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[发明专利]一种用于镓扩散载镓源的镓源瓶-CN201410813190.9在审
发明人：伍林;张耐君 -专利权人：宜兴市环洲微电子有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于镓扩散载镓源的镓源瓶，该镓源瓶内设有石英载源体（5），其特征在于：所述石英载源体（5）放置在镓源瓶的中间部位，在石英载源体（5）的上沿外侧设有石英载源体侧翼（6），石英载源体侧翼（6）对应设置在石英载源体（5）的左右侧和/或前后侧使得石英载源体（5）能够固定嵌置在镓源瓶内。本发明通过设置石英载源体侧翼对石英载源体进行固定，操作方便且结构简单；进出气口挡板截面积的设置能够有效提高产品表面浓度的一致性和均匀性、提高参数一致性和产品的合格率，从而降低生产成本；镓源瓶和石英载源体的大小能够根据实际需求量来进行调整
一种用于扩散载镓源镓源瓶

[实用新型]一种用于镓扩散载镓源的镓源瓶-CN201420828182.7有效
发明人：伍林;张耐君 -专利权人：宜兴市环洲微电子有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于镓扩散载镓源的镓源瓶，该镓源瓶内设有石英载源体（5），其特征在于：所述石英载源体（5）放置在镓源瓶的中间部位，在石英载源体（5）的上沿外侧设有石英载源体侧翼（6），石英载源体侧翼（6）对应设置在石英载源体（5）的左右侧和/或前后侧使得石英载源体（5）能够固定嵌置在镓源瓶内。本实用新型通过设置石英载源体侧翼对石英载源体进行固定，操作方便且结构简单；进出气口挡板截面积的设置能够有效提高产品表面浓度的一致性和均匀性、提高参数一致性和产品的合格率，从而降低生产成本；镓源瓶和石英载源体的大小能够根据实际需求量来进行调整
一种用于扩散载镓源镓源瓶

[实用新型]HVPE设备的气路组件以及HVPE设备-CN202320346761.7有效
发明人：李京波;雷剑鹏;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本申请公开了HVPE设备的气路组件以及HVPE设备，其中，气路组件，包括：石英瓶，用于存放固态镓源；输入管，与石英瓶连通，用于单独输送HCl，使HCl单独与石英瓶内的固态镓源反应；输料管，用于输送反应原料；输出管，一端与石英瓶连通，另一端与输料管连通，用于将HCl与固态镓源反应后的反应物输送至输料管中。本申请通过单独的输入管输入HCl能够有效保证HCl与固态镓源的充分反应。
hvpe 设备组件以及

[发明专利]一种开管扩散制备大功率半导体器件的方法及其装置-CN200310100117.9无效
发明人：沈首良 -专利权人：沈首良
申请日： 2003-10-10 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：该方法将反应器中的Ga₂O₃源粉加热还原成镓，在保护气氛下使镓扩散到硅片中。本发明的装置，包括气源、防回火装置、扩散炉和尾气恒压瓶；所述的防回火装置置于气源与扩散炉进气端之间，尾气恒压瓶与扩散炉尾气出口端相连。
一种扩散制备大功率半导体器件方法及其装置

[实用新型]一种氢化物气相外延反应镓舟结构-CN201820091707.1有效
发明人：李成明;黄业;刘鹏;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氢化物气相外延反应镓舟结构，包括镓源盛放部，所述镓源盛放部内设有导流壁，该导流壁与镓源盛放部的侧壁之间形成有进气口和出气口，导流壁位于镓源盛放部内的液面上方，所述导流壁与镓源盛放部内的液面之间设有导流体，导流壁与导流体之间具有通道，导流体与镓源盛放部内的液面之间具有流通通道。本实用新型利用导流壁和导流体对气体导流，实现镓源表面气体与远离镓源部位的气体发生交错流动，提高氯化氢气体生成氯化镓的转化率。
镓源导流壁盛放部导流体氢化物气相外延本实用新型液面进气口氯化氢气体表面气体流通通道气体导流气体发生出气口氯化镓侧壁交错流动

[发明专利]基体镓去除装置及方法-CN202010686686.X在审
发明人：宋丽丽;徐加泉;陈焕文 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G01N1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种基体镓去除装置及方法，该装置包括干燥氯化氢气体产生组件、镓转化为氯化镓发生组件和氯化镓及过量氯化氢气体抽离组件；干燥氯化氢气体产生组件包括恒压滴液漏斗、两口瓶和恒温水浴槽；镓转化为氯化镓发生组件包括锥形瓶、石英反应器和恒温电热套；氯化镓及过量氯化氢气体抽离组件包括三通阀门、第一洗气瓶、第二洗气瓶、第三洗气瓶、真空泵；恒压滴液漏斗用于盛放浓硫酸，两口瓶用于盛放氯化钠，石英反应器用于盛放试料，第二洗气瓶用于盛放水，第三洗气瓶用于盛放氢氧化钠溶液，三通阀门设于第三洗气瓶与真空泵之间的管路上。本发明能够解决现有技术在将基体镓去除时，操作复杂、耗时长的问题。
基体去除装置方法

[发明专利]一种非真空原子层沉积氧化镓薄膜的制备方法-CN202310486155.X在审
发明人：许嘉巡;连水养;朱润峰;岳新翔 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种非真空原子层沉积氧化镓薄膜的制备方法，包括非真空ALD工艺和TMG+O3工艺。TMG液态源置于不锈钢瓶内，源瓶一端和一喷头连接在一起，以一个惰性气体如N2将TMG的蒸气携带出来，最后由喷头喷出。同样地，将O2气瓶和一个O3产生器连接，产生器另外一端和一喷头连接，当O2经过所以当一衬底在喷头下方来回移动时，通过不断形成的Ga‑O‑Ga‑…最后可以形成氧化镓薄膜。本发明的非真空ALD制备氧化镓的方法，从沉积速率上和设备成本上都有利于ALD氧化镓应用到工业上。
一种真空原子沉积氧化薄膜制备方法

[实用新型]一种用于电动汽车的氮化镓基电容钳位型三电平逆变器-CN202222095410.1有效
发明人：郑旺;陈振;谭春晓;王海法;马春天;仝传博;鲍猛;王梓旭;周献章;方家斌 -专利权人：徐州金沙江半导体有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于电动汽车的氮化镓基电容钳位型三电平逆变器，涉及逆变器技术领域。本实用新型包括三相主回路，每相主回路包括4个氮化镓开关，第一氮化镓开关的漏极连接蓄电池组正极，第一氮化镓开关的源极连接第二氮化镓开关的漏极，第二氮化镓开关的源极连接第三氮化镓开关的漏极，第三氮化镓开关的源极连接第四氮化镓开关的漏极，第四氮化镓开关的源极连接蓄电池组负极，每个氮化镓开关的源极跟漏极之间串联一二极管，第一氮化镓开关的源极与第一氮化镓开关的源极之间串联一电容，每一个氮化镓开关的栅极用于接收控制信号；三相主回路中第二氮化镓开关的源极对应连接电动机的
一种用于电动汽车氮化电容钳位型三电平逆变器

[发明专利]一种具有栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件-CN202111010568.8在审
发明人：张龙;崔永久;刘培港;马杰;骆敏;王肖娜;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上方设有氮化铝缓冲层，氮化铝缓冲层上方设有铝镓氮缓冲层，铝镓氮缓冲层上方设有氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层上方设有铝镓氮势垒层和两端的源极及漏极，源极及漏极上方设有金属分别作为源极和漏极连接铝镓氮势垒层两端至外围的输入\输出，源极金属与铝镓氮势垒层左端形成欧姆接触，漏极和铝镓氮势垒层右端形成欧姆接触，铝镓氮势垒层上方叠加有三层不同掺杂浓度的P型氮化镓层，P型氮化镓层上方设有栅极金属连接P型氮化镓层至结构外围的输入\输出，栅极金属和P型氮化镓层形成肖特基接触，P型氮化镓层和栅极在源漏极之间相对距离源极较近，相对距离漏极较远，铝镓氮势垒层上方漏极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层，源极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层。
一种具有栅极耐压漏电氮化功率器件

[发明专利]多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法-CN200810052489.1有效
发明人：孙云;乔在祥;李胜林;何青;张德贤;周志强 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200－600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300－500℃之间，铟源加热至400－1200℃之间，镓源加热至500－1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。
多元蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜方法

[实用新型]一种具有石英载源体固定装置的石英镓预扩舟-CN201621255245.X有效
发明人：李超;纪锦程;顾晶伟;刘宗帅 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有石英载源体固定装置的石英镓预扩舟，其包括石英镓预扩舟、石英载源体以及石英载源体固定装置；所述石英载源体固定装置为固定连接到所述石英镓预扩舟一侧的石英镓源舟；所述石英镓源舟包括第一部、第二部以及第三部；所述第一部和所述第二部分别垂直连接到所述石英镓预扩舟；所述第三部垂直连接到所述第一部和所述第二部之间；所述第三部设有放置所述石英载源体的凹槽。本实用新型将石英镓源舟作为石英载源体固定装置固定安装到石英镓预扩舟一侧，并在石英镓源舟的第三部设有放置石英载源体的凹槽，保证了石英镓源舟以及的石英载源体的位置固定不变，结构简单，有效提高了产品表面浓度的一致性和均匀性
一种具有石英载源体固定装置镓预扩舟

[发明专利]一种镓源自动补给及回收装置-CN201510054617.6有效
发明人：刘南柳;李春霞;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2015-01-31 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓源自动补给及回收装置，设计了一种含镓舟、连通器、控制阀、附加镓舟、加热器、液位控制器、控制系统及发动机的镓源自动补给及回收装置。利用连通器的工作原理，设计控制镓源的自动补给及回收，解决HVPE技术生长氮化物半导体材料过程中，因金属镓源不断地被消耗，镓源液面不断降低，而导致在相同工艺条件下，生成的氯化镓浓度减少，严重影响氮化物材料的生长系统中源材料供给的均匀稳定性，使HVPE外延生长中出现晶体生长速率下降、晶体膜厚的工艺重复性较差，以及HVPE机台维护时残留在镓舟内剩余镓源的回收重复利用等问题。本发明装置结构合理紧凑、操作简便，能更好地保证镓源的及时补给，提高HVPE反应系统的稳定性及可靠性，增加HVPE设备的使用寿命，同时还可以利用连通器回收未用完的金属镓源，提高镓源的利用率，极具实用价值。
镓源自动补给回收装置连通器金属镓源回收氮化物半导体材料机台发明装置结构氮化物材料工艺重复性均匀稳定性液位控制器加热器反应系统工艺条件工作原理技术生长晶体生长控制系统浓度减少生长系统使用寿命外延生长重复利用晶体膜控制阀氯化镓源材料地被液面紧凑补给发动机残留消耗保证维护

[发明专利]氮化镓驱动电路-CN202211540423.3在审
发明人：李可;朱力强;周浩;丁炜 -专利权人：昂宝电子（上海）有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种氮化镓驱动电路。根据本发明实施例提供的氮化镓驱动电路，包括控制芯片和氮化镓功率管，其中，所述氮化镓功率管的漏极连接到所述氮化镓驱动电路的变压器的原边绕组，所述氮化镓功率管的栅极连接到所述控制芯片，所述氮化镓功率管的源极经由第一电阻接大地，并且所述控制芯片被配置为：对所述氮化镓功率管的源极电压进行检测；以及当检测到所述氮化镓功率管的源极电压增加时，向所述氮化镓功率管的栅极提供随着所述氮化镓功率管的源极电压的增加而增加的栅极电压，使得所述氮化镓功率管的栅极电压和源极电压之间的电压差值保持不变
氮化驱动电路

[发明专利]帽层结构氧化镓场效应晶体管的制备方法-CN201710596614.4有效
发明人：吕元杰;宋旭波;冯志红;王元刚;谭鑫;周幸叶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种帽层结构氧化镓场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：去除氧化镓外延片无源区域的氧化镓沟道层和氧化镓帽层；分别去除所述氧化镓外延片的源区对应的氧化镓帽层和漏区对应的氧化镓帽层；分别在所述源区对应的氧化镓沟道层部分和所述漏区对应的氧化镓沟道层部分掺杂N型杂质；分别在所述源区对应的氧化镓沟道层的上表面和所述漏区对应的氧化镓沟道层的上表面覆盖第一金属层，分别形成源极和漏极；在栅区对应的氧化镓帽层的上表面覆盖第二金属层形成栅极。
结构氧化场效应晶体管制备方法

[发明专利]发光二极管、外延片及其制备方法-CN201910175848.0在审
发明人：曹阳;乔楠;张武斌;郭炳磊;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述方法包括：在衬底上依次生长氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、N型铝镓氮层和多量子阱层；在多量子阱层上生长成分为镁掺杂的铝镓氮的电子阻挡层，在生长电子阻挡层的过程中金属源按照如下方式周期性通入：单位时间内通入第一金属源、单位时间内停止通入金属源、单位时间内通入第二金属源、单位时间内停止通入金属源、单位时间内通入第三金属源、单位时间内停止通入金属源，金属源包括镓源、镁源和铝源，第一金属源、第二金属源和第三金属源分别为镓源、镁源和铝源中的一种；在电子阻挡层的薄膜层上依次生长P型掺杂氮化镓层和P型接触层。
金属源电子阻挡层生长多量子阱层发光二极管外延片铝源镁源制备镓源未掺杂氮化镓层氮化镓缓冲层方式周期性外延技术薄膜层铝镓氮镁掺杂衬底

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