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[发明专利]金属导体结构及线路结构-CN201510958146.1有效
发明人：蔡苑铃;姜颖容;余俊璋 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明公开一种金属导体结构及线路结构。所述金属导体结构，包括第一金属导体层、第二金属导体层以及第三金属导体层。其中第一金属导体层由第一高分子材料与第一金属粒子所组成；第二金属导体层覆盖在第一金属导体层上，且第二金属导体层是由第二金属粒子所组成的具有孔隙的结构；第三金属导体层覆盖在第二金属导体层上，且第三金属导体层的金属材料填充在第二金属导体层的孔隙中所述线路结构包括绝缘基板或高分子基板以及上述金属导体结构，其中上述金属导体结构形成在绝缘基板上或内埋在所述高分子基板。
金属导体结构线路

[发明专利]PCB板加工方法、PCB板及电子设备-CN202211405728.3在审
发明人：胡云杰;陈熙;梁才远;周渊;王亮 -专利权人：深南电路股份有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种PCB板加工方法、PCB板及电子设备，该PCB板加工方法，包括：在基板上加工外导体金属层；在外导体金属层内填充第一绝缘介质层；在第一绝缘介质层上加工内导体金属层，内导体金属层和外导体金属层同轴设置；在内导体金属层内填充第二绝缘介质层；在第二绝缘介质层的表面电镀用于实现信号连接的第一金属层，得到包括同轴电缆的PCB板。通过调整内导体金属层与外导体金属层之间的第一绝缘介质层厚度，便能够满足一些要求内导体金属层与外导体金属层的间隔距离较小的应用场景，同时使得同轴电缆的内导体金属层在传输信号时，外导体金属层能够全面对内导体金属层进行屏蔽，提高对同轴电缆的内导体金属层的屏蔽性能。
pcb 加工方法电子设备

[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法-CN202210857220.0在审
发明人：郑大伟;陆磊;张盛东;王云萍;严建花;蔡泽宇 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括第一金属层、半导体层、第二金属层、钝化层以及金属侧墙；第一金属层形成在衬底上，第一金属层为高功函数金属；半导体层形成在第一金属层上，或者半导体层部分形成在第一金属层上且部分形成在衬底上；金属侧墙与半导体层的侧壁接触，金属侧墙为高功函数金属，金属侧墙与半导体层之间形成肖特基接触；钝化层覆盖金属侧墙、半导体层以及第一金属层；第二金属层与半导体层之间形成欧姆接触，第二金属层为低功函数金属。通过在半导体层的侧壁上设置金属侧墙，利用金属侧墙与半导体层之间肖特基接触，将半导体层的侧壁耗尽，削弱边缘电场，从而降低反向加压时漏电的情况。
一种肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510849120.3有效
发明人：右田达夫;小木曾浩二 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备第1半导体基板、第2半导体基板、第1金属层、第2金属层、第3金属层、第1合金层、以及第2合金层。第1半导体基板与第2半导体基板相互对向。第1金属层设置在第1半导体基板的第2半导体基板侧。第2金属层设置在第2半导体基板的第1半导体基板侧。第3金属层配置在第1金属层与第2金属层之间。第1合金层配置在第1金属层与第3金属层之间，且包含第1金属层的成分与第3金属层的成分。第2合金层配置在第2金属层与第3金属层之间，且包含第2金属层的成分与第3金属层的成分。第1及第2金属层的至少一方为中央部相比其周缘部而向远离第3金属层的方向凹陷。
金属层半导体基板第1金属层合金层半导体装置金属层配置中央部周缘部凹陷对向配置制造

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202210864310.2在审
发明人：杨谨嘉;陈文斌;陈祖伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括：基板、第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管设置于基板之上，且包括第一金属氧化物半导体层。第二晶体管设置于基板之上，且包括第二金属氧化物半导体层及第三金属氧化物半导体层。第三金属氧化物半导体层直接叠置于第二金属氧化物半导体层上。第二金属氧化物半导体层与第一金属氧化物半导体层属于相同膜层。第一金属氧化物半导体层的氧浓度低于第二金属氧化物半导体层的氧浓度，且第二金属氧化物半导体层的氧浓度低于第三金属氧化物半导体层的氧浓度。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]集成电路布图结构-CN201810967221.4在审
发明人：赵奂 -专利权人：湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路布图结构，包括传导半导体器件和被传导半导体器件，传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层，该传导金属层与传导半导体器件其他金属层通过接触孔连接，该传导金属层与被传导半导体器件无接触。本发明的布图结构能在满足集成电路布图最小物理规则前提下，使相邻半导体器件满足温度耦合或感应要求。
半导体器件传导金属层传导金属层集成电路布图相邻半导体器件覆盖金属层布图结构物理规则接触孔无接触耦合延伸覆盖

[实用新型]集成电路布图结构-CN201821363910.6有效
发明人：赵奂 -专利权人：湖南格兰德芯微电子有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成电路布图结构，包括传导半导体器件和被传导半导体器件，传导半导体器件的至少一层金属层向被传导半导体器件延伸插入或覆盖被传导半导体器件的至少一层金属层，传导半导体器件延伸金属层是传导金属层，被传导半导体器件被插入金属层或被覆盖金属层是被传导金属层，该传导金属层与传导半导体器件其他金属层通过接触孔连接，该传导金属层与被传导半导体器件无接触。本实用新型的布图结构能在满足集成电路布图最小物理规则前提下，使相邻半导体器件满足温度耦合或感应要求。
半导体器件传导金属层传导金属层集成电路布图本实用新型相邻半导体器件覆盖金属层布图结构物理规则接触孔无接触耦合延伸覆盖

[发明专利]介质层形成方法和金属层平整化方法-CN200710044810.7无效
发明人：蓝受龙;易义军;高莺 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种介质层形成方法，包括：提供半导体基底；形成覆盖所述半导体基底的金属层；对形成金属层后的半导体基底执行热处理操作；形成介质层，所述介质层覆盖热处理后的金属层和半导体基底。可减少所述介质层内针孔缺陷的产生。一种金属层平整化方法，包括：提供半导体基底；形成覆盖所述半导体基底的金属层；平整化所述金属层；对已形成金属层的所述半导体基底执行热处理操作。可增强所述金属层与后续金属层及外界的互连效果。
介质形成方法金属平整

[实用新型]可恢复式感温电缆-CN202020396572.7有效
发明人：李磊 -专利权人：唐山微睿联信息技术有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01B7/32 文献下载
摘要：本实用新型提供可恢复式感温电缆，所述可恢复式感温电缆由第一金属弹性导体、第二金属弹性导体以及第三金属弹性导体组成，所述第一金属弹性导体与第二金属弹性导体的外部均首先包裹一层热敏材料层，在热敏材料层的基础上再包裹一层导电层，所述第三金属弹性导体外无包裹层，将包裹了热敏材料层和导电层的第一金属弹性导体和第二金属弹性导体与无包裹的第三金属弹性导体相互绞合，绞合后在第一金属弹性导体、第二金属弹性导体以及第三金属弹性导体的外部包裹一层防护膜层本实用新型在温度升高时只有热敏材料层会发生软化，导电，层不发生变化，且当温度降低时热敏材料层又会恢复塑化状态，不影响感温电缆的精度。
可恢复式感温电缆

[实用新型]一种硅橡胶绝缘电线-CN201821883682.5有效
发明人：章志伟;张红萍;华叔林;潘申珍;宗华平 -专利权人：江苏银锡高温线缆有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01B7/17 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅橡胶绝缘电线，包括橡胶防水保护层，橡胶防水保护层的内部一侧固定设置有海绵保护层，海绵保护层远离橡胶防水保护层一侧固定设置有塑料编织物保护层，塑料编织物保护层内部远离海绵保护层一侧固定设置有隔氧保护层，隔氧保护层内部远离塑料编织物保护层一侧固定填充有硅橡胶，塑料编织物保护层中部靠近硅橡胶一侧分别固定设置有第一金属导体、第二金属导体、第三金属导体、第四金属导体、第五金属导体和第六金属导体，第一金属导体、第二金属导体、第三金属导体、第四金属导体、第五金属导体和第六金属导体的外表面均固定设置有金属导体屏蔽层。
金属导体保护层固定设置硅橡胶塑料编织物海绵保护层橡胶防水本实用新型隔氧保护层绝缘电线硅橡胶电缆屏蔽层绝缘填充

[发明专利]一种有源层结构、制造方法以及半导体器件-CN202310492020.4在审
发明人：陆磊;李潇;张盛东;王新炜 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种有源层结构、制造方法以及半导体器件，有源层结构包括：至少一层非晶金属氧化物半导体层以及至少一层多晶金属氧化物半导体层；非晶金属氧化物半导体层与多晶金属氧化物半导体层交替堆叠设置；其中，多晶金属氧化物半导体层的层数大于或等于非晶金属氧化物半导体层的层数本申请可以提高有源层的迁移率，有源层结构解决了非晶金属氧化物半导体材料迁移率不够高的问题，提升了非晶金属氧化物半导体材料迁移率的极限，提高非晶金属氧化物半导体器件的载流子迁移率。
一种有源结构制造方法以及半导体器件

[发明专利]用于滤波器的固体介质及其表面金属化工艺和介质滤波器-CN201911257948.4有效
发明人：庞新锋;伍隽;闫松凌;蒋金瑞;闵祥会;苏柯铭 -专利权人：深圳顺络电子股份有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于滤波器的固体介质，包括固体介质本体，其特征在于，还包括设置在所述固体介质本体表面的导体结构，所述导体结构至少包括用于信号传输的第一导体金属层和用于表面焊接层的第二导体金属层；所述第一导体金属层位于固体介质本体表面；所述第二导体金属层位于第一导体金属层表面；所述第一导体金属层与第二导体金属层为不同金属材料的导体层。本发明还公开了一种固体介质的表面金属化工艺以及介质滤波器。本发明所述的固体介质通过设置多层导体层结构，实现多种金属可替换，降低成本的同时保护实际用于信号传输的导体层不受损坏，保证固体介质的信号传输性能。
用于滤波器固体介质及其表面金属化工艺

[发明专利]薄膜晶体管、显示基板和薄膜晶体管的制备方法-CN202210423517.6在审
发明人：张合静;刘振;杨帆;许哲豪;李荣荣 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜晶体管、显示基板和薄膜晶体管的制备方法，薄膜晶体管包括依次设置的缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、源极金属层、漏极金属层以及钝化层，栅极金属层、源极金属层和漏极金属层间隔设置，有源层包括至少两个导体部和一个第一半导体部，两个导体部分别设置在第一半导体部的两端，并与第一半导体部电连接；栅极金属层的投影覆盖第一半导体部，源极金属层和漏极金属层分别通过栅极绝缘层的第一过孔和第二过孔与对应的两个导体部连接本申请将设置导体部和半导体部以形成有源层，不需要对半导体层进行离子轰击以得到导体化的半导体层，避免导体化的半导体层的电阻大，导致开态电流不够，引起显示不均。
薄膜晶体管显示制备方法

[实用新型]一种交联聚乙烯绝缘电力电缆-CN201520386308.4有效
发明人：张士信;张宁;王恒 -专利权人：重庆宝丰线缆有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01B9/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种交联聚乙烯绝缘电力电缆，包括金属导体、半导体金属屏蔽层、自交联聚乙烯绝缘层、半导体绝缘屏蔽层、金属屏蔽层，金属导体外表面挤包导体金属屏蔽层，半导体金属屏蔽层外挤包自交联聚乙烯绝缘层，自交联聚乙烯绝缘层外挤包半导体绝缘屏蔽层，半导体绝缘屏蔽层外绕包金属屏蔽层。本实用新型提供的交联聚乙烯绝缘电力电缆，半导体金属屏蔽层能够避免因电缆绝缘表面裂纹等缺陷而与金属护套发生局部放电，自交联聚乙烯绝缘层和半导体绝缘屏蔽层绝缘可靠性较强且具有良好的物理机械性能和环境适应能力，金属屏蔽层主要起到屏蔽电场的作用，减少工艺流程，节省生产时间，降低生产成本，延长电缆的使用寿命。
一种交联聚乙烯绝缘电力电缆

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810926077.X在审
发明人：川城史义 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体芯片，其具有半导体层和设置于半导体层上的电极；以及接合线，其与电极连接，电极具有包含铜的第1金属层、设置于第1金属层与半导体层之间且包含铝的第2金属层、以及设置于第1金属层与第2金属层之间且与第1金属层及第2金属层不同的材料的第3金属层，第1金属层的厚度比第2金属层的厚度及第3金属层的厚度厚。
金属层第1金属层半导体装置半导体层电极半导体芯片电极连接厚度比接合线制造

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