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[发明专利]一种晶体管管芯结构及制作方法-CN201910942730.6有效
发明人：郑伯涛;陈建星;邱文宗;林易展;王淋雨;林伟;章剑清;郭一帆;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管管芯结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在具有有源区、无源区、源极、漏极和栅极的半导体衬底上沉积第一层金属，在有源区形成源极金属和漏极金属，靠近源极的一侧的最外侧源极金属为第一源极金属，其余的源极金属为第二源极金属，源极金属的一侧延伸至无源区；沉积第二层金属，在相邻的源极金属和漏极金属之间形成栅极金属；沉积第三层金属，形成源极连线金属、漏极连线金属和栅极连线金属；以第一源极金属无源区部分和第二源极无源区部分为桥墩位置制作源极金属桥，源极金属桥连接源极金属和源极金属；本发明制作连通源极时不跨越有源区的栅极金属和漏极金属的金属桥结构，减小了寄生电容，提升器件射频工作性能。
一种晶体管管芯结构制作方法

[发明专利]半导体器件-CN202111052909.8有效
发明人：林坤;杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：该半导体器件包括衬底、位于衬底上的半导体叠层、位于半导体叠层上且间隔排布的源极欧姆金属和漏极欧姆金属、与源极欧姆金属接触连接的源极互连金属、与漏极欧姆金属接触连接的漏极互连金属、位于源极互连金属与漏极互连金属之间且与半导体叠层接触连接的栅极金属，以及位于半导体叠层上且与源极互连金属形成金属互连的源场板；其中，源场板位于源极互连金属和漏极互连金属之间，源场板至漏极欧姆金属的距离小于源场板至漏极互连金属的距离。该半导体器件能够在不额外增加器件面积的条件下减小源极和漏极之间的寄生电容，从而提高器件的漏极效率。
半导体器件

[发明专利]一种氮化物材料外延装置-CN200710118634.7无效
发明人：段瑞飞;王军喜;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-07-11 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明一种氮化物材料外延装置，其特征在于，包括：一金属有机源化学气相沉积系统，该系统具有独立的金属有机源管路和气体源管路；一金属卤化物独立供应源，该金属卤化物独立供应源通过阀门和管路与金属有机源化学气相沉积系统的金属有机源管路直接相连
一种氮化物材料外延装置

[发明专利]一种冷源结构和冷源结构金属氧化物半导体场效应晶体管-CN202210565204.4在审
发明人：刘飞;张力公 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种冷源结构和冷源结构金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：常规金属、冷金属、第一绝缘掩蔽层和源端；常规金属通过冷金属与源端相连，用于连接外加电压，引入电流；冷金属为附着在第一绝缘掩蔽层和源端上的一薄层，用于过滤常规金属引入的电流中的高能量载流子；第一绝缘掩蔽层在常规金属和源端之间，用于隔开常规金属与源端，防止电流中的电子隧穿至源端。通过将常规金属与源端通过第一绝缘掩蔽层分隔，使用冷金属连接被分隔的常规金属和源端，能够过滤亚阈值区域的高能载流子，同时防止电子从常规金属隧穿至源端，使冷源结构失效，冷源结构可使亚阈值电流在亚阈值区的斜率变陡
一种结构金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]发光二极管、外延片及其制备方法-CN201910175848.0在审
发明人：曹阳;乔楠;张武斌;郭炳磊;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述方法包括：在衬底上依次生长氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型掺杂氮化镓层、N型铝镓氮层和多量子阱层；在多量子阱层上生长成分为镁掺杂的铝镓氮的电子阻挡层，在生长电子阻挡层的过程中金属源按照如下方式周期性通入：单位时间内通入第一金属源、单位时间内停止通入金属源、单位时间内通入第二金属源、单位时间内停止通入金属源、单位时间内通入第三金属源、单位时间内停止通入金属源，金属源包括镓源、镁源和铝源，第一金属源、第二金属源和第三金属源分别为镓源、镁源和铝源中的一种；在电子阻挡层的薄膜层上依次生长P型掺杂氮化镓层和P型接触层。
金属源电子阻挡层生长多量子阱层发光二极管外延片铝源镁源制备镓源未掺杂氮化镓层氮化镓缓冲层方式周期性外延技术薄膜层铝镓氮镁掺杂衬底

[发明专利]锂过渡金属磷酸盐二次结构及其制备方法-CN201811062463.5在审
发明人：刘少军;刘小明;段婉璐 -专利权人：江苏合志新能源材料技术有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C01B25/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂过渡金属磷酸盐二次结构的制备方法，包括以下步骤：分别提供+2价过渡金属源溶液、锂源溶液及磷源溶液，所述+2价过渡金属源溶液、锂源溶液及磷源溶液分别为+2价过渡金属源化合物、锂源化合物及磷源化合物在有机溶剂中溶解得到；将所述+2价过渡金属源溶液、所述锂源溶液及所述磷源溶液混合形成混合溶液，所述+2价过渡金属源化合物与所述磷源化合物中的+2价过渡金属元素：磷的摩尔比为1：(2.5～4.5)；以及将所述混合溶液在溶剂热反应釜中加热进行溶剂热反应本发明还公开了一种所述锂过渡金属磷酸盐二次结构。
过渡金属源锂过渡金属磷酸盐二次结构磷源溶液锂源溶液磷源化合物混合溶液制备过渡金属元素溶剂热反应釜溶剂热反应锂源化合物有机溶剂摩尔比加热溶解

[发明专利]射频开关器件及其形成方法-CN201610160489.8有效
发明人：刘张李 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种射频开关器件及其形成方法，其中，射频开关器件包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；源区和漏区，分别位于所述栅极结构两侧的基底中；源金属层，位于所述基底上，所述源金属层与所述源区对应连接；漏金属层，位于所述基底上，所述漏金属层与所述漏区对应连接，所述源金属层上和所述漏金属层上具有介质层；金属层，在所述介质层上，且所述金属层至少投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面。所述射频开关器件增强了在关态下漏金属层和所述源金属层的隔离性能。
射频开关器件及其形成方法

[发明专利]锂离子电池正极材料的制备方法-CN201310294345.8无效
发明人：戴仲葭;王莉;何向明;李建军 -专利权人：江苏华东锂电技术研究院有限公司;清华大学
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01M4/1397 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池正极材料的制备方法，该制备方法包括：分别提供锰源溶液、金属M源溶液、锂源溶液和磷酸根源溶液，该锰源溶液、金属M源溶液、锂源溶液和磷酸根源溶液分别为锰源、金属M源、锂源及磷酸根源在有机溶剂中溶解得到，所述锰源及金属M源为强酸盐；混合该锰源溶液、金属M源溶液、锂源溶液和磷酸根源溶液以形成一混合溶液，在该混合溶液中，所述锰源、金属M源、锂源及磷酸根源的总浓度小于或等于3mol/L；以及将该混合溶液通过溶剂热反应法进行热处理
锂离子电池正极材料制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201710073456.4有效
发明人：林立凡;杨竣杰 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、栅极金属层、贯穿结构、第一源极金属层、漏极金属层与第二源极金属层。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。栅极电极置于源极电极与漏极电极之间。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。栅极金属层置于栅极电极与第一绝缘层上。栅极金属层包含窄部与宽部。贯穿结构置于栅极金属层与栅极电极之间。第一源极金属层置于源极电极与第一绝缘层上。漏极金属层置于漏极电极与第一绝缘层上。第二源极金属层置于栅极金属层与漏极金属层之间。
半导体装置

[发明专利]一种显示基板和显示装置-CN202110230986.1在审
发明人：苌川川;栾兴龙;冯京;王志冲;刘鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：显示基板包括衬底、源漏金属层、半导体层和栅金属层，源漏金属层形成于衬底上，源漏金属层包括数据线图形，且数据线图形与半导体层相连，半导体层位于源漏金属层远离衬底的一侧，栅金属层位于半导体层远离衬底的一侧。本发明实施例通过将半导体层设置于源漏金属层远离衬底的一侧，栅金属层设置于半导体层远离衬底的一侧，也就是说，源漏金属层更靠近衬底，制作过程中，首先制作源漏金属，接下来制作半导体层，最后制作栅金属层，源漏金属层和衬底之间的结构相对较少，如果源漏金属层存在残留，对于源漏金属层的修复对其他结构造成的影响相对较小，有助于提高显示基板的可修复性，从而提高产品的良品率。
一种显示显示装置

[发明专利]一种纳米晶的通用合成方法-CN201410775513.X在审
发明人：酒同钢;方俊锋;罗维宁 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米晶的通用合成方法，首先将金属源与水/吡啶混合溶剂混合，得到金属源溶液；所述金属源选自醋酸锌、醋酸铜、醋酸铅、醋酸银、醋酸镍、醋酸镉、醋酸铁、醋酸镁或醋酸钡，所述金属源溶液的浓度为1～5mol/L；再将非金属源与水混合，得到非金属源溶液；所述的非金属源为硫化钠或氢氧化钾，所述非金属源溶液的浓度为1～5mol/L；最后，将所述的非金属源溶液加入金属源溶液中，60～100℃下反应2～20h
一种纳米通用合成方法

[发明专利]一种小孔沸石分子筛、制备方法、催化剂及分子筛沸石膜-CN202310891441.4在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：浙江汇甬新材料有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B39/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种小孔沸石分子筛、制备方法、催化剂及分子筛沸石膜，其中，小孔沸石分子筛的原料包含硅源、铝源、钾源以及M金属源，所述硅源、铝源、钾源以及M金属源按照摩尔比组成为SiO2xO：H2O＝(1～20)：(0.3～5)：(0.5～3.1)：(0～0.5)：(160～1856)的比例配制，其中，M选自碱土金属、碱金属和过渡金属中的任意一种或以上，所述x取值为0.5‑2。本申请中通过在原料中加入了碱土金属、碱金属和过渡金属中的任意一种或以上，且将硅源、铝源、钾源以及M金属源按照指定摩尔比组成配制，能够增加硅铝比含量，且使得小孔沸石分子筛的稳定性获得提升。
一种小孔分子筛制备方法催化剂沸石膜

[发明专利]金属的破碎方法-CN201611208574.3在审
发明人：吴景晖;姚力军;邓睿 -专利权人：宁波创润新材料有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：一种金属的破碎方法，包括：提供金属源，所述金属源包括若干金属团；采用剪切方式对所述金属源进行破碎，形成金属粒。所述方法能够提高释放金属团之间杂质的能力。
金属源金属破碎剪切方式金属粒释放

[发明专利]等离子体雾化金属粉末制造工艺及其系统-CN201680052711.0有效
发明人：弗雷德里克·拉鲁什;马修·巴尔马约尔;弗朗西斯·特鲁多-拉隆德 -专利权人： APC高端粉末涂料公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B22F9/14 文献下载
摘要：等离子体雾化金属粉末制造工艺包括提供加热的金属源并在有效引起加热的金属源雾化的条件下使加热的金属源与至少一个等离子体源的等离子体接触。雾化可以使用小于约20的气体‑金属比值而执行，由此获得具有至少80％的0μm至106μm粒度分布产量的原始金属粉末。该工艺还可以包括将加热的金属源与至少一个等离子体源的等离子体对准。雾化系统可以包括对准系统，对准系统位于等离子体源的上游并且适于调节金属源相对于至少一个等离子体源的定向。
等离子体雾化金属粉末制造工艺及其系统

[发明专利]一种铜锌锡硫/硒墨水及其制备方法-CN201310691608.9有效
发明人：姚若河;李嘉辉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C09D11/02 文献下载
摘要：本发明所述墨水由金属源溶液与非金属源溶液制备而成，其中金属源溶液由铜源溶液、锌源溶液和锡源溶液三种源溶液组成，非金属源溶液由硫源溶液和硒源溶液中的一种以上源溶液组成。所述墨水由以下步骤制备而成：（1）以单乙醇胺水溶液为溶剂，分别将铜源、锌源和锡源溶解于所述溶剂中，混合后热处理，得到铜锌锡源溶液；（2）以单乙醇胺或单乙醇胺水溶液为溶剂，将非金属源溶解于所述溶剂中得到非金属源溶液该方法的优点在于，所采用的金属源不含难以分解去除的氯离子或其它酸根杂质离子，溶剂特性温和、绿色环保且单一易分解，可避免杂质离子对电池薄膜性能的不利影响。
一种铜锌锡硫墨水及其制备方法

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