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- [发明专利]半导体封装件-CN202310192515.5在审
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徐柱斌;朴秀晶;金石镐;文光辰
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三星电子株式会社
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2023-03-02
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2023-09-05
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H01L23/48
- 提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括:第一半导体衬底、在第一半导体衬底的上表面上的第一半导体元件层、在第一半导体元件层上的第一布线结构、连接至第一布线结构的第一连接焊盘、连接至第一布线结构的第一测试焊盘、连接至第一连接焊盘并且包括铜(Cu)的第一前侧键合焊盘、以及连接至第一前侧键合焊盘并且包括具有纳米孪晶晶体结构的铜(Cu)的第二前侧键合焊盘,所述纳米孪晶晶体结构与包括在第一前侧键合焊盘中的铜(Cu)的晶体结构不同,其中,第一前侧键合焊盘在水平方向上的宽度与第二前侧键合焊盘在水平方向上的宽度不同。
- 半导体封装
- [发明专利]半导体器件-CN202310078272.2在审
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曹昭惠;文光辰;李镐珍
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三星电子株式会社
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2023-01-19
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2023-08-08
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H01L23/538
- 一种半导体器件包括:具有突出的有源图案的第一半导体衬底;栅结构;有源图案中在栅结构一侧的源/漏区;源/漏区上的层间绝缘层;接触结构,穿过层间绝缘层连接到源/漏区;通孔结构,电连接到接触结构并穿过层间绝缘层和第一半导体衬底;第一接合结构,包括第一半导体衬底上的第一绝缘层和第一绝缘层中的第一连接焊盘;第一接合结构上的第二接合结构,包括接合到第一绝缘层的第二绝缘层以及在第二绝缘层中并接合到第一连接焊盘的第二连接焊盘;以及第二半导体衬底,设置在第二接合结构上。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件-CN202211475104.9在审
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全炯俊;文光辰
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三星电子株式会社
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2022-11-23
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2023-06-06
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H01L25/065
- 一种半导体器件,包括:第一半导体芯片,包括第一焊盘和第一绝缘层;以及第二半导体芯片,包括第二上焊盘、第二绝缘层、第二下焊盘以及将第二上焊盘和第二下焊盘彼此连接的贯通电极。该半导体器件包括:第三半导体芯片,包括第三上焊盘、上阻挡层、第三绝缘层、第三下焊盘、下阻挡层以及将第三上焊盘和第三下焊盘彼此连接的虚设电极结构。该半导体器件包括:密封物,在第一半导体芯片下方以密封第二半导体芯片和第三半导体芯片中的每一个的至少一部分,并覆盖第三下焊盘的侧表面。该半导体器件包括:凸块结构,在密封物以及第二半导体芯片和第三半导体芯片下方。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体封装件-CN202210876662.X在审
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徐柱斌;金石镐;文光辰
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三星电子株式会社
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2022-07-25
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2023-03-07
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H01L25/18
- 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括结合在一起的第一半导体芯片和第二半导体芯片,其中,第一半导体芯片包括第一半导体基底、顺序地堆叠在第一半导体基底的第一表面上的第一半导体元件层和第一布线结构、在第一布线结构上的第一连接垫和第一测试垫以及连接到第一连接垫的第一前侧结合垫,其中,第二半导体芯片包括第二半导体基底,顺序地堆叠在第二半导体基底的第三表面上的第二半导体元件层和第二布线结构以及在第二半导体基底的第四表面上结合到第一前侧结合垫的第一后侧结合垫,并且其中,第一测试垫不电连接到第二半导体芯片。
- 半导体封装
- [发明专利]半导体器件-CN202210112648.2在审
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黄载元;文光辰;李镐珍;全炯俊
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三星电子株式会社
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2022-01-29
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2022-11-11
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H01L23/48
- 一种半导体器件包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有与有源层相邻的第一表面;第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述半导体衬底的所述第一表面上;第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上;蚀刻停止结构,所述蚀刻停止结构介于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间并且包括多个蚀刻停止层;接触布线图案,所述接触布线图案设置在所述第二绝缘层内部并且被所述多个蚀刻停止层中的至少一个蚀刻停止层围绕;以及贯通电极结构,所述贯通电极结构被构造为在垂直方向上穿过所述半导体衬底、所述第一绝缘层和所述多个蚀刻停止层中的至少一个蚀刻停止层并且接触所述接触布线图案。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件和半导体封装件-CN202110549061.3在审
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徐柱斌;文光辰;朴建相;朴明珠;朴秀晶;黄载元
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三星电子株式会社
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2021-05-19
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2022-02-18
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H01L23/48
- 提供了一种半导体器件和一种半导体封装件。所述半导体器件包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面;有源图案,所述有源图案从所述半导体衬底的所述第一表面突出,所述有源图案包括源极/漏极区;电源轨,所述电源轨电连接到所述源极/漏极区;电力配送网络,所述电力配送网络设置在所述半导体衬底的所述第二表面上;和穿透通路结构,所述穿透通路结构穿透所述半导体衬底并且电连接到所述电源轨和所述电力配送网络。所述穿透通路结构包括:第一导电图案,所述第一导电图案电连接到所述电源轨;和第二导电图案,所述第二导电图案电连接到所述电力配送网络。所述第一导电图案包括与所述第二导电图案不同的材料。
- 半导体器件半导体封装
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