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[实用新型]一种用于生物的连续离子注入复合处理生产设备-CN200620013189.9无效
发明人：张涛;苏颖;朱民;解延雷;辛督强;胡国强;刘安东 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2006-04-13 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： A01H1/06 文献下载
摘要：一种生物的连续离子注入复合处理生产设备，主要由小真空室和大速率抽气的真空系统组成，真空系统采用机械泵+扩散泵配置，扩散泵个数为至少两个，每个扩散泵与真空室的接口分别配置在样品台四周不同位置的真空室壁上。在真空室壁上装1－4个金属蒸汽真空弧离子源，1－4个激光源，0－8个电子枪，将金属蒸汽真空弧源离子源、激光源、电子枪三种技术复合，形成一部整体设备，发挥它们各自的优势，使生物样品发出的气体能被迅速抽出真空室，保证离子源正常工作，一次完成生物样品的离子注入处理过程。本实用新型可实现生物样品的多种离子注入复合处理工艺，具有连续快速处理能力。
一种用于生物连续离子注入复合处理生产设备

[发明专利]多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备-CN202111118247.X有效
发明人：宋驰;张鑫;殷龙海;尹小林;张斌智;李鑫;黄贺;张乐 -专利权人：摩高光学科技（佛山）有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G06F17/00 文献下载
摘要：本发明涉及光学元件加工技术领域，具体提供了一种多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备，通过获取参考去除函数和参考束流分布函数；测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数；根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工；从而，可有效抑制拼痕的产生
离子源协同加工抑制方法装置电子设备

[发明专利]用离子束反应溅射方法成膜的装置-CN88109745.4无效
发明人：郭华聪;肖定全;谢必正;邵启文;朱居木;肖志力 -专利权人：四川大学
申请日： 1988-11-09 - 公布日： 1992-07-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：用离子束反应溅射成膜的装置，主要用于制作多成份膜和多成份多层膜。本发明在装置的靶室中设有2～4个溅射离子源，果用聚集离子源，以基片为中心分布于基片周围。每个离子源前方相应有一组装置有4块不同材料的靶片的转动靶。对着基片设有一个用于辐照基片的无灯丝阳极辐照离子源，如用高频离子源，2～4个溅射离子源与每组有4种材料的靶配合，能作出每个周期厚度内有4层，每层成份完全不重复的结构可调多层膜。辐照离子源能长期工作于反应气体中。
离子束反应溅射方法装置

[发明专利]单MEVVA离子源渗注镀复合处理工艺-CN200410077215.X有效
发明人：张德元;费勤勇;赵豪民;耿漫;马胜歌 -专利权人：深圳国家863计划材料表面工程技术研究开发中心
申请日： 2004-12-01 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种单MEVVA离子源渗注镀复合处理工艺，要解决的技术问题是提高离子注入效率，本发明包括以下步骤：1.将工件装上工件架后，真空炉体内抽真空至5×10^－3Pa以上；2.向真空炉体内充入气体使其真空度降至1.0×10^－2至7.0×10^－2Pa之间；3.开启离子源，调节充入气体，使真空度保持在金属离子与通入的气体原子的平均自由程为离子源到工件距离的1/10至1/2；4.达到离子1.5×10¹⁷ions/cm²至3.5×10¹⁷ions/cm²的注入剂量后，关离子源，本发明与现有技术相比，在真空弧离子源MEVVA离子注入机内充入气体，调节充入气体可实现多元共注，实现离子注入和表面镀膜，提高了工件注入层表面性能、功效和工艺稳定性，适用于需要提高表面硬度、耐腐蚀性的工件。
mevva 离子源渗注镀复合处理工艺

[实用新型]一种压气机叶片涂层的表面改性设备-CN201420620654.X有效
发明人：金杰;王丽叶;王月;陈亮;杨文军;李朋帅 -专利权人：北京机械工业自动化研究所
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本实用新型公开一种压气机叶片涂层的表面改性设备，用于对叶片进行覆膜，包括真空腔室、氮气源、第一弧源、第二弧源、考夫曼离子源和MEVVA离子源。叶片设置于真空腔室内，第一弧源、第二弧源、MEVVA离子源、考夫曼离子源以及氮气源分别连接于真空腔室上。第一弧源采用铬铝合金靶，第二弧源采用钽靶，MEVVA离子源采用铬阴极，考夫曼离子源对叶片表面进行清洗，MEVVA离子源、第一弧源、第二弧源和氮气源对叶片表面进行反复镀膜。本实用新型通过采用阴极磁过滤和等离子体增强技术，改善了叶片复杂结构膜层沉积均匀性差的问题，同时采用新型的掺杂Al的Ta-Cr-N纳米多层膜提高叶片表面的耐高温腐蚀和冲蚀能力。
一种压气叶片涂层表面改性设备

[发明专利]离子植入机及离子植入方法-CN201811068106.X在审
发明人：马富林;李超 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设备制造技术领域，公开了一种离子植入机及离子植入方法，其中，离子植入机包括：离子源，用于射出离子束；磁场装置，接收从离子源射出的离子束并改变该离子束的方向；工艺腔，用于接收从磁场装置射出的离子束并且，离子植入机还包括设置在磁场装置和工艺腔之间的金属离子吸收部件。本发明提供的离子植入机，通过设置金属离子吸收部件，将离子束中的金属离子分离并吸收，使得离子束中只包含需要掺杂的离子，减少晶圆表面形成金属沾污的概率，从而降低晶圆的暗电流并提高离子植入的良品率。
离子束离子植入机离子磁场装置金属离子射出吸收部件工艺腔离子源植入半导体设备制造金属沾污晶圆表面暗电流掺杂的良品率植入的晶圆概率吸收

[发明专利]提供离子源供料材料的技术-CN200880001770.0无效
发明人：克里斯多夫·R·汉特曼;奎格·R·钱尼;艾利克·R·科步;约瑟·C·欧尔森;奎斯·坎贝儿 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2008-01-08 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：揭示一种提供离子源供料材料的技术。在一特定实施例中，此技术可实现为供应离子源供料材料的容器。容器可包括内腔，其预填充有离子源供料材料。容器还可包括外主体，其配置为可载入对应的外罩内并可由外罩内移除，外罩经由喷嘴总成耦接至离子源室。容器还可包括出口，以密封预填充的离子源供料材料，出口还配置为与喷嘴总成啮合以在内腔与离子源室之间建立引流路径。容器可配置为抛弃式构件。
提供离子源供料材料技术

[发明专利]用于离子源的集成提取电极操纵器-CN201680020055.6有效
发明人：伯·范德伯格;约瑟夫·瓦林斯基;迈克尔·克里斯托福罗 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：模块化离子源和提取设备200包括选择性地电连接到电压电位的离子源室202，其中离子源室包括提取孔203。提取电极206位于靠近离子源室的提取孔的位置，其中提取电极被配置为从离子源室提取离子，并且可以电接地。一个或多个连杆208可操作地连接到离子源室，并且一个或多个绝缘体210将提取电极连接到相应的一个或多个连杆，其中一个或多个绝缘体使相应的一个或多个连杆与提取电极电绝缘，其中提取电极与离子源室电绝缘。一个或多个致动器212、218、220可操作地将一个或多个连杆连接到离子源室，其中一个或多个致动器被配置成使一个或多个连杆相对于所述离子源室平移，其中使提取电极在一个或多个轴线上平移。
用于离子源集成提取电极操纵

[发明专利]用于离子源壳体的氢气排气-CN201980030883.1在审
发明人：尼尔·科尔文;哲-简·谢 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：用于离子注入系统的终端系统(102)具有离子源(108)，该离子源具有壳体和包括一个或多个孔板的提取电极组件。气体箱(152)电耦接至离子源。气体源(148)在气体箱内，以与离子源组件基本相同的电位提供气体。排气导管(154、172、174)将气体引入到位于离子源的壳体的内部和至少一个孔板的上游的区域。排气导管具有一个或多个贯穿离子源组件的主体延伸的馈通件，例如位于离子源的安装凸缘中的孔。安装凸缘可以是具有通道的管状部。排气导管可以进一步具有限定为气体分配环(174)的气体分配设备(172)。
用于离子源壳体氢气排气

[发明专利]镁合金表面强化方法及其装置-CN200710106833.6无效
发明人：陈飞;周海;刘录 -专利权人：北京石油化工学院
申请日： 2007-05-11 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：一种镁合金表面强化方法及其装置，主要是在一真空容器内设置可旋转的放置镁合金工件的阴极转动系统，在真空容器壁上设置离子源系统、阴极电弧源系统、抽气系统、测温系统和送气系统组成镁合金表面强化装置；利用多弧阴极电弧源提供的高能的金属原子，离子，再利用中低能，小束流的离子源把金属原子，离子注入适当升温的工件表面结合成高强度和高质量的涂层。
镁合金表面强化方法及其装置

[发明专利]一种离子源挡片、离子刻蚀机及其使用方法-CN202010440876.3有效
发明人：张瑶瑶;胡冬冬;刘海洋;张军;李娜;程实然;朱治友;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提出了一种离子源挡片、离子刻蚀机及其使用方法，该离子源挡片包括挡片本体；挡片本体为一中空结构；挡片本体的内壁上固定对称设置的挡片；挡片朝挡片本体的中心方向延伸；沿挡片本体的内壁朝挡片本体中心的方向，挡片形成的遮挡区域由大变小；离子刻蚀机包括放电室、反应室和离子源挡片，离子源挡片卡设在放电室的内壁上；等离子体依次经过离子源挡片和离子源Grid组件。本发明的离子刻蚀机通过增设一离子源挡片，等离子体经离子源挡片进行遮挡后，自放电室的边缘区域至放电室的中心区域，等离子体的数量逐渐增多，从而补偿了屏栅上外小孔大于内小孔的结构设计，保证了等离子体穿过屏栅形成的等离子束的均匀性
一种离子源离子刻蚀及其使用方法

[发明专利]一种带有防打火装置的离子源-CN201810776228.8在审
发明人：任秀艳;吴灵美;曾自强;曹进文 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01J5/02 文献下载
摘要：本公开属于同位素领域，特别涉及一种带有防打火装置的离子源；该装置包括：高压屏蔽外壳、防打火罩、PIG板；其中高压屏蔽外壳固定在离子源头部；防打火罩固定在离子源头部和中部；两块儿PIG板通过电极支架固定在离子源头部两侧大大降低了在同位素电磁分离器用离子源工作时，由于离子源处于高电位、高磁场情况下，经常出现打火的问题，提高了离子源的工作的稳定性。
离子源防打火离子源头部高压屏蔽同位素电磁分离电极支架外壳固定高磁场高电位打火

[实用新型]一种带有防打火装置的离子源-CN201821119747.9有效
发明人：任秀艳;吴灵美;曾自强;曹进文 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01J5/02 文献下载
摘要：本公开属于同位素领域，特别涉及一种带有防打火装置的离子源；该装置包括：高压屏蔽外壳、防打火罩、PIG板；其中高压屏蔽外壳固定在离子源头部；防打火罩固定在离子源头部和中部；两块儿PIG板通过电极支架固定在离子源头部两侧大大降低了在同位素电磁分离器用离子源工作时，由于离子源处于高电位、高磁场情况下，经常出现打火的问题，提高了离子源的工作的稳定性。
离子源防打火离子源头部高压屏蔽同位素电磁分离电极支架外壳固定高磁场高电位打火

[发明专利]一种离子源束流稳定性控制系统及方法-CN201910644670.X有效
发明人：郭玉辉;詹泰鑫;孙良亭;刘玉国 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H05H7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子源束流稳定性控制系统及方法，其特征在于，包括针阀、气体流量计、驱动电机、束诊元件和控制系统；所述针阀和气体流量计依次设置在离子源气源储气罐出气口与ECR离子源进气口之间的管道上，所述针阀通过机械驱动装置连接所述驱动电机的输出端，所述针阀用于控制所述离子源气源储气罐的出气量，所述气体流量计用于采集所述ECR离子源进气口处的气体流量；所控制系统分别电连接所述气体流量计、驱动电机和束诊元件，所述束诊元件用于测量所述ECR离子源的束流流强，本发明可以广泛应用于离子源技术领域中。
一种离子源稳定性控制系统方法

[实用新型]复合离子源装置及质谱仪-CN201220079088.7有效
发明人：张小华;张华;商颖健;薛孟谦 -专利权人：北京普析通用仪器有限责任公司
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种复合离子源装置及质谱仪。复合离子源装置包括：壳体和安装在壳体内的电子轰击离子源，其还包括至少一个用于产生紫外光的紫外光源，离子化室上具有至少一个透光孔，每个透光孔与相应的紫外光源照射位置相对应，并且透光孔位于推斥电极和引入电极之间本实用新型质谱仪安装有本实用新型的复合离子源装置。本实用新型中借由电子轰击离子源装置中的离子化室、样品进样管和离子透镜加上紫外光源形成了光子轰击离子源装置。可以根据待测试样品的类型选择使用电子轰击离子源装置或者光子轰击离子源装置，或者二者同时使用。
复合离子源装置质谱仪