述读晶体管用于根据所述第二输入信号以及所述存储状态进行逻辑运算,并输出表示逻辑运算结果的第一输出信号。根据本申请实施例的存储电路,在满足具有存储功能的同时,还具备逻辑运算功能,使得存储电路应用到存储器中时,存储器不需要增加单独的运算电路即可实现存内运算,可以提高存储器的芯片利用率。
  • 存储电路存储器
  • [实用新型]一种水滴式针头及注射器-CN202222860356.5有效
  • 黄凯亮 - 黄凯亮
  • 2022-10-28 - 2023-05-02 - A61M5/32
  • 一种水滴式针头及注射器,其中水滴式针头包括:所述针头设置针尖和针管连接座,包括水滴部,所述水滴部设置在所述针头的外壁上,所述水滴部的轴线和所述针头的轴线重合设置,所述水滴部远离所述针尖的端与所述针尖之间的距离在1.5‑2.5毫米,所述水滴部用于撑开皮下组织。上述技术方案中,采用边注射边后退的方式(如线性后退注射法、垂直提拉注射法等)注射时,水滴部在皮下组织中预先撑起的空间留给注射物,扩大注射腔容积,如此避免因压力过大而造成注射物逆流回动脉中造成栓塞,提高药效以及注射的安全性。
  • 一种水滴针头注射器

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