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- [发明专利]光阳极薄膜材料的制备方法-CN201210033929.5有效
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刘国冬;叶长辉;季书林;徐国平
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中国科学院合肥物质科学研究院
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2012-02-15
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2012-07-04
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H01G9/042
- 该薄膜材料包括:在氧化铟锡导电玻璃上涂覆第一层TiO2颗粒,退火处理;退火后,在第一层TiO2颗粒上涂覆第二层TiO2颗粒,加热得到TiO2颗粒膜;将得到的TiO2颗粒膜浸入NH4F水溶液中,取出后在蒸馏水中清洗,干燥后得到具有FTO/TiO2/TiO2/F结构的薄膜;在形成的FTO/TiO2/TiO2/F-薄膜上沉积In2S3,加热后得到结晶性In2S3形成FTO/TiO2/TiO2/F-/In2S3薄膜;将处理后得到的FTO/TiO2/TiO2/F-/In2S3薄膜浸入ZnCl2的乙醇溶液中,浸泡后取出,在乙醇中清洗,干燥得到具有FTO/TiO2/TiO2/F-/In2S3/ZnS结构的光阳极薄膜材料。制成的薄膜材料采用结晶性In2S3作为吸光层,可吸收更多的太阳光,提高载流子的分离效率,延长载流子的寿命。
- 阳极薄膜材料制备方法
- [发明专利]一种染料敏化太阳能电池复合电极及其制备方法-CN201110067722.5无效
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王岩;李京波;王美丽
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中国科学院半导体研究所
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2011-03-21
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2011-08-17
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H01G9/04
- 一种染料敏化太阳能电池复合电极及其制备方法,包括以下几个步骤:取普通玻璃的衬底;在衬底上制备掺F的SnO2透明导电膜,得到FTO玻璃衬底;在掺F的SnO2透明导电膜上制备TiO2纳米线阵列,TiO2纳米线阵列的优点在于能提供直接电子通路,减少电子复合;采用丝网印刷在制备好的TiO2纳米线阵列的表面印刷TiO2纳米晶多孔薄膜,TiO2纳米晶多孔薄膜的优点在于具有较高的比表面积,利于染料的吸附;退火,使TiO2纳晶多孔薄膜的TiO2浆料中的有机溶剂挥发,得到TiO2纳米线阵列/TiO2纳米晶多孔复合薄膜;将TiO2纳米线阵列/TiO2纳米晶多孔复合薄膜在染料溶液中浸泡,取出后洗去表面残留的染料溶液,晾干,得到TiO2纳米线阵列/纳晶多孔薄膜复合电极。
- 一种染料太阳能电池复合电极及其制备方法
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