“金属离子源”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2371591个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]含混合离子束流的H⁺离子截面信号采集系统和方法-CN201410172550.1无效
发明人：彭宇飞;龙继东;王小胡;杨振;蓝朝晖;董攀;李杰;何佳龙;王韬 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：含混合离子束流的H⁺离子截面信号采集系统和方法，涉及高能物理技术，本发明的系统包括：沿光路顺次设置的离子源和闪烁体、光学透镜、分幅相机；离子源和闪烁体位于真空腔中，离子源固定设置于离子源固定体，闪烁体固定设置于靶材固定体，离子源固定体和靶材固定体具有电能接口；所述闪烁体靠近离子源的一侧表面设置有金属膜。本发明的有益效果是，同时具备杂质重离子成分过滤和时间-空间分辨的H⁺束流截面诊断能力、能有效降低高压下绝缘击穿的危险并真实模拟近靶表面环境电场。
混合离子束 sup 离子截面信号采集系统方法

[实用新型]含混合离子束流的H+离子截面信号采集系统-CN201420212147.2有效
发明人：彭宇飞;龙继东;王小胡;杨振;蓝朝晖;董攀;李杰;何佳龙;王韬 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：含混合离子束流的H⁺离子截面信号采集系统，涉及高能物理技术，本实用新型包括：沿光路顺次设置的离子源和闪烁体、光学透镜、分幅相机；离子源和闪烁体位于真空腔中，离子源固定设置于离子源固定体，闪烁体固定设置于靶材固定体，离子源固定体和靶材固定体具有电能接口；所述闪烁体靠近离子源的一侧表面设置有金属膜。本实用新型的有益效果是，同时具备杂质重离子成分过滤和时间-空间分辨的H⁺束流截面诊断能力、能有效降低高压下绝缘击穿的危险并真实模拟近靶表面环境电场。
混合离子束离子截面信号采集系统

[发明专利]离子注入复合镀膜设备-CN03129551.7有效
发明人：蔡珣;童洪辉;陈庆川;蒲世豪;赵军;陈秋龙;刘佑铭 -专利权人：上海交通大学;核工业西南物理研究院
申请日： 2003-06-26 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：一种离子注入复合镀膜设备属于镀膜技术领域。本发明的气体离子源、金属离子源、直流磁控溅射靶源、中频脉冲磁控溅射靶源和两套直流磁过滤电弧离子镀源、六个源头共用一个真空室，并固定在复合镀膜机的外壳上，气体离子源垂直位于真空室上部的正中，金属离子源位于气体离子源的一侧，斜插于真空室上部，直流磁控溅射靶源和中频磁控溅射靶源、两个直流磁过滤电弧离子镀源则分布在二条对角线上，并位于真空室两侧偏上部位，六个源头的中心线汇聚在多用样品台工件上，真空抽气系统与真空室连接。
离子注入复合镀膜设备

[发明专利]用于预防或治疗与牙本质小管相关的症状或疾病的制剂及其使用方法-CN201680051829.1在审
发明人：林俊彬;林弘萍;叶威延 -专利权人：圣凯瑟世界股份有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： A61K33/14 文献下载
摘要：本公开提供一种用于口腔牙齿的非水性制剂，其包括金属离子源及磷酸根离子源。该金属离子选自碱土金属、Zn、Zr或其组合，且该制剂中该金属离子与该磷酸根离子的摩尔比介于约0.01与约1.0之间。
用于预防治疗牙本质相关症状疾病制剂及其使用方法

[发明专利]多组元金属氧化物薄膜的制备方法-CN90105788.6无效
发明人：肖定全;肖志力;朱居木;郭华聪;谢必正 -专利权人：四川大学
申请日： 1990-03-22 - 公布日： 1994-04-06 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用多离子束反应共溅射装置制备金属氧化物薄膜的方法，采用四个离子源，其中三个为溅射离子源，对着衬底的第四个离子源在成膜前对衬底进行预溅射清洗，并在成膜过程中进行动态混合，通过使衬底加热、旋转，经由专门的通气管或(和)经由第四个离子源通过反应氧气，在不同衬底材料上在位生产制备均匀优质的外延或择优取向的单元、双元和多组元金属氧化物薄膜。
多组元金属氧化物薄膜制备方法

[发明专利]半导体器件的薄膜的形成方法-CN200810171436.1无效
发明人：尹钟皓;崔吉铉;李钟鸣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-06-23 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：该方法包括将液化的金属离子源吸收到衬底上的步骤；漂洗衬底以去除未被吸收到衬底上的任何液化的金属离子源的步骤；通过用液化的还原剂还原被吸收到衬底上的液化的金属离子源在衬底上沉积金属层的步骤；以及漂洗衬底以去除剩余的液化的还原剂和任何反应残留物的步骤
半导体器件薄膜形成方法

[发明专利]制备纳米粒子的方法-CN200980126665.4有效
发明人：尼拉吉·沙拉玛;楚昂·C·武 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C07F9/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种方法，包括：(a)组合(1)至少一种金属阳离子源、(2)至少一种磷酸根阴离子源、(3)至少一种包含至少一个有机部分的有机碱，所述有机部分包含至少约5个碳原子，和(4)至少一种包含至少一个有机部分的有机硅烷，所述有机部分包含至少约6个碳原子；和(b)在所述有机碱和所述有机硅烷存在下，使所述金属阳离子源和所述磷酸根阴离子源反应(例如以形成表面改性的金属磷酸盐纳米粒子)。
制备纳米粒子方法

[实用新型]一种低污染的空心阴极霍尔离子源子源-CN202221215085.1有效
发明人：薛照明;黄子建;薛海 -专利权人：成都天一国泰真空设备有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01J27/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低污染的空心阴极霍尔离子源子源，属于真空镀辅助镀膜技术领域，目的在于提供一种低污染的空心阴极霍尔离子源子源，解决现有设备造成样品成膜品质差的问题。其位于反射板下端面采用高导热金属的气体分配器，与同样采用高导系热系数金属材料制作的冷水板直接接触，且反射板、气体分配器与冷水板直接组合在一起并在电位上呈中性状态，即使离子源长期工作在1KW功率下几乎未出现反射板的溅射现象，有效避免了离子源材料溅射对成膜质量的影响，极大的拓宽了空心阴极霍尔源的使用范围。本实用新型适用于一种低污染的空心阴极霍尔离子源子源。
一种污染空心阴极霍尔离子源

[实用新型]一种离子源设备-CN201820728190.2有效
发明人：陈宇航;龙继东;赵良超;何小中;马超凡;杨振;董攀;蓝朝晖;刘尔祥;龙全红 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H05H7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子源设备，该离子源采用了阳极筒的沉台孔结构，结合下沉式或喷管式的准直器及阴极配合这种间隙结构，能够有效增加阴极与准直孔之间的距离，增加准直器面对阴极部分的表面积，提升准直器上冷凝阴极金属蒸汽的有效体积，削弱由于阴极金属蒸汽冷凝带来的影响；阴阳极组成的放电结构有效的提升了负氢离子的生产效率，同时也减少了阴极材料的蒸发速率；在不改变阳极筒长度的前提下，将准直器安装在阳极筒内部，可以使离子源内气压保持在一个更高的值，从而降低外界对离子源的供气量，有效减少束流在加速器中的输运损失，有效提升了离子源的放电稳定性与放电寿命，以此有效提升离子源设备的工作寿命。
离子源准直器阴极离子源设备阳极筒阴极金属本实用新型放电稳定性喷管放电结构放电寿命负氢离子工作寿命间隙结构气压保持生产效率阴极材料有效减少有效体积蒸汽冷凝沉台孔供气量下沉式准直孔冷凝加速器输运束流蒸汽蒸发削弱配合

[发明专利]三节拍式液基金属离子源电沉积微增材制造方法-CN202010490525.3有效
发明人：沈春健;朱荻;朱增伟 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明属于金属增材制造领域，涉及一种三节拍式液基金属离子源电沉积微增材制造方法。本发明的金属微增材制造过程包含若干周期，每个周期内分为三个节拍：金属离子源电沉积、外部离子水溶液更新以及微纳米移液管口与沉积金属间隙监测回路电流检测，制造过程中三个节拍独立工作和脉动切换，分别起到了金属生长、扩散金属离子清除、金属生长监测的作用。其中，金属离子源电沉积是在外部离子溶液中被极化的阴极表面构造金属离子源进行金属电沉积，外部离子水溶液更新能够及时清除电沉积阶段扩散的金属离子，抑制金属离子长距离、大范围扩散造成的金属杂散沉积，提高微结构件尺寸精度和表面质量，而独立的监测回路电流检测提高金属生长监测的正确性和稳定性，提升对微增材制造过程的控制能力，实现金属三维微结构的精密增材制造。
节拍基金离子源沉积微增材制造方法

[发明专利]一种复合镀膜装置-CN202011334802.8在审
发明人：冯森;蹤雪梅;何冰 -专利权人：江苏徐工工程机械研究院有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合镀膜装置，包括真空室和位于真空室内的工件转架，真空室内集成有离子束源、脉冲电弧离子源和磁过滤电弧离子源；离子束源用于清洗工件或者辅助沉积；脉冲电弧离子源用于激发石墨靶材，产生碳离子，沉积Ta‑C碳膜；磁过滤电弧离子源用于激发金属靶材，产生金属离子，沉积金属薄膜、合金薄膜或化合物薄膜。本装置将离子束技术、磁过滤离子镀与脉冲离子镀三种技术集成于一个真空室，提供多种镀膜方式，实现多功能性和结构性先进薄膜制备，具有功能丰富、扩展性强的特点，适用于开展科学研究及工业领域多样性生产。
一种复合镀膜装置

[实用新型]一种复合镀膜装置-CN202022752385.0有效
发明人：冯森;蹤雪梅;何冰 -专利权人：江苏徐工工程机械研究院有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合镀膜装置，包括真空室和位于真空室内的工件转架，真空室内集成有离子束源、脉冲电弧离子源和磁过滤电弧离子源；离子束源用于清洗工件或者辅助沉积；脉冲电弧离子源用于激发石墨靶材，产生碳离子，沉积Ta‑C碳膜；磁过滤电弧离子源用于激发金属靶材，产生金属离子，沉积金属薄膜、合金薄膜或化合物薄膜。本装置将离子束技术、磁过滤离子镀与脉冲离子镀三种技术集成于一个真空室，提供多种镀膜方式，实现多功能性和结构性先进薄膜制备，具有功能丰富、扩展性强的特点，适用于开展科学研究及工业领域多样性生产。
一种复合镀膜装置

[发明专利]一种新型阳极层离子源-CN202211398189.5在审
发明人：吴忠振;崔岁寒;黄健;马正永;马梓淇 -专利权人：深圳后浪实验室科技有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型阳极层离子源，所述阳极层离子源通过在内阴极和外阴极表面设置外屏蔽罩，防止离子通道的正离子轰击阴极表面，减少了因溅射产生的金属原子，有效抑制阴极刻蚀，防止样品被污染，同时通过在离子源内部内阴极和外阴极内轮廓周围设置磁屏蔽罩，屏蔽阳极附近的磁场，优化电磁场分布，减少了内部放电，提高工艺的稳定性，从而提高阳极层离子源的工作寿命。
一种新型阳极离子源

[发明专利]离子注入方法-CN201811154466.1有效
发明人：伍菲菲;时锋;袁立军 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子注入方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括将由硼的同位素和/或氟的同位素构成的同位素离子源气体BF3作为离子注入机的离子源，离子注入机将同位素离子源气体BF3离子化形成BF2+掺杂离子，以增大或减小离子注入机将离子源气体BF3离子化形成的BF2+掺杂离子的等效质荷比，如此调节分析磁场的励磁电流为一电流时，较易将BF2+掺杂离子分离与钼金属Mo2+，而当掺杂离子注入到晶圆中时，不会带来钼金属
离子注入方法

[发明专利]一种离子源安装支架-CN201810645342.7有效
发明人：杨圆明;宋韵洋;赵鑫;王汉清;杨恩武;刘兰超;杨林月;刘敏胜 -专利权人：新奥科技发展有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01J1/92 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种离子源安装支架，涉及离子源安装技术领域，用于提高离子源安装支架的空间利用率及其通用性。所述离子源安装支架包括：用于安装在真空腔室上的法兰安装盘，通过间隙可调组件与法兰安装盘连接的离子源固定套，以及与离子源匹配设置的紧定件；其中，离子源固定套上设置有离子源容置孔、以及至少一个沿离子源容置孔的径向设置的离子源限位孔；离子源限位孔与离子源容置孔连通，紧定件穿过离子源限位孔与设在离子源容置孔内的离子源固定连接。本发明实施例提供的离子源安装支架用于实现离子源在真空腔室内的安装。
一种离子源安装支架