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[发明专利]注塑模具及注塑方法-CN202080012415.4有效
发明人：吴凡坤;吕镇;侯召政 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B29C45/14 文献下载
摘要：本申请提供一种注塑模具和注塑方法。注塑模具包括外壳和盖板，外壳内设模腔，模腔内用于收容功率模块；盖板设有多个通孔，盖板可拆卸连接至外壳，盖板位于模腔内且与外壳共同定位所述功率模块，多个通孔用于匹配功率模块的多个引脚。本申请通过设置盖板，并在盖板上设有供引脚穿过的通孔，通过更换通孔排布方式不同的盖板，可以实现同一套注塑模具兼容同一系列不同引脚位置的功率模块。不同盖板的通孔的排布方式不同，针对具有不同的排布方式的引脚的功率模块注塑时，只需要更换设有相应通孔的盖板即可实现注塑密封，而不用更换整个注塑模具，解决了注塑模具开发周期长、成本高的问题。
注塑模具方法

[发明专利]电力线载波通信系统、光伏控制器和子阵控制器-CN202310362024.0在审
发明人：张春青;黄晶晶;侯召政 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H04B3/54 文献下载
摘要：本申请提供了一种电力线载波通信系统、光伏控制器和子阵控制器。该系统可应用于光伏电站子阵，光伏电站子阵包括子阵控制器和多个光伏控制器，光伏控制器用于采集与其连接的光伏组件的功率信息，子阵控制器用于与光伏控制器之间通信，还用于控制该多个光伏控制器的工作状态，若在某一时段内参与通信的是该子阵控制器和至少一个光伏控制器，则参与通信的控制器的通信状态为打开状态，不参与通信的其他部分或全部光伏控制器的通信状态为关断状态或反射放大状态。本申请能够增加光伏电站子阵中控制器接收到的PLC信号的强度，可以增加控制器之间的通信距离。
电力线载波通信系统控制器

[发明专利]一种氮化镓器件、开关功率管、驱动电路及其制作方法-CN202110436275.X有效
发明人：包琦龙;蒋其梦;唐高飞;王汉星;黄伯宁;侯召政 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种氮化镓器件、开关功率管、驱动电路及其制作方法。该氮化镓器件的漏极包括P‑GaN层和漏极金属；P‑GaN层形成在AlGaN层之上，并且在器件栅宽方向上为条状结构；漏极金属包括多个第一结构区间和多个第二结构区间；多个第一结构区间和多个第二结构区间在栅宽方向上交替分布；漏极金属在第一结构区间与P‑GaN层接触；漏极金属第二结构区间既与P‑GaN层接触，又与AlGaN层形成欧姆接触。这样，漏极金属在第一结构区间实现局部注入空穴的能力，在第二结构区间通过欧姆接触(Ohmic contact)实现器件从漏极到源极的电流导通能力，由此能够在保证P‑GaN空穴注入效率的同时，避免器件本征导通电阻增大，从而提高器件开关速度，降低器件驱动损耗，提高器件可靠性。
一种氮化器件开关功率管驱动电路及其制作方法

[发明专利]功率器件、功率器件的制备方法、驱动电路及集成电路板-CN202180009730.6在审
发明人：唐高飞;侯召政 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种功率器件、功率器件的制备方法、驱动电路及集成电路板，用以解决顶层焊盘氧化导致的功率器件的导通电阻变大、导通电阻的批次不良的问题，使得功率器件的导通电阻回归正常值。其中，功率器件包括裸片，以及在裸片之上依次堆叠的第一顶层焊盘、第一氧化层、第一种子层和第一导电凸块，还包括在裸片之上依次堆叠的第二顶层焊盘、第二氧化层、第二种子层和第二导电凸块，第一顶层焊盘通过裸片与第二顶层焊盘连通。
功率器件制备方法驱动电路集成电路板

[发明专利]功率模组及其制造方法、转换器和电子设备-CN202080015410.7在审
发明人：骆文刚;侯召政;王军鹤 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种功率模组(10)及其制造方法，所述功率模组(10)包括功率组件(11)和驱动板(12)，所述功率组件(11)包括基板(111)、功率芯片(112)和封装体(113)，所述功率芯片(112)设于所述基板(111)的安装面(1110)，所述封装体(113)将所述功率芯片(112)封装于所述基板(111)上，所述驱动板(12)设于所述封装体(113)内并位于所述功率芯片(112)背向所述安装面(1110)的一侧，所述驱动板(12)和所述功率芯片(112)电连接。所述功率模组可以降低驱动板(12)和功率组件(11)之间的寄生参数，提高功率模组(10)的电性能。
功率模组及其制造方法转换器电子设备

[发明专利]一种氮化镓器件及其驱动电路-CN202080005528.1有效
发明人：黄伯宁;侯召政;蒋其梦 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化镓器件及其驱动电路。其中，该氮化镓器件包括：衬底(100)；形成在衬底(100)之上的氮化镓GaN缓冲层(200)；形成在GaN缓冲层(200)之上的铝氮化镓AlGaN势垒层(300)；以及，形成在AlGaN势垒层(300)之上的源极(S)、漏极(D)和栅极；其中，栅极包括形成在AlGaN势垒层(300)之上的P型掺杂氮化镓P‑GaN盖层(400)，以及形成在P‑GaN盖层(400)之上的第一栅极金属(M1)和第二栅极金属(M2)，第一栅极金属(M1)与P‑GaN盖层(400)之间形成肖特基接触，第二栅极金属(M2)与P‑GaN盖层(400)之间形成欧姆接触。氮化镓器件为常闭型器件，有利于驱动电路的设计；并且，氮化镓器件具备由肖特基栅极和欧姆栅极共同构成的混合栅极结构，因此既能够减小导通过程中的栅极漏电，从而降低驱动功耗，又能够在导通时向AlGaN势垒层大量注入空穴，优化动态电阻，从而提高器件可靠性。
一种氮化器件及其驱动电路

[发明专利]沟槽清洗方法和装置-CN202110316750.X在审
发明人：戴楼成;杨文韬;刘庆红;左慧玲;侯召政;黄伯宁 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开一种应用于晶圆沟槽的沟槽清洗方法包括：将晶圆固定，使有沟槽开口的晶圆面朝下；使用去离子水对开口朝下的沟槽进行冲洗。冲洗水流进入沟槽后，能够带动沟槽残留物从沟槽开口流出，从而有效清除沟槽残留物。本申请还提供一种能够实现上述沟槽清洗方法的沟槽清洗装置。
沟槽清洗方法装置

[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件-CN202110169971.9在审
发明人：王欣;侯召政;王弋宇;高云斌;胡飞;胡朗 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法和半导体器件，用于形成尺寸更小和均匀性更好的自对准沟道，降低半导体器件的导通电阻，从而，提升半导体器件的良品率并降低半导体器件的制造成本。在该方法中，用于形成阱区的阻挡层包括第一硬掩模和第二硬掩模，而用于形成源区的阻挡层仅包括其中的第一硬掩模，显然，用于形成源区的阻挡层的厚度小于用于形成阱区的阻挡层的厚度，即降低了用于形成源区的阻挡层的厚度，可以得到尺寸更小的侧墙，以便于形成尺寸更小和均匀性更好的自对准沟道。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]电路板-CN202011535522.3有效
发明人： 侯召政;廖小景;沈超;王东兴 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及电路板技术领域，实施例中提供一种具有良好散热性能的电路板，包括：作为电路板板体的基板，埋设在基板内部的发热器件，设置在基板内部的冷却液通道，冷却液通道经过发热器件的周围，以使冷却液通道内流通的冷却液与发热器件进行热交换，达到对发热器件进行散热的效果。该电路板通过将冷却液通道设置在电路板的内部，经过发热器件的周围，与发热器件进行热交换，缩短了散热路径，提高了散热效率，有利于电路板的快速散热，提高电路板的使用寿命。另外，将冷却液通道设置在电路板的内部，提高了电路板的集成度，也能够减小包含该电路板的电子设备的体积。
电路板

[发明专利]基于氮化镓芯片、芯片制备方法及氮化镓功率器件、电路-CN202080076794.3在审
发明人： 侯召政;王汉星;唐高飞 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2020-05-30 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片、氮化镓功率器件和电源驱动电路，其中，该芯片包括：衬底、设置于衬底上的多个氮化镓组件，多个氮化镓组件阵列排列；氮化镓组件包括分别设置于衬底上的有源区和非有源区，非有源区包围有源区的侧表面，有源区包括氮化镓层和氮化铝镓层形成的异质结，非有源区包括间隔设置的多个凹槽，该多个凹槽均贯穿非有源区并显露衬底，多个凹槽用于与每一个氮化镓组件相邻的氮化镓组件相隔离。
基于氮化芯片制备方法功率器件电路

[发明专利]芯片封装组件、电子设备及芯片封装组件的制作方法-CN202110845274.0在审
发明人：彭浩;廖小景;侯召政 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请公开一种芯片封装组件、电子设备及芯片封装组件的制作方法，芯片封装组件包括封装基板、芯片和散热部，封装基板包括上导电层、下导电层和连接在上导电层和下导电层之间的导电部；芯片包括相背设置的正面电极和背面电极，芯片内嵌在封装基板内，导电部包围芯片，正面电极与下导电层连接，背面电极与上导电层连接；散热部连接于上导电层远离芯片的表面；上导电层、下导电层和导电部均具导热性能。本申请通过设置芯片与封装基板的上导电层以及下导电层连接，从而芯片产生的热量可进行双向传导散热，并在上导电层上设置散热部，使得芯片封装组件能够达到更优的散热效果。
芯片封装组件电子设备制作方法

[发明专利]芯片封装组件的测试方法-CN202110742170.7在审
发明人： 侯召政;沈超;包琦龙 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请公开一种芯片封装组件的测试方法，包括：提供芯片封装组件，包括封装基板和埋设于封装基板内的芯片，封装基板的表面还设有至少一个线路层，线路层与芯片电连接；对线路层进行线间距和线宽测试，线路层包括多个线路，对每个线路的线宽以及多个线路之间的线间距进行测试；对线路层进行对准精度测试，当线路层为多个时，对多个线路层之间的对准精度进行测试；对线路层进行耐压能力测试；对线路层进行整体阻抗测试；对芯片封装组件进行接触电阻测试；对芯片封装组件进行层间结合力测试；对芯片封装组件进行粘结能力测试。通过上述测试方法，以有效提高芯片封装组件的稳定性，使得生产得到的芯片封装组件能够满足相应可靠性要求。
芯片封装组件测试方法

[发明专利]一种功率半导体器件、封装结构及电子设备-CN202110347525.2在审
发明人： 侯召政;高云斌;王弋宇;胡飞 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率半导体器件、封装结构及电子设备，用以减小功率半导体器件失效的风险。功率半导体器件包括：半导体衬底，半导体衬底掺杂有第一类型杂质；外延层，外延层掺杂有第一类型杂质，外延层设置于半导体衬底的一面，外延层背离半导体衬底的第一面设置有掺杂第二类型杂质的第一掺杂区，且外延层的第一面的周侧边缘具有划片道区；第一金属层，设置于外延层背离半导体衬底的一侧，第一金属层与外延层电性连接；第二金属层，设置于外延层背离半导体衬底的一侧，第二金属层位于第一金属层的边缘与划片道区之间的环形区域内；钝化层，钝化层为环形结构，钝化层覆盖第二金属层及部分第一金属层。
一种功率半导体器件封装结构电子设备

[实用新型]基板、电路板组件及电子设备-CN202022378744.0有效
发明人： 侯召政;彭浩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本申请提供一种基板、电路板组件及电子设备，该基板包括：基板本体以及设置在所述基板本体上的至少一个焊盘结构，所述焊盘结构包括焊盘部，所述焊盘部上具有凸台，且所述凸台在竖直方向上的投影区域位于所述焊盘部在竖直方向上的投影区域内，有助于改善焊接失效问题，并且能够在一定程度上提高焊点可靠性。
基板电路板组件电子设备

[发明专利]半导体器件及其制作方法、及电子设备-CN202110228786.2在审
发明人：杨文韬;王康;宋超凡;王梁浩;赵倩;戴楼成;侯召政;黄伯宁 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制作方法、及电子设备。半导体器件包括漂移区、第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构和第二电极结构位于漂移区的同侧。第一电极结构包括第一绝缘层和第一电极，第一绝缘层位于第一电极的外围，第二电极结构包括第二绝缘层和第二电极，第二绝缘层位于第二电极的外围，第一电极和第二电极之间设有缓冲结构，缓冲结构用于增加导通时载流子在漂移区的积累。本申请通过在第一电极和第二电极之间设置缓冲结构，缓冲了半导体器件导通时漂移区存储的载流子的流动，提高漂移区载流子的浓度，有利于降低半导体器件的导通压降。
半导体器件及其制作方法电子设备

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