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[实用新型]纳米级单晶薄膜-CN201820963329.1有效
发明人：胡卉;朱厚彬;胡文;罗具廷;张秀全;李真宇;李洋洋 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：提供了一种可以改善单晶薄膜与衬底键合力的纳米级单晶薄膜。所述纳米级单晶薄膜包括纳米级单晶薄膜层、第一过渡层、隔离层、第二过渡层和衬底层，第一过渡层位于纳米级单晶薄膜层与隔离层之间，第二过渡层位于隔离层与衬底层之间。本实用新型提供了一种具有减少的内部缺陷和增大的键合力的纳米级单晶薄膜，可减少传输损耗并且可避免纳米级单晶薄膜在切割工艺中发生大面积的解键合现象，从而可以提高纳米级单晶薄膜的使用率和电子器件的成品率。
纳米级单晶薄膜过渡层隔离层单晶薄膜层衬底层键合力本实用新型传输损耗电子器件内部缺陷成品率增大的使用率衬底键合切割

[发明专利]一种英寸级单晶薄膜的制备方法及单晶薄膜-CN202010456025.8在审
发明人：潘孟春;彭俊平;胡悦国;李裴森;胡佳飞;邱伟成;张琦 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种英寸级单晶薄膜的制备方法及单晶薄膜，本发明制备方法的实施步骤包括：将单晶基片进行预处理，预处理包括清洗、高温灼烧；在预处理后的单晶基片的外延面上沉积铁磁金属薄膜；将沉积有铁磁金属薄膜的单晶基片退火处理得到(111)或(0001)取向的单晶薄膜。单晶薄膜为基于前述制备方法制备得到的单晶薄膜。本发明能够实现英寸级单晶薄膜的制备，制备得到的单晶薄膜在英寸级范围内具有原子级平整度、超高洁净度和单一晶化特征，能够为实现大面积石墨烯生长以及高性能石墨烯自旋电子器件研制提供技术基础。
一种英寸级单晶薄膜制备方法

[发明专利]一种直拉单晶用新型籽晶及熔接工艺-CN201911121016.7在审
发明人：郭谦;张文霞;武志军;霍志强;钟旭;宋瑞强;景吉祥;李晓东;康学兵;高润飞;徐强;谷守伟 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉单晶用新型籽晶，包括依次同轴连接的一级晶段、二级晶段和三级晶段，其特征在于，还包括延长晶段，所述延长晶段置于所述三级晶段远离所述二级阶段一侧，所述延长晶段沿所述三级晶段轴线方向向外且与所述三级晶段一体连接设置，所述延长晶段为锥形结构，所述延长晶段的大径端面与所述三级晶段外径相同。本发明还提供一种直拉单晶用新型籽晶的熔接工艺。本发明提供的一种直拉单晶用新型籽晶，尤其是适用于至少一次熔接的单晶拉制，解决了现有技术中的籽晶容易导致扩肩或等径前期断苞的技术问题，有利于在熔接时减少对单晶生长的热冲击力，减少单晶生长时位错的产生，提高单晶一次成晶率，降低生产成本，提高单晶产能。
晶段籽晶直拉单晶熔接单晶生长单晶一体连接设置单晶拉制同轴连接轴线方向锥形结构产能大径等径时位冲击力

[发明专利]纳米级单晶薄膜-CN201810644600.X在审
发明人：胡卉;朱厚彬;胡文;罗具廷;张秀全;李真宇;李洋洋 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：提供了一种纳米级单晶薄膜。所述纳米级单晶薄膜包括纳米级单晶薄膜层、第一过渡层、隔离层、第二过渡层和衬底层，第一过渡层位于纳米级单晶薄膜层与隔离层之间，第二过渡层位于隔离层与衬底层之间，其中，第一过渡层包含一定浓度的H元素。
过渡层纳米级单晶薄膜隔离层单晶薄膜层衬底层

[发明专利]一种晶圆级单晶铜箔的制备方法及规整石墨烯的制备方法-CN202011344894.8有效
发明人：李瑛;李莉;陈智;苏陈良;田冰冰 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级单晶铜箔的制备方法及规整石墨烯的制备方法。所述晶圆级单晶铜箔的制备方法，包括：对多晶铜箔的边缘进行切口处理，得到具有切口的多晶铜箔；将所述具有切口的多晶铜箔在氢气气氛下进行退火处理，得到所述单晶铜箔。本发明所述晶圆级单晶铜箔的制备方法具有工艺简单、效率高、快速节能的特点，可以快速制备得到面积大、单晶度高、平整度高的单晶铜。
一种晶圆级单晶铜箔制备方法规整石墨

[发明专利]含有微纳米级石墨烯包覆的单晶正极材料的锂离子电池电极-CN202010742385.4有效
发明人：王欣全;步绍宁;杜萍;王浩;温宇;张永龙;于春奇;王哲;刘晓雨;徐昊;刘嫄嫄;邬素月;李来强 -专利权人：宁夏汉尧石墨烯储能材料科技有限公司;宁夏航汉石墨烯技术研究院（有限公司）
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池相关的技术领域，更具体地，本发明提供一种含有微纳米级石墨烯包覆的单晶正极材料的锂离子电池电极，制备原料包括微纳米级石墨烯包覆的单晶正极材料、导电剂、粘结剂以及集流体；其中，微纳米级石墨烯包覆的单晶正极材料的制备原料包括石墨烯与单晶正极材料，单晶正极材料为层状单晶结构。本发明提供一种含有微纳米级石墨烯包覆的单晶正极材料的锂离子电池电极，单晶正极材料在包覆前后晶型、粒径分布基本一致，当满足这样条件下的微纳米级石墨烯包覆的正极材料作为电池电极的制备原料时，有利于优化电池的综合性能
含有纳米石墨烯包覆正极材料锂离子电池电极

[实用新型]一种直拉单晶用新型籽晶-CN201921976748.X有效
发明人：郭谦;张文霞;武志军;霍志强;钟旭;宋瑞强;景吉祥;李晓东;康学兵;高润飞;徐强;谷守伟 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直拉单晶用新型籽晶，包括依次同轴连接的一级晶段、二级晶段和三级晶段，其特征在于，还包括延长晶段，所述延长晶段置于所述三级晶段远离所述二级晶段一侧，所述延长晶段沿所述三级晶段轴线方向向外且与所述三级晶段一体连接设置，所述延长晶段为锥形结构，所述延长晶段的大径端面与所述三级晶段外径相同。本实用新型提供的一种直拉单晶用新型籽晶，尤其是适用于至少一次熔接的单晶拉制，解决了现有技术中的籽晶容易导致扩肩或等径前期断苞的技术问题，有利于在熔接时减少对单晶生长的热冲击力，减少单晶生长时位错的产生，提高单晶一次成晶率，降低生产成本，提高单晶产能。
一种直拉单晶用新型籽晶

[发明专利]在高压反应釜中制得纳米级TiO2晶体催化剂的制备方法-CN201710021901.2在审
发明人：费学宁;张如冰;姜远光;董业硕 -专利权人：天津城建大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： B01J29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种在高压反应釜中制得纳米级TiO2单晶催化剂的制备方法，包括以下步骤模板稳定化预处理，模板负载含氟纳米级TiO2单晶催化剂，稳定化介孔模板的去除，含氟纳米级TiO2单晶催化剂表面氟去除。以MCM‑41介孔分子筛作为模板，首先将模板浸渍在TiCl4溶液中得到稳定化介孔模板；然后在稳定化介孔模板上原位生成含氟纳米级TiO2单晶；之后经过NaOH溶液脱模和表面去氟，即得到纳米级TiO2单晶催化剂有益效果是稳定化介孔模板中的介孔结构可限制单晶尺寸的增长，使制得的TiO2单晶的尺寸范围控制在3‑5nm。纳米级尺度的TiO2单晶具有更大的比表面积和优良的纳米尺寸效应，从而大大的增加了氧化还原活性位点，提高了单晶的表面活性。
高压反应釜中制纳米 tio2 晶体催化剂制备方法

[发明专利]一种中间体工程制备的厘米级钙钛矿单晶及其制备方法和应用-CN202310408888.1在审
发明人：夏梦玲;孙锡娟;廖名权;许银生 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种中间体工程制备的厘米级钙钛矿单晶及其制备方法和应用，所述厘米级钙钛矿单晶的制备步骤包括如下：首先合成带溶剂分子络合的钙钛矿中间体单晶，然后通过加热、挥发或抽真空的方式使中间体单晶结构中溶剂分子解络合，同时八面体发生重排，得到厘米级钙钛矿单晶。本发明通过中间体工程制备得到了大尺寸、高质量的单晶，这一方法能够有效解决二维钙钛矿各向异性导致的晶体形状不规则、难以制备大尺寸单晶的困难。本发明制备得到的二维有机‑无机杂化钙钛矿单晶形状规则，晶体通透，含有较少缺陷，尺寸可达厘米级，在光电探测器领域具有较好的应用前景。
一种中间体工程制备厘米级钙钛矿单晶及其方法应用

[发明专利]厘米级铬氧化物单晶及其制备方法和存储器件-CN201911281088.8在审
发明人：李海峰;朱英浩;吴思;汤子康 -专利权人：澳门大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶材料的制备领域，具体而言，涉及一种厘米级铬氧化物单晶及其制备方法和存储器件。该制备方法包括：利用等静压法对铬化合物和经过固相烧结形成的含铬的单相多晶物质的混合物进行造型，再利用激光浮区法生长形成厘米级铬氧化物单晶。通过上述方法能够制备得到厘米级的单晶，扩大其应用范围。
厘米氧化物及其制备方法存储器件

[发明专利]微米级碳类包覆优化的类单晶正极材料及其应用-CN202110647943.3在审
发明人：王浩;卢瑶;王欣全;温宇;步绍宁;杜萍;刘晓雨;徐昊;王哲;张永龙 -专利权人：宁夏汉尧石墨烯储能材料科技有限公司;宁夏航汉石墨烯技术研究院（有限公司）
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池相关的技术领域，更具体地，本发明涉及锂离子电池用微米级碳类包覆优化的类单晶正极材料。一种微米级碳类包覆优化的类单晶正极材料，所述微米级碳类包覆优化的类单晶正极材料由类单晶形貌正极材料和微米级石墨烯片材组成；所述微米级石墨烯片材紧密包覆于类单晶形貌正极材料表面。本发明控制石墨烯片材包覆量及厚度，降低了电池材料的阻抗、提高了45℃循环容量保持率和高倍率放电容量保持率；本发明的微米级碳类包覆优化的类单晶正极材料导电性好，电池的功率密度高、充放电速度快，导电材料的用量少
微米级碳类包覆优化类单晶正极材料及其应用

[发明专利]一种原子级平整单晶硅（100）表面的制备方法-CN201610860392.8有效
发明人：杜文汉;杨景景;熊超;朱锡芳 -专利权人：常州工学院
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子级平整单晶硅(100)表面的制备方法，属于纳米技术领域。本发明的一种原子级平整单晶硅(100)表面的制备方法，以单晶硅(100)片为衬底，其步骤为：1)清洗衬底；2)在衬底上形成的氧化硅表面上制备氧化锶薄膜；3)制备原子级平整的单晶硅(100)表面，使用脉冲激光沉积技术在单晶硅(100)表面上沉积氧化锶薄膜，然后在超高真空条件下进行退火热处理，退火温度范围在550～650℃，退火时间控制在1～20min，即可获得具有原子级平整度的单晶硅(100)表面。本发明通过增加催化剂氧化锶薄膜，将在真空条件下去除单晶硅(100)表面氧化硅的温度从1100℃降低至550℃，节省能耗。
单晶硅制备原子级退火平整氧化锶衬底薄膜脉冲激光沉积技术超高真空条件纳米技术领域原子级平整度氧化硅表面热处理表面氧化时间控制真空条件催化剂沉积能耗清洗

[发明专利]一种碲锌镉单晶的生长用坩埚及生长方法-CN202310778097.8有效
发明人：李贞;陆宏煜;彭成盼 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于碲锌镉单晶生长的坩埚，包括：一级坩埚、以及二级坩埚；其中，一级坩埚具有容置空间；容置空间内设有二级坩埚、以及与二级坩埚连通的镉源；二级坩埚包括：第一内径部、以及第二内径部；第一内径部的内径大于第二内径部的内径本发明的坩埚对镉源提供第一温度，使得气化的镉源能够平衡第二温度下碲锌镉多晶中镉的气化，从而维持正化学配比，实现无夹杂物单晶的生长；碲锌镉籽晶设置于二级坩埚的顶部，能够实现自上而下的定向单晶生长，又由于熔融状态下碲锌镉的密度小于碲锌镉固体的密度，因而单晶生长时，晶体与坩埚内壁相分离，以避免在坩埚的侧壁上形核，实现大单晶生长。
一种碲锌镉单晶生长坩埚方法

[发明专利]一种基于铝盐络合物的氟化钙单晶抛光方法-CN201710070811.2在审
发明人：朱杰;姬梦;王占山 -专利权人：同济大学
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铝盐络合物的氟化钙单晶抛光方法，包括以下步骤：对氟化钙单晶进行研磨处理；利用第一抛光液对研磨后的氟化钙单晶进行抛光，并在抛光过程中以设定间隔时间对氟化钙单晶进行超声波清洗；第一抛光液为由掺有纳米级铝盐、纳米级氧化铬和纳米级氧化铁的纳米级二氧化硅抛光粉制成的碱性抛光液；利用第二抛光液在光学沥青模上进行抛光。本发明采用在抛光液中加入铝盐等化合物的化学机械抛光方法对氟化钙单晶进行抛光，少量铝盐和氧化铬等在碱性条件下与氟化钙单晶会产生络合物，因而加速对氟化钙单晶的抛光进程，从而进一步去除氟化钙单晶表面损伤和亚表面损伤，获得较光滑的晶体表面，使得氟化钙单晶的加工效率高、产品质量好。
一种基于络合物氟化钙抛光方法

[发明专利]一种纳米单晶金刚石及其制造方法-CN200610114373.7有效
发明人：祝世连;葛丙恒 -专利权人：北京国瑞升科技有限公司
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够用于高精度抛光加工的纳米单晶金刚石，例如，用于电脑硬盘的纹理加工等，其特征在于：该纳米单晶金刚石是将粒度大于纳米级的单晶金刚石颗粒通过球磨粉碎制成。本发明还提供一种上述纳米单晶金刚石的制造方法，包括以下步骤：步骤1，将粒度大于纳米级的单晶金刚石颗粒进行球磨粉碎，得到包含有纳米单晶金刚石的微粉；步骤2，对微粉进行酸碱处理，以分别去除金属、石墨和硅杂质；步骤3，利用多管高速离心机，把微粉分级成不同粒度，得到平均粒度在100nm数量级或者更小的纳米单晶金刚石。采用该方法能够以便捷可行的途径获得纳米级单晶金刚石，并且生产成本相对较低。
一种纳米金刚石及其制造方法

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