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[发明专利]外延薄膜表面保护测试技术-CN200810201535.X无效
发明人：魏彦锋;陈晓静;徐庆庆;张传杰;杨建荣 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延薄膜表面保护测试技术，它可以在外延生长结束后，对外延薄膜进行涂覆保护，涂覆层起到杂质粘污阻挡层的作用，并且，在带有涂覆层的情况下，可以提取外延材料组分、厚度、x光貌相参数。其特征是：外延薄膜表面采用光刻胶保护，参考衬底表面涂覆的光刻胶厚度与外延层表面保护用的光刻胶厚度相同，透射光谱测试时以参考衬底的透射光谱作为背景，通过迭代法从不规则的透射光谱中提取外延层的厚度和组分参数本发明的优点是，完全避免了测试过程中的环境和测试设备对外延层的沾污，简化了后续的清洗工艺，提高了薄膜材料的成品率。
外延薄膜表面保护测试技术

[发明专利]一种外延式吸油烟技术-CN201611158033.4在审
发明人：张挺 -专利权人：张挺
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： F24C15/20 文献下载
摘要：本发明所述吸油烟技术通过所述油烟吸入口组件1与承载组件2连接支撑所述油烟吸入口组件，所述承载组件部件2与锅具把手3‑1连接并固定牢固以确保所述发明工作原理的实现，所述油烟吸入口组件1位于锅具3‑3的上方
油烟油烟吸入口承载组件锅具蒸汽吸力工作原理固定牢固锅具把手连接支撑通道连接油烟处理吸收

[发明专利]加料反应器外延式检修技术-CN201811625264.0在审
发明人：黄厚涛;田海军;黄猛;李兆洪;严大华 -专利权人：贵州省六盘水双元铝业有限责任公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： B01D53/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种加料反应器外延式检修技术，该加料反应器外延式检修技术通过固定滑杆和滑轨，将加料主机由设备中心牵引至检修门口，维修人员直接在检修门口对设备进行检修，不再需要进入管道设备内部维修。
检修加料反应器维修工人劳动环境固定滑杆管道设备节能减排净化效率劳动成本劳动效率设备中心维修难度系统设备原有设备运行保障对设备门口滑轨主机牵引维护

[发明专利]一种激光外延定向凝固技术-CN01115228.1无效
发明人：黄卫东;冯莉萍;林鑫 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2001-04-24 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：为解决现有激光定向凝固技术中存在的试样适用性差的不足,本发明提出了利用激光熔池中的极高温度梯度和激光快速熔凝组织可外延生长的特点,以定向凝固或单晶材料为基材,进行激光多层涂覆,从而实现涂覆层组织的定向凝固所得到的涂覆层组织细小,致密、定向性好,工艺简单,避免了现有技术中的局限性,可为工程提供不同尺寸和形状,具有定向凝固组织的金属零件。
一种激光外延定向凝固技术

[发明专利]一种近距外延式吸油烟技术-CN201611159329.8在审
发明人：张挺 -专利权人：张挺
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： F24C15/20 文献下载
摘要：本发明所述吸油烟技术通过所述油烟吸入口组件1与承载组件2连接支撑所述油烟吸入口组件，所述承载组件部件2与锅具连接部分3‑2连接并固定牢固以确保所述发明工作原理的实现，所述油烟吸入口组件1位于锅具3‑3的上方
油烟油烟吸入口锅具承载组件蒸汽吸力工作原理固定牢固连接支撑通道连接油烟处理吸收

[发明专利]关于外延沟道器件的错位应力记忆技术-CN201410723299.3有效
发明人：余宗兴;黄士轩;许义明;后藤贤一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有包括被配置为向外延沟道区提供应力的错位应力记忆(DSM)区的外延源极和漏极区的晶体管器件，及其形成方法。晶体管器件具有设置在半导体衬底上方的外延堆叠件以及设置在外延堆叠件上方的栅极结构。沟道区延伸至位于栅极结构的相对侧的外延源极和漏极区之间的栅极结构的下方。第一和第二DSM区分别从外延源极区的下方和从外延漏极区的下方延伸至外延源极区内的第一位置和外延漏极区内的第二位置。使用第一和第二SDM区加应力于沟道区提高了器件性能。
关于外延沟道器件错位应力记忆技术

[发明专利]分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法-CN201910428331.8在审
发明人：刘斌;初嘉鹏;谢自力;陶涛;李振华;吴耀政;赵红;陈敦军;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延AlN插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在AlN插入层上外延一层Al_xGa_(1‑x)N层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在Al_xGa_(1‑x)N层上外延一层GaN盖帽层。本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与Al_xGa_(1‑x)N薄膜层之间生长不同厚度AlN插入层，能够优化Al_xGa_(1‑x)
分子束外延技术生长参数分子束外延异质结结构蓝宝石基生长二维电子气特性问题同质外延薄膜层盖帽层异质结衬底输运优化

[发明专利]砷化镓/磷化铟异质气相外延技术-CN89102308.9在审
发明人：张国义;刘式墉 -专利权人：吉林大学
申请日： 1989-04-14 - 公布日： 1990-03-14 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明为一种在InP衬底上生长GaAs单晶薄膜的氯化物VPE技术。通过对衬底非生长区域的介质膜保护，分步预热与低温快速生长，抑制了InP衬底的热损伤。对衬底温度与载气H2流量耦合调制，形成多界面应力释放层，使3.7％的晶格失配应力引起的斜位错终止于界面，降低外延层的位错密度，提高晶体质量。其优点是设备简单、操作方便，GaAs外延层具有良好的结晶学特性、电学特性与光谱学特性。
砷化镓磷化铟异质气相外延技术

[发明专利]使用外延横向过生长技术移除器件的方法-CN202180029154.1在审
发明人：神川刚;荒木正弘;S.甘德罗图拉 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：III族氮化物层的外延横向过生长(ELO)用于覆盖沉积在衬底上的生长限制掩模，其中III族氮化物ELO层以小于500的低V/III比率生长，导致与低速垂直生长相比其具有高速横向生长。
使用外延横向生长技术器件方法

[发明专利]具有不同器件外延层的集成电路技术-CN201110327171.1有效
发明人： C.卡多;T.迈尔;W.维尔纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有不同器件外延层的集成电路技术。一种半导体模具包括衬底、第一器件区段和第二器件区段。第一器件区段包括衬底上的外延层以及形成在第一器件区段的外延层中的第一类型的一个或更多半导体器件。第二器件区段与第一器件区段分隔开，并且包括衬底上的外延层以及形成在第二器件区段的外延层中的第二类型的一个或更多半导体器件。第一器件区段的外延层与第二器件区段的外延层不同，从而第一类型的一个或更多半导体器件与第二类型的一个或更多半导体器件形成在不同的外延层中。
具有不同器件外延集成电路技术

[实用新型]基于分子束外延技术的半导体生长设备-CN202122309913.X有效
发明人：杨钢;薛聪;董建荣;王庶民 -专利权人：材料科学姑苏实验室;埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于分子束外延技术的半导体生长设备。
基于分子外延技术半导体生长设备

[发明专利]场效应晶体管的外延层及其制造方法-CN200810224091.1无效
发明人：陈洪宁;方绍明;刘鹏飞;王新强;陈勇 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种场效应晶体管的外延层及其制造方法，涉及半导体芯片技术领域。解决了现有技术存在制造方法比较复杂、工艺难度较大，导致场效应晶体管的制造效率比较低的技术问题。该场效应晶体管的外延层，包括设于漏极的衬底之上的第一外延层，第一外延层上还设有至少一层第二外延层，第一外延层以及第二外延层均包含有掺杂元素，第二外延层的掺杂元素的浓度大于第一外延层。该场效应晶体管的外延层的制造方法，包括以下步骤：采用外延生长法在漏极上的衬底之上形成包含有掺杂元素的第一外延层；采用外延生长法在第一外延层上形成至少一层包含有掺杂元素且掺杂元素的浓度大于第一外延层的第二外延层
场效应晶体管外延及其制造方法

[发明专利]采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法-CN201810440768.9有效
发明人：刘斌;李振华;谢自力;吴耀政;陶涛;修向前;施毅;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延超晶格插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在超晶格插入层上外延一层AlxGa(1‑x)N本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与AlxGa(1‑x)N薄膜层之间生长超晶格插入层，能够缓解/消除Al外延生长。
采用分子外延技术生长用于缓解消除铝镓氮薄膜表面裂纹晶格插入方法

[发明专利]外延生长方法及外延硅片-CN202211677623.3在审
发明人：张远超;王力;梁鹏欢;张奔 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延生长方法及外延硅片，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室和位于所述反应腔室内的基座，所述外延生长方法包括：将抛光后的硅片放置在所述基座上；利用硅源气体在抛光后的硅片上依次沉积预制层和外延层，使得所述预制层的致密度高于所述外延层的致密度本发明的技术方案能够抑制或防止重掺衬底中的杂质向外延层的扩散，减小重掺外延片的过渡区宽度。
外延生长方法硅片

[发明专利]降低外延片翘曲度的方法及其外延片-CN202010568239.4有效
发明人：黄敏;杨军伟;陈蛟;宋华平;简基康;王文军;陈小龙 -专利权人：东莞市中科汇珠半导体有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低外延片翘曲度的方法及其外延片，本发明提供的降低外延片翘曲度的方法合理,将液相等离子电解技术与半导体外延技术相结合，巧妙利用液相等离子电解渗透技术在半导体衬底材料的非外延生长面上进行掺杂，形成应力补偿层，通过该应力补偿层所产生的应力能部分或全部抵消后续外延生长面上的外延层所产生的应力，相互之间达到一个较佳的应力平衡状态，从而获得低翘曲度的外延片，提升外延片的晶体质量，得到较平整的外延片本发明提供的外延片结构设计合理，整体平整度高，给后续的半导体制程带来方便，有效提升半导体器件的良品率，确保产品质量。
降低外延曲度方法及其

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