专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果44个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]制作衬底结构的方法-CN201711107811.1有效
  • 李镐珍;金石镐;文光辰;朴炳律;李来寅 - 三星电子株式会社
  • 2017-11-10 - 2023-10-17 - H01L21/02
  • 本发明提供一种通过使用晶片级工艺对衬底的斜面区进行修整而能够提高工艺再现性及工艺稳定性的制作衬底结构的方法。所述方法包括:提供第一衬底,所述第一衬底包括彼此相对的第一表面与第二表面、以及形成在所述第一表面的第一装置区;提供第二衬底,所述第二衬底包括彼此相对的第三表面与第四表面、以及位于所述第三表面的第二装置区;对所述第一衬底与所述第二衬底进行结合,以对所述第一装置区与所述第二装置区进行电连接;以及形成经修整的衬底。所述形成所述经修整的衬底包括蚀刻被结合到所述第一衬底的所述第二衬底的边缘区。
  • 制作衬底结构方法
  • [发明专利]半导体封装件-CN202310192515.5在审
  • 徐柱斌;朴秀晶;金石镐;文光辰 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-02 - 2023-09-05 - H01L23/48
  • 提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括:第一半导体衬底、在第一半导体衬底的上表面上的第一半导体元件层、在第一半导体元件层上的第一布线结构、连接至第一布线结构的第一连接焊盘、连接至第一布线结构的第一测试焊盘、连接至第一连接焊盘并且包括铜(Cu)的第一前侧键合焊盘、以及连接至第一前侧键合焊盘并且包括具有纳米孪晶晶体结构的铜(Cu)的第二前侧键合焊盘,所述纳米孪晶晶体结构与包括在第一前侧键合焊盘中的铜(Cu)的晶体结构不同,其中,第一前侧键合焊盘在水平方向上的宽度与第二前侧键合焊盘在水平方向上的宽度不同。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体器件-CN202310078272.2在审
  • 曹昭惠;文光辰;李镐珍 - 三星电子株式会社
  • 2023-01-19 - 2023-08-08 - H01L23/538
  • 一种半导体器件包括:具有突出的有源图案的第一半导体衬底;栅结构;有源图案中在栅结构一侧的源/漏区;源/漏区上的层间绝缘层;接触结构,穿过层间绝缘层连接到源/漏区;通孔结构,电连接到接触结构并穿过层间绝缘层和第一半导体衬底;第一接合结构,包括第一半导体衬底上的第一绝缘层和第一绝缘层中的第一连接焊盘;第一接合结构上的第二接合结构,包括接合到第一绝缘层的第二绝缘层以及在第二绝缘层中并接合到第一连接焊盘的第二连接焊盘;以及第二半导体衬底,设置在第二接合结构上。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202211475104.9在审
  • 全炯俊;文光辰 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-23 - 2023-06-06 - H01L25/065
  • 一种半导体器件,包括:第一半导体芯片,包括第一焊盘和第一绝缘层;以及第二半导体芯片,包括第二上焊盘、第二绝缘层、第二下焊盘以及将第二上焊盘和第二下焊盘彼此连接的贯通电极。该半导体器件包括:第三半导体芯片,包括第三上焊盘、上阻挡层、第三绝缘层、第三下焊盘、下阻挡层以及将第三上焊盘和第三下焊盘彼此连接的虚设电极结构。该半导体器件包括:密封物,在第一半导体芯片下方以密封第二半导体芯片和第三半导体芯片中的每一个的至少一部分,并覆盖第三下焊盘的侧表面。该半导体器件包括:凸块结构,在密封物以及第二半导体芯片和第三半导体芯片下方。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体封装件-CN202210876662.X在审
  • 徐柱斌;金石镐;文光辰 - 三星电子株式会社
  • 2022-07-25 - 2023-03-07 - H01L25/18
  • 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括结合在一起的第一半导体芯片和第二半导体芯片,其中,第一半导体芯片包括第一半导体基底、顺序地堆叠在第一半导体基底的第一表面上的第一半导体元件层和第一布线结构、在第一布线结构上的第一连接垫和第一测试垫以及连接到第一连接垫的第一前侧结合垫,其中,第二半导体芯片包括第二半导体基底,顺序地堆叠在第二半导体基底的第三表面上的第二半导体元件层和第二布线结构以及在第二半导体基底的第四表面上结合到第一前侧结合垫的第一后侧结合垫,并且其中,第一测试垫不电连接到第二半导体芯片。
  • 半导体封装
  • [发明专利]晶片到晶片接合结构-CN201710431549.X有效
  • 金兑泳;姜泌圭;金石镐;文光辰;李镐珍 - 三星电子株式会社
  • 2017-06-09 - 2022-12-06 - H01L23/538
  • 本发明公开了一种晶片到晶片接合结构,该晶片到晶片接合结构包括:第一晶片,包括在第一绝缘层中的第一导电焊垫和围绕第一导电焊垫的下表面和侧表面的第一阻挡层;第二晶片,包括在第二绝缘层中的第二导电焊垫和围绕第二导电焊垫的下表面和侧表面的第二阻挡层,第二晶片在反转之后接合到第一晶片使得第二绝缘层接合到第一绝缘层并且第二导电焊垫的上表面的至少一部分部分地或完全地接合到第一导电焊垫的上表面的至少一部分;以及第三阻挡层,在第一晶片和第二晶片之间的在该处第一导电焊垫和第二导电焊垫未彼此接合的部分中。
  • 晶片接合结构
  • [发明专利]集成电路器件以及包括该集成电路器件的半导体封装-CN202210423659.2在审
  • 李镐珍;文光辰;吴承河 - 三星电子株式会社
  • 2022-04-21 - 2022-11-15 - H01L23/498
  • 本发明提供一种集成电路器件和包括该集成电路器件的半导体封装,其中该集成电路器件包括:具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板;在半导体基板的第一表面上的第一绝缘层;电极落着焊盘,位于半导体基板的第一表面上并具有由第一绝缘层围绕的侧壁、与半导体基板的第一表面间隔开的顶表面以及与顶表面相反的底表面;以及贯通电极,配置为穿透半导体基板并接触电极落着焊盘的顶表面,其中电极落着焊盘的顶表面的水平宽度小于电极落着焊盘的底表面的水平宽度,并大于贯通电极的与电极落着焊盘的顶表面接触的底表面的水平宽度。
  • 集成电路器件以及包括半导体封装
  • [发明专利]半导体器件-CN202210112648.2在审
  • 黄载元;文光辰;李镐珍;全炯俊 - 三星电子株式会社
  • 2022-01-29 - 2022-11-11 - H01L23/48
  • 一种半导体器件包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有与有源层相邻的第一表面;第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述半导体衬底的所述第一表面上;第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上;蚀刻停止结构,所述蚀刻停止结构介于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间并且包括多个蚀刻停止层;接触布线图案,所述接触布线图案设置在所述第二绝缘层内部并且被所述多个蚀刻停止层中的至少一个蚀刻停止层围绕;以及贯通电极结构,所述贯通电极结构被构造为在垂直方向上穿过所述半导体衬底、所述第一绝缘层和所述多个蚀刻停止层中的至少一个蚀刻停止层并且接触所述接触布线图案。
  • 半导体器件
  • [发明专利]包括贯通孔结构的半导体器件-CN202210063164.3在审
  • 黄善宽;金泰成;罗勋奏;文光辰;全炯俊 - 三星电子株式会社
  • 2022-01-19 - 2022-09-30 - H01L23/522
  • 可以提供一种半导体器件,包括:半导体衬底;集成电路层,在半导体衬底上;第一至第n金属布线层(其中n为正整数),顺序堆叠在半导体衬底和集成电路层上;第一贯通孔结构,沿竖直方向从第一过孔连接金属布线层向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底,该第一过孔连接金属布线层是除第一金属布线层之外的第二至第n金属布线层之一;以及第二贯通孔结构,与第一贯通孔结构分开,沿竖直方向从第二过孔连接金属布线层向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底,该第二过孔连接金属布线层是除第一金属布线层之外的第二至第n金属布线层之一。
  • 包括贯通结构半导体器件
  • [发明专利]半导体封装-CN202111096279.4在审
  • 金镇南;金石镐;罗勋奏;文光辰 - 三星电子株式会社
  • 2021-09-17 - 2022-03-29 - H01L25/16
  • 一种半导体封装包括:包括第一半导体芯片在内的第一结构以及在所述第一结构上的第二结构。所述第二结构包括第二半导体芯片、在所述第二半导体芯片的侧面上并且与所述第二半导体芯片水平地间隔开的半导体图案、所述第二半导体芯片与所述半导体图案之间的绝缘间隙填充图案以及贯通电极结构。所述贯通电极结构中的至少一个贯通电极结构贯穿所述第二半导体芯片的至少一部分或贯穿所述半导体图案。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体器件和半导体封装件-CN202110549061.3在审
  • 徐柱斌;文光辰;朴建相;朴明珠;朴秀晶;黄载元 - 三星电子株式会社
  • 2021-05-19 - 2022-02-18 - H01L23/48
  • 提供了一种半导体器件和一种半导体封装件。所述半导体器件包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面;有源图案,所述有源图案从所述半导体衬底的所述第一表面突出,所述有源图案包括源极/漏极区;电源轨,所述电源轨电连接到所述源极/漏极区;电力配送网络,所述电力配送网络设置在所述半导体衬底的所述第二表面上;和穿透通路结构,所述穿透通路结构穿透所述半导体衬底并且电连接到所述电源轨和所述电力配送网络。所述穿透通路结构包括:第一导电图案,所述第一导电图案电连接到所述电源轨;和第二导电图案,所述第二导电图案电连接到所述电力配送网络。所述第一导电图案包括与所述第二导电图案不同的材料。
  • 半导体器件半导体封装

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top