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[发明专利]一种键合设备、键合系统和键合方法-CN201910464896.1在审
发明人：霍志军;赵滨 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合设备、键合系统和键合方法，该键合设备包括键合键合腔体、真空系统、加压机构、第一加热/冷却机构、第一静电吸附机构、第二静电吸附机构和第二加热/冷却机构。冷却机构完全接触，增加了第一基底与第一加热/冷却机构的温度传导面积，使得第二加热/冷却机构在对第二基底进行加热时，第一加热/冷却机构可以快速的冷却第一基底的温度，从而可以避免第一基底的温度太高，使得第一基底在键合前融化的问题，因此可以提高键合的良率。
一种设备系统方法

[发明专利]晶圆制备方法、键合方法、键合装置、键合设备-CN202110310943.4在审
发明人：尹朋岸;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请提供了晶圆制备方法、键合方法、键合装置、键合设备。因此，该晶圆可以直接通过互联层上的第五标识正对应其他晶圆的对准标识，使得该晶圆直接对准其他晶圆，有利于减小不同晶圆的形变差异导致的对准偏差，提高了不同晶圆间的对准精度，从而提供了一种晶圆键合方法、键合装置、键合设备。
制备方法装置设备

[发明专利]键合对位装置、倒装芯片键合机和键合方法-CN202210334711.7在审
发明人：郑嘉瑞;胡金;王明军;张浩;李虎;尹祖金;周宽林;耿小猛;李昌洪 -专利权人：深圳市联得自动化装备股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合对位装置、倒装芯片键合机和键合方法，所述键合对位装置用于辅助芯片与基板的键合。所述键合对位装置包括键合头组件、用于承载所述芯片的第一载台以及用于承载所述基板的第二载台，所述键合头组件能够拾取所述芯片，所述键合头组件能够带动所述芯片沿第一方向靠近所述基板，所述第一载台及所述第二载台沿所述第一方向依次分布键合对位装置能够提高芯片与基板键合时的精度。倒装芯片键合装置包括上述键合对位装置，能够提高芯片与基板键合时的精度。键合方法应用于上述倒装新品键合装置，能够提高芯片与基板键合时的精度。
对位装置倒装芯片键合机方法

[发明专利]键合线、键合结构、键合方法及半导体器件-CN202210819321.9在审
发明人：王令;李春艳;廖勇波;马颖江 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种键合线、键合结构、键合方法及半导体器件，涉及半导体封装领域，该键合线包括线芯与包裹在所述线芯外的外覆层，所述外覆层材料的熔点低于所述线芯材料的熔点，所述线芯用于与目标器件键合连接，所述外覆层用于在熔化后包裹所述线芯与目标器件之间的键合连接点基于本发明的技术方案，实现键合线与目标器件的双重连接，增加键合线与焊点之间的连接力，进而可以在满足工艺要求的前提下降低对于线芯键合工艺参数的要求，从而可以避免器件表面因键合工艺参数较大而导致弹坑并有效降低虚焊的风险
键合线结构方法半导体器件

[发明专利]键合头以及包括该键合头的键合装置-CN202211540871.3在审
发明人：崔正德;朴瑛奎;全泳坤;成知勳 -专利权人：美科陶瓷科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：提供一种键合头和键合装置，该键合头包括：底座块；加热块，设置在所述底座块的上方，并产生热；以及抗静电块，以能够吸附芯片的方式配置在所述加热块上方，并配置为与接地电极电连接，以去除残留在表面上的电子。
键合头以及包括装置

[发明专利]薄芯片加工及贴片组装方法-CN201610768572.3在审
发明人：唐昊 -专利权人：浙江中纳晶微电子科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄芯片加工及贴片组装方法，它包括：步骤1、将功能晶圆与载片晶圆通过键合胶键合；步骤2、对功能晶圆进行减薄处理；步骤3、将功能晶圆连同载片晶圆切割成若干子单元；步骤4、通过夹持机构抓取子单元中的载片晶圆并移动至对应的基板上；步骤5、子单元中的功能晶圆与基板键合，且在夹持机构抽离的过程中带动功能晶圆和载片晶圆解键合。
芯片加工组装方法

[发明专利]一种微发光二极管显示结构及制备方法-CN202111654215.1在审
发明人：刘召军;陈富豪;袁骏超;杨彪;伏桂月 -专利权人：深圳市思坦科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：微发光二极管显示结构包括微发光二极管阵列、驱动板及粘合层；其中，所述驱动板与所述微发光二极管阵列键合，所述驱动板与所述微发光二极管阵列之间形成有键合间隙；所述粘合层设置于所述键合间隙，所述粘合层分别与所述微发光二极管阵列和所述驱动板粘接本申请提供的微发光二极管显示结构在加工过程中，可减少微发光二极管阵列与驱动板解键合的问题，减少微发光二极管阵列崩裂问题。
一种发光二极管显示结构制备方法

[发明专利]有机中介层结构及其制作方法和封装结构-CN202310247350.7在审
发明人：陈先明;洪业杰;黄高;黄本霞;徐小伟 -专利权人：珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：具体地，制作方法包括：(a)提供一承载板；(b)在所述承载板上施加临时键合层；(c)在所述临时键合层上施加感光介质层；(d)在所述感光介质层上开窗并实施金属化以形成线路层，其中所述开窗形成导通柱；(e)在所述线路层上重复步骤(c)和(d)直至达到目标层数；(f)对所述临时键合层解键合，移除所述承载板以暴露出所述导通柱；(g)减薄暴露的导通柱以形成第一焊盘；在最外层的暴露线路层表面形成阻焊层，所述阻焊层暴露出部分线路层以形成第二焊盘
有机中介结构及其制作方法封装

[发明专利]一种柔性FBAR滤波器的制造方法-CN202010432855.7有效
发明人：李国强;衣新燕;刘鑫尧;张铁林;赵利帅;刘红斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：该方法包括：在制备衬底上生长压电薄膜，在压电薄膜上制备底电极并图形化，在电极工作区上方沉积牺牲层材料，制备绝缘支撑层并图形化，得到晶圆；在硬质衬底旋涂临时键合层，将柔性衬底与硬质衬底键合，在复合衬底旋涂胶粘剂，与晶圆进行键合，将制备衬底去除，制备顶电极和电极互连金属；制备柔性保护层，将FBAR滤波器工作区域的保护层去除，形成上空腔，将硬质衬底解键合，得到柔性FBAR滤波器。
一种柔性 fbar 滤波器制造方法

[发明专利]集成电路芯片视觉对准方法-CN200410060835.2无效
发明人：李小平;聂宏飞;李朝晖;杨文建 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：集成电路芯片视觉对准方法，属于集成电路芯片封装方法，针对现有方法局限，实现芯片上键合点快速准确对准。本发明在引线框架和芯片上分别选取设计样本点，图像处理求出样本点测量坐标值，根据图像不变矩检测出有缺陷的芯片；解得芯片位置变换参数再由其得出计算坐标；用计算坐标减去测量坐标得到样本点的非线性误差；当误差超过允许值时，选其旁边的样本点作为替代，直到误差值小于允许值，最后将键合点排列坐标换算成键合头工作台位移坐标。本发明可修正贴片工艺中的误差，剔除坏芯片与计算并行处理，提高了效率，实现了准确高效的对准，适用于芯片键合、检测装置，在半导体、液晶显示、薄膜磁头等现代制造业中有广泛用途。
集成电路芯片视觉对准方法

[发明专利]晶圆级封装方法及封装结构-CN201811028264.2有效
发明人：罗海龙;克里夫·德劳利 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：一种晶圆级封装方法及封装结构，封装方法包括：提供器件晶圆，包括多个第一芯片，第一芯片包括第一电极，且第一电极由器件晶圆露出，器件晶圆露出第一电极的面为晶圆正面；提供承载基板，在承载基板上临时键合多个第二芯片，包括第二电极，且第二电极由第二芯片露出，第二芯片露出第二电极的面为芯片正面，与芯片正面相背的面为芯片背面；使芯片背面和晶圆正面相对设置，采用熔融键合工艺使芯片背面键合于晶圆正面；对第二芯片和承载基板进行解键合处理本发明实现电性连接的工艺较为简单，且器件晶圆和第二芯片的键合强度较高，保证了电性连接效果。
晶圆级封装方法结构

[发明专利]一种晶圆级封装结构的制备方法及晶圆级封装结构-CN201710193790.3在审
发明人：任玉龙;孙鹏;耿菲 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级封装结构的制备方法及晶圆级封装结构，其中，晶圆级封装结构的制备方法包括提供集成有多颗芯片的第一晶圆，其中，所述第一晶圆包括形成有多个凸点的正面以及相对于所述正面的背面，所述凸点与对应的芯片电连接；对所述第一晶圆进行临时键合；沿所述第一晶圆背面的切割道设定位置对所述第一晶圆进行刻蚀，且至少刻蚀至键合界面；对所述第一晶圆进行解键合，形成单颗芯片。
一种晶圆级封装结构制备方法

[发明专利]一种IGBT硅片背面退火方法-CN201610379104.7有效
发明人：周炯 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提出一种IGBT硅片背面退火方法，包括下列步骤：完成IGBT硅片的正面工艺；对所述硅片背面进行减薄工艺，将其研磨至所需厚度；将减薄后硅片的器件面与基底进行有机胶临时键合；对所述硅片进行离子注入；对所述硅片背面进行退火处理；进行临时解键合工艺，将硅片与基底分离；所述基底的的材料为玻璃基底，厚度为100～500μm。本发明提出的IGBT硅片背面退火方法，采用808nm+双527nm激光波长组合，利用键合基底对底部硅片的热量起到阻热作用，间接提供了底部预热功能，同样可以实现大结深IGBT退火工艺需求。
一种 igbt 硅片背面退火方法

[发明专利]一种用于半导体制程中的薄片临时键合与解键合方法-CN201310425816.4有效
发明人：王思亮;胡强;张世勇;樱井建弥 -专利权人：中国东方电气集团有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺，尤其涉及一种用于半导体制程中的薄片临时键合与解键合方法。将待键合的半导体薄片和母片放置入盛有液体粘黏剂的容器中，容器中液体的深度需要大于薄片与母片的直径，所述的半导体薄片为IV族材料以及III-V族材料的单晶、多晶及非晶片；所述的半导体母片为与半导体薄片大小形状相同的同种材料的单晶本申请的薄片键合技术所采用的材料为液体粘黏剂，在具体实例中为去离子水或乙醇。
一种用于半导体中的薄片临时解键合方法

[发明专利]基于多肽组合手性识别库的手性药物拆分介质及其制备方法-CN201110068220.4无效
发明人：宋文彩;刘武;邱华 -专利权人：武汉惠世通生物工程有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： B01J20/29 文献下载
摘要：基于多肽组合识别库的手性药物拆分介质，由具有不同手性识别能力的多肽组合库通过化学修饰键合至孔径为8~12nm，粒径5~30mm的多孔硅胶表面得到。上述手性药物拆分介质的制法，将与药物相关的蛋白的一种或几种以胰蛋白酶或木瓜蛋白酶或弹性蛋白酶或它们中的一种或几种酶于25~37℃进行酶解，酶解后得到的多肽组合库以变性及吸附或透析的方法除去酶蛋白，然后通过化学修饰键合至多孔硅胶表面本发明制得的手性药物拆分介质具有广泛手性拆分范围、表面分布均匀、键合密度较蛋白质类固定相高，其表面具有的组合手性识别库可用于多种手性药物的拆分及分析，为发展分离范围更广的手性分离材料以及特异性更好的手性药物提供依据
基于多肽组合手性识别药物拆分介质及其制备方法