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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]芯片、其制备方法及电子设备-CN202210391100.6在审
发明人：黄伟川;陈东奇;谢雨思;林军 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片、其制备方法及电子设备。在金属填充层和第一金属层之间插入第二金属层，可以简化选择性生长金属填充层之前的预处理工艺，在形成通孔后且未选择性生长金属填充层前仅需进行氧气等离子体处理，去除通孔内壁在刻蚀过程中产生的悬挂键和刻蚀副产物，针对第二金属层在氧气等离子体处理过程中被氧化的连接区，通过选择性生长金属填充层时预先在高温下通入的反应气体，可以还原第二金属层被氧化的连接区，替代现有的在选择性生长金属填充层前的氢气等离子体处理，减少了氧气等离子体处理和氢气等离子体处理之间平衡的问题，提高了选择性生长金属填充层在第二金属层和第二介质层之间的选择性，提升了金属填充层的选择性生长品质。
芯片制备方法电子设备

[发明专利]纳米晶氮化硼膜、图像传感器、和电场效应晶体管-CN202310469579.5在审
发明人：崔太镇;金玟秀;申铉石;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社;蔚山科学技术院
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及纳米晶氮化硼膜、图像传感器、和电场效应晶体管。公开了具有相对低的介电常数和优异的机械性质的纳米晶氮化硼膜。所述纳米晶氮化硼膜包括具有在5nm至100nm范围内的尺寸的多个纳米晶氮化硼晶体，所述纳米晶氮化硼膜在100kHz工作频率下具有在2.5至5.5的范围内的介电常数，和所述纳米晶氮化硼膜具有1GPa至10GPa的硬度。
纳米氮化图像传感器电场效应晶体管

[发明专利]锡-锌微凸块结构及其制作方法-CN201780050271.X有效
发明人： S.C.J.查瓦利;A.E.舒克曼;李圭伍 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：用于提供与集成电路封装衬底上的表面水平微凸块的有效连接的技术和机制。在一实施例中，以各种方式电镀不同金属，以形成延伸通过衬底的表面水平电介质到包括铜的种子层的微凸块。所述微凸块包括通过促进微量成分在所述微凸块中的形成而减轻残余铜的沉淀的锡和锌的组合。在另一实施例中，所述微凸块具有锌的质量分数或锡的质量分数，其在沿所述微凸块的高度的各种区中不同。
锌微凸块结构及其制作方法

[发明专利]基于ALN的混合式结合-CN202310396318.5在审
发明人：文用泰;斯蒂芬·鲁特格恩;雷胜辉 -专利权人：元平台技术有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及基于ALN的混合式结合。一种微型发光二极管器件包括背板和微型发光二极管阵列，该背板包括驱动电路和第一结合层，该微型发光二极管阵列包括半导体台面结构阵列和第二结合层。第一结合层包括第一介电层和第一金属互连件，第一金属互连件至少部分地位于第一介电层中，并且电连接到驱动电路。第二结合层包括第二介电层和第二金属互连件，第二金属互连件至少部分地位于第二介电层中，并且电连接到半导体台面结构阵列。第一结合层结合到第二结合层。第一介电层或第二介电层中的至少一者包括第一介电材料，第一介电材料的特性在于其热导率在室温下大于50W/(m·K)，第一介电材料例如是氮化铝。
基于 aln 混合式结合

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310189133.7在审
发明人：金银贞;金智勋;李宪周 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：衬底，其具有单元区和外围区；晶体管，其在衬底之上在外围区中；下层间绝缘层，其在晶体管之间；在晶体管和下层间绝缘层之上的互连部和第一间隔物层；上层间绝缘层，其在互连部和第一间隔物层之上。第一间隔物层被设置在互连部之间。第一间隔物层包括第一下间隔物层和在第一下间隔物层之上的第一上间隔物层。第一下间隔物层和第一上间隔物层包括硅、硼和氮。第一下间隔物层的硼浓度与第一上间隔物层的硼浓度不同。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]集成芯片-CN202320998641.5有效
发明人：刘建宏;黄国钦;庄学理;吴伟成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本实用新型与集成芯片相关，集成芯片包括覆盖衬底的第一介电层和在第一介电层内的第一导电互连线。接合层在第一介电层上方。接合层包括接合介电层和在接合介电层中的接合互连线。第一带电介电层在沿第一介电层的底部。第二带电的介电层在沿第一介电层的顶部。第一带电介电层和第二带电介电层具有相同的极性。
集成芯片

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201880096617.4有效
发明人：王新胜;张莉;张高升;万先进;华子群;王家文;丁滔滔;朱宏斌;程卫华;杨士宁 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底；位于所述第一基底表面的第一粘附层；位于所述第一粘附层表面的第一键合层，所述第一粘附层的致密度大于所述第一键合层的致密度。所述半导体结构的第一粘附层与所述第一基底以及第一键合层之间具有较高的粘附性，有利于提高半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子设备-CN202210148639.9在审
发明人：徐康元;王桂磊;孔真真;白国斌;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体制作技术领域，通过处理碳氮化硅层形成垂直接触孔，避免导电配线出现空隙或键孔现象，以提升半导体器件的工作性能。该半导体器件包括衬底；形成在所述衬底上的自下而上层叠设置的层间介质层和碳氮化硅层；所述碳氮化硅层和所述层间介质层中形成有连通的接触孔，所述接触孔的侧壁垂直于所述衬底；以及形成在所述接触孔内的导电配线。本发明还提供一种半导体器件的制作方法。该半导体器件应用在电子设备中。
一种半导体器件及其制作方法电子设备

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202210147400.X在审
发明人：金志勋;高建峰;杨涛;李俊峰;刘卫兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，通过形成在金属互连层内的应力抵消层来抑制基底和金属互连层翘曲，从而防止基底和金属互连层在后续半导体制造工艺中破碎，便于半导体制造工艺的进行。所述半导体器件包括基底、金属互连层和应力抵消层。基底包括外围区和单元区。金属互连层形成在基底上，金属互连层覆盖外围区和单元区。应力抵消层形成在相应金属互连层内。应力抵消层用于抑制基底和金属互连层翘曲。所述半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案所提供的半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法、存储器-CN202310775808.6在审
发明人：吴爱明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开涉及半导体领域，提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器。半导体结构包括：多条金属连线，沿第一方向延伸，第一方向垂直竖直方向；第一沟槽和第二沟槽，沿第二方向间隔排布，位于相邻的两条金属连线之间，第一沟槽的深宽比小于第二沟槽的深宽比，第二方向垂直第一方向；介质层，位于多条金属连线、第一沟槽和第二沟槽上，并且，介质层延伸至第一沟槽和第二沟槽内，覆盖第一沟槽和第二沟槽的侧壁；第一空气隙，位于介质层和第一沟槽之间，第二空气隙，位于介质层和第二沟槽之间；其中，在垂直第一方向的截面上，第一空气隙和第二空气隙的截面积相等。
一种半导体结构及其制造方法存储器

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201880096616.X有效
发明人：王新胜;张莉;张高升;万先进;华子群;王家文;丁滔滔;朱宏斌;程卫华;杨士宁 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底；位于所述第一基底表面的第一键合层，所述第一键合层的材料为包含C元素的介质材料，所述第一键合层背向所述第一基底的表层的C原子浓度大于或等于35％。所述半导体结构在的第一键合层在键合时能够提高键合强度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202310342024.4在审
发明人：张明堂 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底；介质层，介质层位于基底上，介质层中具有贯穿介质层的通孔，通孔包括相连通的连接孔以及沟槽，连接孔位于沟槽与基底之间，且沟槽的宽度大于连接孔的宽度；支撑层，支撑层至少覆盖沟槽的侧壁，且支撑层的相对介电常数大于介质层的相对介电常数；金属层，金属层位于支撑层的侧面且填充满连接孔以及沟槽。至少可以减少半导体结构被击穿的问题。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]具有高导电率及低互电容的位线及相关设备、计算系统及方法-CN202211672513.8在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;D·R·埃科诺米;J·D·霍普金斯;J·D·格林利;M·K·拉玛萨哈亚米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开具有高导电率及低互电容的位线及相关设备、计算系统及方法。一种设备包含电绝缘材料及所述电绝缘材料中包含铜的位线。所述电绝缘材料界定所述位线之间的气隙。一种制造存储器装置的方法包含：在所述存储器装置的电路系统上或中的电绝缘材料中形成沟槽；在所述沟槽中形成第一导电材料；移除所述电绝缘材料的部分以在所述沟槽之间形成气隙；使所述第一导电材料凹进；以及用第二导电材料替换所移除的所述第一导电材料。所述第二导电材料比所述第一导电材料更导电。一种存储器装置包含所述设备。一种计算系统包含所述存储器装置。
具有导电电容相关设备计算系统方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202180069841.6在审
发明人：山口秀范;阿佐直俊介;香下胜美;西村茂治 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种半导体装置包含第一层和第二层，所述第一层包含以线和间隔布局布置的多个布线且所述第二层包含电连接到所述布线中的至少一者的衬垫，其中所述布线和所述衬垫通过不同的光刻工艺图案化。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211175947.7在审
发明人：黄世罗 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：电介质结构，在电介质结构中，刻蚀停止结构和低k层交替地堆叠在衬底之上；以及在电介质结构中的金属互连，金属互连电连接至衬底，其中，刻蚀停止结构中的每一个包括：包括氢阻挡材料的第一刻蚀停止层；以及形成在第一刻蚀停止层之上的第二刻蚀停止层。
半导体器件及其制造方法

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