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[发明专利]硅锭、硅晶块、硅衬底、硅锭的制造方法和太阳能电池-CN202080051197.5在审
发明人：小柏阳平 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：锭具有第1面、其相反侧的第2面和沿第1方向连接第1面和第2面的第3面，具备在与第1方向垂直的第2方向上依次邻接的第1类单晶区域、包括类单晶区域的第1中间区域和第2类单晶区域，在与第1方向垂直且与第2方向交叉的第3方向上依次邻接的，第1类单晶区域、包括类单晶区域的第2中间区域和第3类单晶区域。在第2方向上，第1类单晶区域和第2类单晶区域分别比第1中间区域的宽度大。在第3方向上，第1类单晶区域和第3类单晶区域比第2中间区域的宽度大。第1类单晶区域和第2类单晶区域与第1中间区域的各边界，以及第1类单晶区域和第3类单晶区域与第2中间区域的各边界，具有重位点阵晶界。
硅锭硅晶块衬底制造方法太阳能电池

[发明专利]单晶硅片太阳能电池制造方法及其刻蚀方法-CN201110267103.0有效
发明人：钱家锜;林育玫;高伟哲;江漪凌 -专利权人：华康半导体股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种单晶或类单晶硅片太阳能电池制造方法及适用于单晶或类单晶硅片太阳能电池制造方法的刻蚀方法，该刻蚀方法包含：利用一包含银离子的碱性刻蚀液，刻蚀一单晶或类单晶硅片的至少一表面，以使单晶或类单晶硅片的至少一表面制绒化通过在碱性刻蚀液中的银离子能催化碱刻蚀反应速率的特性，来缩短单晶或类单晶硅片制绒化工艺时间。
单晶硅太阳能电池制造方法及其刻蚀

[发明专利]一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法-CN201510216828.5有效
发明人：陈红荣;胡动力;何亮;徐云飞 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，包括以下步骤：(1)提供坩埚，将单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部，得到籽晶层；在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制温度，使得熔融状态的硅料在单晶硅籽晶上继承单晶硅籽晶的晶向结构进行生长，制得类单晶硅锭；(2)取出类单晶硅锭，在类单晶硅锭底部的籽晶位置处进行切割，得到一整块籽晶，籽晶顶部大小和形状与类单晶硅锭底部大小和形状基本相同；(3)将步骤(2)得到的籽晶铺设在坩埚底部，按照步骤(1)的方法制得类单晶硅锭。本发明提供的方法不会导致籽晶出现崩边缺角的现象，同时不会在籽晶中引入新的拼接缝，制得的类单晶硅锭位错少，质量好，大大降低了铸造类单晶的籽晶成本。
一种铸造类单晶用籽晶重复利用方法

[发明专利]单晶硅太阳能电池及其制作方法-CN201210529746.2有效
发明人：杨瑞鹏;张开军;付建明;温显 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种单晶硅太阳能电池及其制作方法，所述单晶硅太阳能电池的制作方法包括：提供基片，所述基片为第一类型单晶硅片；对所述基片的表面进行第二类型掺杂，形成第一类型单晶硅层和位于所述第一类型单晶硅层上表面的第二类型单晶硅层；在所述第二类型单晶硅层的表面形成第一应力层；在所述第一应力层表面形成第一电极，在所述第一类型单晶硅层的下表面形成第二电极。所述单晶硅太阳能电池的制作方法能够有效提高单晶硅太阳能电池中载流子的迁移率，提高单晶硅太阳能电池的转换效率。
单晶硅太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种高压实密度单晶三元正极材料及其制备方法-CN202010128332.3在审
发明人：谢日健;司兰杰;陈伟;史镇洪;彭康;钟静怡;张涵;范江;吴建华;万国江 -专利权人：江门市科恒实业股份有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压实密度单晶三元正极材料及其制备方法。本发明通过一次灼烧，先将材料灼烧成两种粒径，一种是一次颗粒粒径在1.5～2.0μm，另一种是一次颗粒粒径在3.5～5.0μm，分别制备得到类单晶颗粒与单晶颗粒，再对单晶颗粒进行了二次灼烧处理，获得圆润且具有良好流动性的单晶颗粒，并将不同粒径的类单晶颗粒与单晶颗粒进行混掺，利用单晶颗粒填补类单晶颗粒的间隙，为类单晶颗粒提供力的支撑点，使得类单晶颗粒不会因为受力不匀而压碎，同时避免材料在高电压下会与电解液反生副反应，提高材料的压实密度
一种高压密度三元正极材料及其制备方法

[发明专利]一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法-CN202010357713.9在审
发明人：何亮;何新根;雷琦;毛伟;徐云飞;周成;罗鸿志;程小娟;邹贵付;甘胜泉;陈仙辉 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司;赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，包括：(1)将类单晶硅锭的开方尺寸相同的单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部，形成籽晶层；并利用该籽晶层制得类单晶硅锭；(2)将类单晶硅锭的底面朝上，将底面上的籽晶拼接缝用缝隙标记线标出，并使其延伸至类单晶硅锭的四个侧面；对类单晶硅锭开方得到多个第一硅块，且在开方前使开方钢线与籽晶拼接缝对齐，将第一硅块对应坩埚底部和开口的两个端面打磨平整后，再切割掉其上的籽晶区域，得到回收后的多块单晶硅籽晶该方法可实现籽晶的多次高质量重复利用，降低了铸造类单晶的籽晶成本。
一种铸造类单晶用籽晶重复利用方法

[发明专利]铸造类单晶制备方法-CN201811064511.4在审
发明人：汪沛渊;张涛;白枭龙;欧子杨;晏文勇;李省平;刘文婷;邓清香;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种铸造类单晶制备方法。上述铸造类单晶制备方法，制备时，先在坩埚底部均匀铺设一层含磷的掺杂剂，以形成掺杂剂层；然后在所述掺杂剂层上铺设一层类单晶籽晶，以形成引晶层，再将硅料和母合金依次填入所述坩埚内；最后将坩埚加热至预设温度，以使所述类单晶籽晶部分熔化，在熔化和长晶过程中，控制坩埚的温度，使引晶层的类单晶籽晶部分熔化，其中，在长晶过程中，坩埚底部的掺杂剂中的磷通过扩散进入长晶过程中底部已经长好的晶体中，拉低了铸造类单晶尾部的电阻率，使得铸造N型类铸造类单晶中的头部和尾部电阻率偏差不大，头尾电阻率分布更加均匀。
坩埚铸造熔化单晶制备单晶籽晶掺杂剂层掺杂剂电阻率单晶引晶电阻率分布均匀铺设母合金硅料填入预设制备加热铺设扩散

[发明专利]类单晶硅锭制备方法及切割制备类单晶硅片方法-CN201410160053.X在审
发明人：何亮;陈红荣;胡动力;雷琦 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种类单晶硅锭制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：在坩埚底部铺设单晶硅籽晶，形成籽晶层，所述单晶硅籽晶为<110>晶相；在所述籽晶层上方设置熔融状态的硅料，并控制所述籽晶层不被完全融化；以及控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在未熔化的籽晶层上沿<110>晶向结晶生长，制备得到类单晶硅锭。本发明还提供两种切割所述类单晶硅锭制备类单晶硅片的方法，本发明利用<110>晶相的单晶硅籽晶生长获得位错面积小的类单晶硅锭，并通过选择合适的切割方向，切割得到〈100〉晶向的类单晶硅片，提高了材料的使用率和生产效率
单晶硅制备方法切割

[发明专利]类单晶硅锭的制备方法及类单晶硅锭-CN201911357098.5在审
发明人：陈伟;王万胜;李林东;王全志;陈志军;丁云飞 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种类单晶硅锭的制备方法及类单晶硅锭，包括：在坩埚底部铺设籽晶层形成引晶层；在籽晶层上方装填硅料至坩埚的1/3至2/3高度之间；将磷合金铺设至硅料上形成掺杂层；继续装填硅料装至坩埚顶部；将坩埚装入铸锭炉，并将铸锭炉抽真空且在氩气保护下加热使硅料熔化；采用定向凝固法使硅料长晶直至形成类单晶硅锭。本发明类单晶硅锭的制备方法及类单晶硅锭可保证磷合金全部融化均匀地扩散至硅料中，从而提升类单晶硅锭的品质。
单晶硅制备方法

[发明专利]一种高效铸造类单晶硅双面太阳电池结构及其制备方法-CN202110912849.6在审
发明人：余学功;胡泽晨;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效铸造类单晶硅双面太阳电池结构及其制备方法，其中电池结构包括双面抛光、制绒的铸造类单晶硅片，所述铸造类单晶硅片作为基底和光吸收层；铸造类单晶硅片的正面依次为重掺杂扩散薄层、第一透明导电玻璃和第一金属电极，铸造类单晶硅片的背面依次为本征非晶硅薄膜、重掺杂非晶硅薄膜、第二透明导电玻璃和第二金属电极。本发明通过高温扩散吸杂工艺和异质结构的结合，可以有效降低铸造类单晶硅片中的金属杂质沾污，实现更高的开路电压，从而获得更高的转换效率。
一种高效铸造单晶硅双面太阳电池结构及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸类单晶籽晶及其生产工艺-CN201210234392.9无效
发明人：孙勇 -专利权人：无锡中硅科技有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公布了一种大尺寸类单晶籽晶，其特征在于：其长度为700-1200mm，厚度为5-30mm，宽度为50-400mm。一种大尺寸类单晶籽晶的生产工艺，包括下述步骤：（1）将大直径单晶硅棒去头尾，切割成设定长度尺寸；（2）将去头尾的单晶硅棒纵向切割成设定厚度的薄片；（3）将切割好的薄片去边皮，得到最终成品。本发明大尺寸类单晶籽晶面积大，拼接数量少，更利于类单晶的铸锭。本发明大尺寸类单晶籽晶工艺可以在同等长度和直径大小的单晶硅棒中做出更多的籽晶产品，因其最大范围的使用了整个单晶硅棒的圆面积使得利用率大大提高，也使生产成本得到了降低。
一种尺寸类单晶籽晶及其生产工艺

[实用新型]一种大尺寸类单晶籽晶-CN201220327258.9有效
发明人：孙勇 -专利权人：无锡中硅科技有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种大尺寸类单晶籽晶，其特征在于：其长度为700-1200mm，厚度为5-30mm，宽度为50-400mm。一种大尺寸类单晶籽晶的生产工艺，包括下述步骤：（1）将大直径单晶硅棒去头尾，切割成设定长度尺寸；（2）将去头尾的单晶硅棒纵向切割成设定厚度的薄片；（3）将切割好的薄片去边皮，得到最终成品。本实用新型大尺寸类单晶籽晶面积大，拼接数量少，更利于类单晶的铸锭。大尺寸类单晶籽晶工艺可以在同等长度和直径大小的单晶硅棒中做出更多的籽晶产品，因其最大范围的使用了整个单晶硅棒的圆面积使得利用率大大提高，也使生产成本得到了降低。
一种尺寸类单晶籽晶

[发明专利]微米级碳类包覆优化的类单晶正极材料及其应用-CN202110647943.3在审
发明人：王浩;卢瑶;王欣全;温宇;步绍宁;杜萍;刘晓雨;徐昊;王哲;张永龙 -专利权人：宁夏汉尧石墨烯储能材料科技有限公司;宁夏航汉石墨烯技术研究院（有限公司）
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池相关的技术领域，更具体地，本发明涉及锂离子电池用微米级碳类包覆优化的类单晶正极材料。一种微米级碳类包覆优化的类单晶正极材料，所述微米级碳类包覆优化的类单晶正极材料由类单晶形貌正极材料和微米级石墨烯片材组成；所述微米级石墨烯片材紧密包覆于类单晶形貌正极材料表面。本发明控制石墨烯片材包覆量及厚度，降低了电池材料的阻抗、提高了45℃循环容量保持率和高倍率放电容量保持率；本发明的微米级碳类包覆优化的类单晶正极材料导电性好，电池的功率密度高、充放电速度快，导电材料的用量少
微米级碳类包覆优化类单晶正极材料及其应用

[发明专利]硅锭、硅晶块、硅基板、硅锭制造方法以及太阳能电池-CN201980046103.2在审
发明人：田边英义;松尾整 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：锭具有以在与第一方向垂直的第二方向上按顺序相邻的状态配置的第一类单晶区域、包括一个以上的类单晶区域的第一中间区域、以及第二类单晶区域。在第二方向上，第一类单晶区域的第一宽度以及第二类单晶区域的第二宽度各自比第一中间区域的第三宽度大。第一类单晶区域与第一中间区域的边界以及第二类单晶区域与第一中间区域的边界各自具有重位点阵晶界。
硅锭硅晶块硅基板制造方法以及太阳能电池

[发明专利]硅锭、硅晶块、硅衬底和太阳能电池-CN202080053214.9在审
发明人：小柏阳平;小栗诚司;竹之下健 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：该锭具备在与第1方向垂直的第2方向上依次邻接的第1类单晶区域、包括1个以上类单晶区域的第1中间区域、第2类单晶区域。在第2方向上，第1类单晶区域的宽度和第2类单晶区域的宽度，分别大于第1中间区域的宽度。第1类单晶区域与第1中间区域的第1边界具有重位点阵晶界。第2类单晶区域与第1中间区域的第2边界具有重位点阵晶界。
硅锭硅晶块衬底太阳能电池

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