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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电源电路和功率因数校正电路-CN201510334001.4有效
发明人： 今田忠纮;广濑达哉 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本公开提供了电源电路和功率因数校正电路，该电源电路包括开关元件和控制部。控制部将开关元件操作时产生的反电动势转换成光能并且将光能转换成电信号。此外，控制部基于通过转换光能获得的电信号来驱动开关元件。因此，与通过谐振重新产生浪涌能量的情况不同，不需要使用诸如电感器的谐振元件。因此，减小了电路规模。
电源电路功率因数校正

[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法-CN201180069251.X有效
发明人： 今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明的化合物半导体装置设有第1电极（3）、在第1电极（3）的上方形成的本征第1化合物半导体层（1）、在第1化合物半导体层（1）上形成且带隙比第1化合物半导体层（1）小的第2化合物半导体层（2）以及在第2化合物半导体层（2）的上方形成的第2电极（4）。
化合物半导体装置及其制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310570939.7无效
发明人：西森理人;今田忠纮;多木俊裕 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件包括第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层的上侧上的第二化合物半导体层，并且第二化合物半导体层的带隙大于第一化合物半导体层的带隙；形成在第二化合物半导体层的上侧上的p型第三化合物半导体层；形成在第二化合物半导体层的上侧上穿过第三化合物半导体层的电极；形成为在第二化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第四化合物半导体层，并且第四化合物半导体层的带隙小于第二化合物半导体层的带隙；以及形成为在第四化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第五化合物半导体层，并且第五化合物半导体层的带隙大于第四化合物半导体层的带隙。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]晶体管控制电路和电源装置-CN201310369671.0有效
发明人： 今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体管控制电路和电源装置，该晶体管控制电路包括：电极控制电路，被配置成向包括栅极和漏极之间的控制电极的晶体管中的该控制电极施加正电势。
晶体管控制电路电源装置

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310316261.X无效
发明人：西森理人;今田忠纮;多木俊裕 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件包括如下化合物半导体层：第一层；形成在第一层上方的第二层，其带隙大于第一层的带隙；形成在第二层上方的第三层，其具有p型导电类型；经由第三层形成在第二层上方的栅电极；形成在第二层上方的与第三层接触的第四层，其带隙大于第二层的带隙；以及形成在第四层上方的与第三层接触的第五层，其带隙小于第四层的带隙。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201210589857.2有效
发明人：西森理人;吉川俊英;今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件的一个实施方案包括：衬底；形成在衬底上的电子传输层；形成在电子传输层上的电子供给层；形成在电子供给层上的源电极和漏电极；形成在电子供给层上的在源电极和漏电极之间的栅电极；形成在电子供给层和栅电极之间的p型化合物半导体层；以及形成在电子供给层和p型化合物半导体层之间的包含n型杂质的化合物半导体层。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件、PFC电路、电源装置和放大器-CN201310073039.1有效
发明人： 今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-03-07 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件、PFC电路、电源装置和放大器。具体而言，一种具有晶体管区域和浪涌保护器区域的半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在晶体管区域中的第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极；形成在浪涌保护器区域中的第二半导体层上的浪涌保护器第一电极、浪涌保护器第二电极和浪涌保护器第三电极，其中源电极和浪涌保护器第二电极彼此连接，其中漏电极和浪涌保护器第三电极彼此连接，其中浪涌保护器第一电极形成在浪涌保护器第二电极和浪涌保护器第三电极之间，其中浪涌保护器第一电极和浪涌保护器第三电极之间的距离小于栅电极和漏电极之间的距离。
半导体器件 pfc 电路电源装置放大器

[发明专利]半导体器件及电源器件-CN201310006517.7无效
发明人： 今田忠纮;广濑达哉 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及电源器件。所述半导体器件包括：由引线和管芯台组成的引线框；GaN-HEMT，该GaN-HEMT设置在管芯台上并且具有在GaN-HEMT的后表面上的源电极，所述源电极连接至管芯台；以及MOS-FET，该MOS-FET设置在管芯台上并且具有在MOS-FET的后表面上的漏电极，所述漏电极连接至管芯台；其中GaN-HEMT的源电极与MOS-FET的漏电极经由管芯台而彼此共源共栅连接。
半导体器件电源器件

[发明专利]半导体装置-CN201080067573.6有效
发明人： 今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L27/095 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置。该半导体装置中设有：具备沿基板（1）的厚度方向层叠的电子渡越层（5）以及电子供给层（6）的晶体管；在基板（1）的上方与电子渡越层（5）以及电子供给层（6）平行地形成的电子渡越层（3）；与电子渡越层（3）肖特基接合的阳极电极（12a）；以及与电子渡越层（3）欧姆接合的阴极电极（13d）。阳极电极（12a）与晶体管的源极连接，阴极电极（13d）与晶体管的漏极连接。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210269176.8有效
发明人： 今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。一种AlGaN/GaN HEMT包括：化合物半导体多层结构、与化合物半导体多层结构的表面接触的插入金属层、形成在插入金属层上的栅极绝缘膜和形成在插入金属层上方的栅极，其中栅极绝缘膜介于栅极与插入金属层之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201210266879.5有效
发明人： 今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：具有第一极性的电子传输层、形成在电子传输层上方并且具有第二极性的p型盖层以及形成在p型盖层上的并且具有第一极性的n型盖层。n型盖层包括具有不同厚度的部分。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210348134.3无效
发明人： 今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一元件结构，第一元件结构包括：第一极性的电荷供给层；第二极性的电荷沟道层，电荷沟道层形成在电荷供给层上方并且包括凹陷部分；以及在电荷沟道层上方形成在凹陷部分中的第一电极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201210316979.4有效
发明人： 今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括衬底和设置在衬底之上的化合物半导体层，其中所述化合物半导体层包括第一区域，所述第一区域具有通过活化第一杂质所产生的第一导电型载流子，并且化合物半导体层还包括第二区域，所述第二区域具有与第一区域相比更低浓度的载流子，所述第二区域所具有的所述载流子是通过活化与第一杂质为相同类型的第二杂质产生的。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法-CN201080068051.8有效
发明人： 今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2010-07-14 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明中设有与化合物半导体层（102）绝缘且与电极（101）和化合物半导体层（103）相接的电极（109）。化合物半导体层（103）的晶格常数小于化合物半导体层（102）和化合物半导体层（104）的晶格常数，化合物半导体层（107）的晶格常数小于化合物半导体层（102）和化合物半导体层（107）的晶格常数。另外，化合物半导体层（103）的传导带的能量高于化合物半导体层（104）的传导带的能量。
化合物半导体装置及其制造方法

[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法-CN201080065567.7有效
发明人： 今田忠纮 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：在基板（1）上层叠形成有第一GaN层（2）、第一AlGaN层（3）、第二GaN层（4）、及第三GaN层（5），在形成于该层叠体的开口（10A）的侧面形成有第二AlGaN层（6）。以填埋绝缘膜（7）的电极沟（7a）的方式形成有栅极（8），在栅极（8）和第二AlGaN层（6）之间存在的绝缘膜（7）的部分（7c）作为栅绝缘膜起作用。在栅极（8）的上方形成有源极（11），在其下方形成有漏极（12）。利用该构成，实现如下可靠性高的纵型结构的HEMT：在不发生因使用p型化合物半导体所引起的各种问题的情况下，在可获得充分的高耐压、高输出的同时，可进行常关动作，可进行微细化。
化合物半导体装置及其制造方法

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