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[发明专利]感测装置-CN202110771647.4有效
发明人： 高逸群 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06V40/13 文献下载
摘要：一种感测装置，包括发光面板以及感测像素阵列结构。发光面板适于发出第一波形的初始光。感测像素阵列结构包含多个第一感测像素结构以及至少一第二感测像素结构。第一感测像素结构以第一波形的初始光作为第一感测光提供给第一感测元件感测。第一感测像素结构占整体感测像素阵列结构的配置面积比例为90％以上但未达100％。第二感测像素结构包括第二感测元件以及光转换层。第二感测像素结构适于将第一波形的初始光调整成具有第二波形的第二感测光以提供给第二感测元件感测。
装置

[发明专利]感测装置-CN202110767713.0有效
发明人： 高逸群;吕诗桦;丘兆仟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06V40/13 文献下载
摘要：一种感测装置，包括感测结构层、第一有机层、第一遮光图案、第二有机层、第二遮光图案、第三有机层、第三遮光图案以及多个微透镜。第一有机层位于感测结构层上且具有第一开口。第一遮光图案位于第一有机层上。第一有机层位于第一遮光图案上且具有第二开口，其中第二开口与第一开口沿基板的法线方向于基板上的投影的重叠率小于10％。第二遮光图案位于第二有机层上。第三有机层位于第二遮光图案上。第三遮光图案位于第三有机层上。多个微透镜位于第三有机层上。
装置

[发明专利]触控面板及其制造方法-CN202010663312.6有效
发明人：金鸿杰;张轩满;叶佳锜;鄞闵慧;高逸群;黄彦衡 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：在此揭示一种触控面板及其制造方法，该触控面板包括至少一导线，该导线由至少一导线高阻抗部以及至少一导线低阻抗部所组成；其中，该导线高阻抗部之薄膜电阻大于该导线低阻抗部之薄膜电阻，藉此可避免触控面板周边线路遭受弯折破坏的情形。
面板及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201680078714.1有效
发明人： 高逸群;林欣桦;施博理;张炜炽;陆一民;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-12-10 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种半导体器件包括设置在基底(101)上并定义复合侧面蚀刻轮廓的多层结构。所述多层结构包括设置在基底(101)上且包含含有铟和锌的金属氧化物材料的下子层(105‑1)，所述下子层(105‑1)中的铟和锌含量基本上定义了第一铟与锌含量比；设置在所述下子层上且包含金属材料的中间子层(105‑2)；设置在所述中间子层(105‑2)上且包含含有铟和锌的金属氧化物材料的上子层(105‑3)，所述上子层(105‑3)中铟对锌的含量基本上定义小于所述第一铟与锌含量比的第二铟与锌含量比；以及形成在侧面蚀刻表面上的侧面副产物层，其基本上包含所述中间子层(105‑2)中的金属材料的金属氧化物。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]垂直腔面发射激光器制备方法及垂直腔面发射激光器-CN202111071932.1在审
发明人：向宇;赖铭智;高逸群;岳光礼;许聪基 -专利权人：苏州长瑞光电有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器制备方法。本发明方法包括：在衬底上的层结构中蚀刻沟槽以形成被所述沟槽分隔出的柱状主动区平台的步骤，以及对所述柱状主动区平台进行侧壁氧化以在所述柱状主动区平台内形成氧化孔的步骤；所述沟槽为非闭合沟槽，所述柱状主动区平台与沟槽外的层结构之间具有至少一处连接部；所形成氧化孔的横截面形状呈边缘为平滑曲线的非圆形。本发明还公开一种垂直腔面发射激光器。相比现有技术，本发明可以极低的成本和代价同时实现垂直腔面发射激光器高速传输性能和可靠性的大幅提高。
垂直发射激光器制备方法

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器快速老化方法及装置-CN202010406606.0有效
发明人： 高逸群;许聪基;向宇;岳光礼 -专利权人：苏州长瑞光电有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器快速老化方法，对晶圆上的各垂直腔面发射激光器分别进行单次大电流脉冲老化与光老化相组合的组合老化；所述单次大电流脉冲老化具体为：对垂直腔面发射激光器施加脉冲宽度不大于0.5ms，电流大小为Ith+Is的电流脉冲，Ith为所述垂直腔面发射激光器的阈值电流，Is的取值范围为45mA～60 mA；所述光老化具体为：对垂直腔面发射激光器施加5‑12小时的光老化驱动电流，所述光老化驱动电流为所述垂直腔面发射激光器的发光功率—电流的变化曲线上发光功率增大至最高点的80‑90%所对应的电流。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器快速老化装置。本发明在确保能提前发现各类型缺陷芯片，从而降低用户使用风险的同时，还可大幅降低老化成本。
一种垂直发射激光器快速老化方法装置

[发明专利]制备导电结构和薄膜晶体管阵列面板的方法-CN201680078691.4有效
发明人：林欣桦;施博理;高逸群;万昌峻;张炜炽;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-12-10 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种在基底上提供导电结构的方法，其包括：在基底上设置下子层，所述下子层包含含有铟和锌的导电金属氧化物材料，其中底部子层中的铟和锌含量基本上定义第一铟与锌含量比；在所述下子层的暴露表面上进行第一次氢处理以在其中引入氢含量；在所述下子层上设置中间子层，所述中间子层包含金属材料；在所述中间子层上设置上子层，所述上子层包含含有铟和锌的导电金属氧化物材料，其中所述上子层中的铟和锌含量基本上定义小于所述第一铟与锌的含量比的第二铟与锌含量比；以及图案化所述多层导电结构以形成复合侧面蚀刻轮廓。
制备导电结构薄膜晶体管阵列面板方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器芯片筛选方法及装置-CN201911163132.5有效
发明人：赖铭智;高逸群;向宇;许聪基;岳光礼 -专利权人：苏州长瑞光电有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B07C5/344 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器芯片筛选方法。该方法包括对垂直腔面发射激光器芯片进行老化筛选的步骤；在所述老化筛选之前，先对垂直腔面发射激光器芯片进行预筛选，具体方法如下：用直流电流脉冲对垂直腔面发射激光器芯片进行循环冲击，并在冲击完成后通过性能测试将失效芯片剔除；所述直流电流脉冲的电流大小为Ith+S，脉冲宽度为50ms～200ms，Ith为所述垂直腔面发射激光器芯片的阈值电流，S的取值范围为20mA～40 mA。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器芯片筛选装置。本发明可有效剔除现有技术难以完全剔除的存在芯片量子阱区域内的黑色线缺陷和氧化层裂纹缺陷的不良芯片，从而大幅降低老化筛选的漏筛率并提高老化筛选的效率。
垂直发射激光器芯片筛选方法装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN201610814409.6有效
发明人：林欣桦;施博理;高逸群;万昌峻;张炜炽;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：在通道层上形成包含铟和锌的金属氧化物的第一子层；形成包含金属的第二子层覆盖于所述第一子层上；形成包含铟和锌的金属氧化物的第三子层覆盖于所述第二子层上；所述第一子层、第二子层和第三子层蚀刻形成一凹槽贯穿所述第一子层、第二子层和第三子层,以形成通过凹槽得以间隔的源极与漏极；沿第三子层指向第一子层的方向，该凹槽的尺寸逐渐变小。
薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法及半导体装置-CN201610812432.1有效
发明人： 高逸群;林欣桦;施博理;张炜炽;陆一民;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在通道层上形成第一子层，所述第一子层包含含铟、锌的金属氧化物，形成第二子层覆盖于所述第一子层上，所述第二子层包含金属材料；形成第三子层覆盖于所述第二子层上，所述第三子层包含含金属铟、锌的氧化物，第一子层、第二子层和第三子层共同构成了第二导电层，蚀刻该第二导电层形成一凹槽贯穿第一子层、第二子层及第三子层，以使得第二导电层形成间隔设置的源极与漏极；形成钝化层覆盖在所述源极、所述漏极以及所述通道层之上，在钝化层的形成过程中所述凹槽的侧壁上形成一侧副层夹设于所述第二导电层与钝化层之间。本发明还提供一种半导体装置。
薄膜晶体管阵列制造方法半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板和导电结构-CN201680078686.3有效
发明人：施博理;高逸群;林欣桦;李志隆;张炜炽;陆一民 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：用于薄膜晶体管(TFT)阵列面板的导电层包括定义TFT器件的源极和漏极且包括第一子层、第二子层、第三子层、和至少一个附加子层的多层部分。所述第三和所述第一子层包含铟和锌的氧化物材料。所述第一子层中的铟与锌的含量比大于所述第三子层中的铟与锌的含量比。所述附加子层中的铟与锌的含量比被设定在所述第一与所述第三子层中的铟与锌的含量比之间。所述第一与所述第三子层之间的铟与锌含量比差异影响与形成在所述第二导电层中所述源极与所述漏极之间的间隙相关联的侧面蚀刻轮廓，其中在所述第三子层中与其相关的间隙宽度比在所述第一子层中的间隙宽度宽。
薄膜晶体管阵列面板导电结构

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板和导电结构-CN201680078671.7有效
发明人： 高逸群;林欣桦;施博理;张炜炽;陆一民;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管阵列面板包括：包括栅极的第一导电层(102)；设置在所述栅极上方的沟道层(104)和设置在沟道层(104)上的第二导电层(105)。所述第二导电层(105)包括定义源极(105a)和漏极(105b)的多层部分，其包括依次相继设置的第一子层(105‑1)、第二子层(105‑2)和第三子层(105‑3)。所述第三和所述第一子层(105‑3、105‑1)均包含铟和锌氧化物材料。所述第一子层(105‑1)中的铟与锌的含量比大于所述第三子层(105‑3)中的铟与锌的含量比。所述第一和所述第三子层(105‑1、105‑3)之间的含量比例差异影响形成在所述第二导电层(105)中所述源极和所述漏极(105a、105b)之间的间隙(106)相关的侧面蚀刻轮廓，其中第三子层(105‑3)中的相关间隙(106)宽度比第一子层(105‑1)中的相关间隙(106)宽度宽。
薄膜晶体管阵列面板导电结构

[实用新型]一种纤维束-CN201922406497.8有效
发明人：宋鲁光;卞正宁;王海;杨妍;邹炀;郜洁;张玉才;高逸群;邵琰皓;石哲涵 -专利权人：常州工学院
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B29C64/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种纤维束，涉及3D打印技术领域，所述纤维束包括一根非磁性纤维、至少一根磁性纤维和连接装置；所述连接装置包括固定相连的固定部和限位部，其中所述非磁性纤维与所述固定部固定连接，所述磁性纤维与所述限位部转动连接。本实用新型提供的纤维束，利用施加的电场或者磁场来对磁性纤维的分布方向进行调整，使得纤维束中的纤维呈非一维状态分布，从而能够使制备的3D打印材料中的各个方向上均可分布有延伸方向与该方向一致的纤维，从而能够提高3D打印材料的性能在各方向上的一致性，解决3D打印材料的性能存在各向异性的问题。
一种纤维

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法-CN201710633182.X有效
发明人：林欣桦;高逸群 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管基板，其包括基板及形成于基板上的至少一个薄膜晶体管，每一个薄膜晶体管包括通道层、形成于通道层上间隔设置的源极和漏极；所述源极、所述漏极与所述通道层之间设置有欧姆接触层，所述欧姆接触层和所述通道层的材质均为含锌的金属氧化物；所述欧姆接触层的锌原子个数含量百分比高于65％，所述通道层的锌原子个数含量百分比低于35％。本发明还提供一种薄膜晶体管基板的制备方法。本发明的薄膜晶体管基板的欧姆接触层和通道层均包括包含锌原子的金属氧化物，能够减小通道层与源、漏极之间的电阻，使得通道层与源、漏极之间能够具有良好的电性连接。
薄膜晶体管及其制备方法

[实用新型]垂直腔面发射激光器芯片抗湿性测试装置-CN201922340419.2有效
发明人：王国杰;高逸群;杨瑞琼;许聪基 -专利权人：苏州长瑞光电有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直腔面发射激光器芯片抗湿性测试装置。该装置包括一组板型支架及多个芯片测试板；芯片测试板的中部设置有一个大通孔以及围绕在大通孔周边的至少一个小通孔；板型支架的尺寸与恒温恒湿箱内部尺寸相适配，板型支架的正面固定设置有多个固定柱，固定柱的形状尺寸与芯片测试板上的大通孔相适配以使得固定柱恰好可从大通孔穿过，固定柱上部靠近顶端处形成有一个以固定柱为中心并垂直于固定柱轴向的盘状结构，所述盘状结构的面积大于所述大通孔的面积，在盘状结构的上表面固定设置有一个凸起部，凸起部的位置及形状尺寸与芯片测试板上的小通孔相适配。本实用新型可在抗湿性测试时将垂直腔面发射激光器芯片倒置以防止水汽凝结。
垂直发射激光器芯片抗湿性测试装置

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