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[发明专利]具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器-CN201910187181.6有效
发明人：吴传贵;罗文博;帅垚 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有隔离层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器；制备方法包括在单晶晶圆下表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成损伤层，损伤层将单晶晶圆分隔成压电层和单晶薄膜层；在单晶薄膜层的表面制备隔离层；在隔离层表面旋涂键合层；将键合层与衬底叠放，进行退火处理，冷却，得到具有隔离层的单晶薄膜；通过具有隔离层的单晶薄膜的制备方法制备得到的单晶薄膜，单晶薄膜表面无气泡，无裂纹，无隆起结构，单晶薄膜性能显著提高。
具有隔离薄膜制备方法谐振器

[发明专利]单晶薄膜键合体及其制造方法-CN201510891747.5在审
发明人：胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶薄膜键合体和一种制造单晶薄膜键合体的方法，所述单晶薄膜键合体包括硅基底、铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜以及位于硅基底与铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜之间的硅基薄膜，其中，硅基薄膜通过沉积形成在铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上，并通过直接键合法与硅基底进行键合，硅基薄膜为硅薄膜、二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜。本发明的三层结构的单晶薄膜键合体能够有效地降低甚至消除在钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜和硅基板之间的界面对光波和声波的反射作用，并且降低或消除了界面间的反射作用对于光或声波信号所造成的干扰。
薄膜合体及其制造方法

[发明专利]复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法-CN201510520492.1在审
发明人：胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法。所述复合单晶薄膜包括：衬底；光学隔离层，位于衬底上；铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜，位于光学隔离层上；硅薄膜，位于铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上。根据本发明的复合单晶薄膜具备铌酸锂或钽酸锂材料良好的非线性光学、声光、电光等效应，同时还具备硅材料的加工工艺成熟的特性，因此本发明的复合单晶薄膜能够与现有的IC生产工艺实现更好的兼容，具有非常广阔的产业前景此外，根据本发明的制造复合单晶薄膜的方法能够实现稳定、有效的工业化生产。
复合薄膜制造方法

[发明专利]一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法-CN201811347796.2有效
发明人：欧欣;伊艾伦;游天桂;黄凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基异质集成4H‑SiC外延薄膜结构的制备方法，包括提供碳化硅单晶晶片，通过氢离子注入在碳化硅单晶晶片中形成注入缺陷层并提供碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶晶片或碳化硅单晶薄膜上外延生长4H‑SiC单晶薄膜；将所述4H‑SiC单晶薄膜与一硅支撑衬底键合，得到包括碳化硅单晶晶片、4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；剥离，得到包括碳化硅单晶薄膜、4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；表面处理以除去碳化硅单晶薄膜，得到包括4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的硅基异质集成4H‑SiC外延薄膜结构。本发明的制备方法得到的集成薄膜结构不存在结晶质量差的问题。
一种硅基异质集成 sic 外延薄膜结构制备方法

[发明专利]超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法-CN201510101331.9有效
发明人：陆小力;张吉文;张春福;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜制备方法，主要解决现有技术不能直接在半导体材料上沉积单晶钛酸钡薄膜问题。其技术方案是1.在蓝宝石衬底沉积一层单晶氧化镁薄膜；2.在单晶氧化镁薄膜上沉积单晶钛酸钡薄膜；3.在单晶钛酸钡薄膜表面旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，用硫酸铵溶液除去单晶氧化镁薄膜，使附有聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的钛酸钡薄膜与衬底脱离；4.将脱离蓝宝石衬底的单晶钛酸钡薄膜转移到后续所需的半导体衬底上，得到超薄自支撑单晶钛酸钡薄膜。本发明能实现在半导体衬底上生长单晶钛酸钡薄膜，且单晶钛酸钡薄膜的厚度仅为几个纳米，保证了光源照射的可靠性，可用于半导体器件制备。
超薄支撑钛酸钡薄膜制备方法

[发明专利]基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜-CN201810942371.X有效
发明人：欧欣;张师斌;周鸿燕;黄凯;王成立;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜，制备包括：提供第一单晶衬底及第二单晶衬底，分别具有第一离子注入面及第二离子注入面；对第一单晶衬底进行第一离子注入，形成第一缺陷层，对第二单晶衬底进行第二离子注入，形成第二缺陷层；将第一离子注入面与第二离子注入面进行键合；沿第一缺陷层剥离得到第一单晶薄膜层，沿第二缺陷层剥离得到第二单晶薄膜层，获得柔性单晶薄膜。本发明采用对称应力补偿技术，制备了由第一单晶薄膜层及第二单晶薄膜层构成的柔性单晶薄膜，避免了制备的薄膜卷曲、碎裂的问题；使得可以得到具备超薄、超轻、柔性且可以自支撑特性的薄膜；可以通过本发明的方案制备得到大面积的柔性单晶薄膜
基于应力补偿制备柔性薄膜方法

[发明专利]一种半导体-金属-半导体叠层结构及其制备方法-CN201310188487.6在审
发明人：吴东平;张世理;许鹏;周祥标 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体-金属-半导体叠层结构的制备方法，该方法通过在单晶半导体衬底上先制备超薄的单晶金属半导体化合物薄膜，再在单晶金属半导体化合物薄膜上制备单晶或多晶半导体薄膜，从而得到了由单晶半导体衬底、位于单晶半导体衬底上的超薄单晶金属硅化物薄膜、以及位于单晶金属硅化物薄膜上的单晶或多晶半导体薄膜构成的叠层结构，该方法简单可靠。
一种半导体金属结构及其制备方法

[发明专利]外延生长有机金属卤化物钙钛矿单晶薄膜制备方法-CN201811483408.3在审
发明人：赵晋津;张颖;欧云;钟高阔;刘金喜;刘正浩;李明;吴竞伟;赵泽文;贾春媚;苏晓 -专利权人：石家庄铁道大学;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C30B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机无机金属卤化物钙钛矿单晶薄膜制备方法，涉及外延生成单晶钙钛矿薄膜技术领域。本发明通过运用毛细管力和温度梯度，在晶格匹配单晶基底片上原位生长厚度可控的钙钛矿单晶薄膜，从而控制钙钛矿晶体的形貌，使单晶钙钛矿薄膜与单晶基底片晶格匹配，提高单晶钙钛矿薄膜的质量。与现有技术相比，本发明操作简单，薄膜形貌和厚度可控，容易获得与单晶基底片晶格匹配的优质单晶薄膜；同时，单晶钙钛矿薄膜生长周期短，降低了成本。
单晶钙钛矿薄膜单晶薄膜晶格匹配钙钛矿基底片厚度可控制备无机金属卤化物有机金属卤化物形貌钙钛矿晶体薄膜形貌毛细管力生长周期外延生长温度梯度优质单晶原位生长薄膜

[发明专利]具有缓冲层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器-CN201910187199.6有效
发明人：帅垚;吴传贵;罗文博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器；具有缓冲层的单晶薄膜制备方法包括在单晶晶圆表面注入高能量离子，使得单晶晶圆内部形成劈裂层；在注入有高能量离子的单晶晶圆表面依次制备键合层和缓冲层，或者在单晶晶圆表面依次制备缓冲层和键合层，将涂覆有键合层和缓冲层的单晶晶圆与衬底结合，键合及单晶晶圆劈裂处理，制备得到具有缓冲层的单晶薄膜。本发明提供的具有缓冲层的单晶薄膜制备方法、单晶薄膜及谐振器，通过缓冲层设计，隔离键合层产生的气泡或使得键合过程中的气泡向衬底方向移动，远离单晶晶圆，制备得到的高质量的单晶薄膜，制备得到的单晶薄膜表面无气泡
具有缓冲薄膜制备方法谐振器

[发明专利]一种英寸级单晶薄膜的制备方法及单晶薄膜-CN202010456025.8在审
发明人：潘孟春;彭俊平;胡悦国;李裴森;胡佳飞;邱伟成;张琦 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种英寸级单晶薄膜的制备方法及单晶薄膜，本发明制备方法的实施步骤包括：将单晶基片进行预处理，预处理包括清洗、高温灼烧；在预处理后的单晶基片的外延面上沉积铁磁金属薄膜；将沉积有铁磁金属薄膜的单晶基片退火处理得到(111)或(0001)取向的单晶薄膜。单晶薄膜为基于前述制备方法制备得到的单晶薄膜。本发明能够实现英寸级单晶薄膜的制备，制备得到的单晶薄膜在英寸级范围内具有原子级平整度、超高洁净度和单一晶化特征，能够为实现大面积石墨烯生长以及高性能石墨烯自旋电子器件研制提供技术基础。
一种英寸级单晶薄膜制备方法

[发明专利]一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法-CN202010644724.5有效
发明人：欧欣;鄢有泉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L41/332 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种异质集成压电单晶薄膜衬底的表面优化方法，包括：获取待优化的异质集成压电单晶薄膜衬底，所述压电单晶薄膜衬底包括支撑层和压电单晶薄膜层；对所述压电单晶薄膜衬底进行腐蚀处理得到第一产物，所述第一产物的压电单晶薄膜层表面形成有腐蚀层；对所述第一产物进行抛光处理得到第二产物。经过腐蚀处理的压电单晶薄膜表面会形成一定厚度的均匀腐蚀层，然后通过低背压的化学机械抛光即可将腐蚀层除去，实现压电单晶薄膜表面的优化。本申请实施例所述的表面优化方法可以提高异质集成压电单晶薄膜衬底的表面平整度和薄膜近表面区域的晶格质量，同时，又能保证压电单晶薄膜厚度的均匀性。
一种集成压电薄膜衬底表面优化方法

[发明专利]制备大尺寸宽禁带单晶薄膜的结构和方法-CN201210100943.2有效
发明人：李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明是制备大尺寸宽禁带单晶薄膜的结构及方法，其结构是单晶硅衬底上是低温氮化铝缓冲层；在低温氮化铝缓冲层上是高温氮化铝缓冲层；在高温氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶薄膜；其制备工艺：在单晶硅衬底上制备低温氮化铝缓冲层；在低温氮化铝缓冲层上制备高温氮化铝缓冲层；降至室温取出；在高温氮化铝缓冲层上制备碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶薄膜上制备宽禁带单晶薄膜；降至室温取出。优点：通过AlN缓冲层容易制备高质量六方相碳化硅单晶薄膜；低、高温AlN多缓冲层结合使用有助于降低宽禁带单晶薄膜的应力；碳化硅单晶薄膜可通过掺杂形成n或p型；结构简单、工艺可控；表面形貌好；大尺寸低成本
制备尺寸宽禁带单晶薄膜结构方法

[发明专利]一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜-CN202310420997.5在审
发明人：张腾腾;曹彦伟;张广超;张顺达;张如意 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体薄膜技术领域，涉及一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜。所述制备铪锆氧基单晶薄膜的方法，包括以下步骤：采用Zr掺杂氧化铪溅射靶材，在单晶基片上通过磁控溅射制备得到铪锆氧基单晶薄膜。本发明采用磁控溅射能够获得高质量的HZO单晶薄膜。
一种制备铪锆氧基单晶薄膜方法

[发明专利]利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法-CN201210100958.9有效
发明人：李忠辉;彭大青;李亮;董逊;倪金玉;张东国 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法，单晶硅衬底上是高V/III比氮化铝缓冲层；高V/III比氮化铝缓冲层上是低V/III比氮化铝缓冲层；低V/III比氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜；碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶薄膜；其制备工艺：单晶硅衬底上制备高V/III比氮化铝缓冲层；在高V/III比氮化铝缓冲层上制备低V/III比氮化铝缓冲层；降至室温取出；在低V/III比氮化铝缓冲层上制备SiC单晶薄膜；在SiC单晶薄膜上制备宽禁带单晶薄膜优点：高、低V/III比AlN缓冲层结合有助于缓冲应力；通过AlN缓冲层易制宽禁带单晶薄膜；掺杂形成n或p型SiC单晶薄膜；大尺寸低成本。
利用缓冲制备宽禁带单晶薄膜方法

[发明专利]单晶硅及SOI基板、半导体装置及其制造方法、显示装置-CN03159798.X有效
发明人：高藤裕;糸贺隆志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-09-25 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅基板、SOI基板、半导体装置、显示装置、以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置在绝缘基板上具有，包含由SiO₂膜、多晶硅构成的非单晶硅薄膜的MOS型的非单晶硅薄膜晶体管，具有单晶硅薄膜的MOS型的单晶硅薄膜晶体管，金属配线。由此，形成非单晶硅薄膜和单晶硅薄膜设备，提供集成高性能系统的半导体装置以及其制造方法，以及形成该半导体装置的单晶硅薄膜设备的单晶硅基板。
单晶硅 soi 基板半导体装置及其制造方法显示装置

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