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[发明专利]一种用于制作体声波器件的压电薄膜体及其制备方法-CN202010341765.7有效
发明人：张秀全;王金翠;朱厚彬;李真宇;李洋洋;刘桂银 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本申请公开一种用于制作体声波器件的压电薄膜体及其制备方法，用于制作体声波器件的压电薄膜体包括依次叠加的薄膜体衬底、第一强化层、压电薄膜层和第二强化层；其中，所述第一强化层和所述第二强化层的杨氏模量大于所述压电薄膜层的杨氏模量。可以解决压电薄膜与金属电极直接接触以及在背面刻蚀过程中易过刻和在制备器件的过程中易碎裂等问题；同时制备方法，可以解决现有压电薄膜成膜方法容易产生晶格失配、热失配以及界面缺陷的问题。
一种用于制作声波器件压电薄膜及其制备方法

[发明专利]微米级单晶薄膜-CN201810890775.9有效
发明人：张秀全;朱厚彬;胡文;罗具廷;胡卉;李洋洋 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种微米级单晶薄膜。所述微米级单晶薄膜包括：衬底层；以及微米单晶薄膜层，位于衬底层上，其中，在衬底层与微米单晶薄膜层之间可以包括过渡层，所述过渡层可以包括与衬底层相邻设置的第一过渡层以及与微米单晶薄膜层相邻设置的第二过渡层，其中，过渡层可以包括H以及在对衬底层和微米单晶薄膜层进行等离子体键合时使用的至少一种等离子体气体的元素。
微米级单晶薄膜

[发明专利]基于硅和铌酸锂复合薄膜的光交叉波分复用器及方法-CN202310446823.6在审
发明人：李青云;胡卉;朱厚彬;张洪湖 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G02F1/21 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的光交叉波分复用器及方法，所述的光交叉波分复用器，包括：自上而下分层布置的非对称的马赫‑增德尔干涉仪结构及金属电极、单晶铌酸锂薄膜层、二氧化硅缓冲层和硅衬底；硅材质非对称的马赫‑增德尔干涉仪结构，包括：两个多模干涉耦合器以及分别与两个多模干涉耦合器连接的非对称臂；本发明在Si‑LNOI平台上实现了波导型光交叉波分复用器，可以利用硅光子成熟的加工工艺制备，利用铌酸锂的电光效应实现电光调谐功能，能够满足密集波分复用系统小信道间隔的要求，具有高的消光比，紧致的尺寸，高的电光调制效率，可以对波长进行快速和精确调谐。
基于铌酸锂复合薄膜交叉波分复用器方法

[发明专利]一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件-CN202010311501.7有效
发明人：张秀全;李洋洋;朱厚彬;李真宇;张涛 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请提供一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件，复合薄膜结构包括衬底层，形成在所述衬底层顶表面上的第一复合隔离层，及形成在所述第一复合隔离层上的至少两个薄膜层；相邻两个薄膜层之间设有第二隔离层；所述第一复合隔离层包括至少两个堆叠的子隔离层；其中，所述薄膜层用于传输信号，所述第一复合隔离层和所述第二隔离层用于防止信号泄露。在衬底层与第一薄膜层之间设置具有至少两个堆叠的子隔离层的第一复合隔离层。相比于现有技术中，只采用单层隔离层的方式，第一复合隔离层能够将第一薄膜层传输的信号隔离，防止信号泄露到衬底层。
一种复合薄膜结构及其制备方法电子元器件

[发明专利]压电薄膜复合基板及其制备方法-CN202010071169.1有效
发明人：张秀全;朱厚彬;李真宇;薛海蛟;李洋洋;张涛 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：公开了一种压电薄膜复合基板及其制备方法，所述压电薄膜复合基板包括：衬底；压电薄膜层，位于衬底的上表面上；以及隔离层，位于衬底与压电薄膜层之间。隔离层包括具有不同折射率且彼此交替堆叠的多个子隔离层，并且所述多个子隔离层中的每个子隔离层的折射率小于压电薄膜层的折射率。
压电薄膜复合及其制备方法

[发明专利]一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器-CN202211143999.6在审
发明人：李青云;胡卉;张洪湖;朱厚彬 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G02B6/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器。本发明的端面耦合器采用倒锥形的波导结构来扩大波导的模式直径，同时采用透镜光纤(将单模光纤的模式直径缩小到2.5μm左右)来实现与光波导的耦合。本发明的耦合器具有低插入损耗，对偏振不敏感，大的操作带宽和结构稳定的特点。有助于Si‑LNOI平台在集成光学中的广泛应用。
一种基于铌酸锂复合薄膜端面耦合器

[实用新型]一种应用于抛光设备的定位环-CN202221861763.1有效
发明人：刘桂银;朱厚彬;张秀全;胡卉;胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本申请公开一种应用于抛光设备的定位环，属于抛光设备技术领域，定位环的内表面沿定位环的轴线方向，由定位环的第一表面向定位环的第二表面收缩，其中，所述第一表面和所述第二表面为垂直于所述定位环轴线方向的两个相对表面；所述定位环内设有限位件，所述限位件用于将晶圆放置于所述定位环后，使所述晶圆的外圆周面中靠近第一表面区域与所述定位环的内表面之间留有空隙。这样，在抛光时，定位环的第一表面朝向抛光垫方向，当抛光头向抛光垫方向施压时，定位环使抛光垫产生一定凹陷的形变，但是，由于晶圆与内表面之间留有空隙，因此，可以减轻凹陷的形变对晶圆的边缘的影响，从而可以改善晶圆的边缘与中间区域的抛光程度不一致的问题。
一种应用于抛光设备定位

[发明专利]一种用于改善薄膜层炸裂的方法及薄膜材料-CN202011120688.9有效
发明人：张涛;朱厚彬;张秀全 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本申请公开一种用于改善薄膜层炸裂的方法及薄膜材料，包括：由薄膜晶圆的离子注入面向所述薄膜晶圆内注入离子，在与离子注入区对应的薄膜晶圆内形成薄膜层、分离层和余质层；将薄膜晶圆的离子注入面与基底层键合面键合，得到第一键合体；对第一键合体热处理，得到第二键合体；将第二键合体中与非离子注入区对应的剩余薄膜晶圆，以及，薄膜层均研磨抛光至目标厚度。本申请通过在离子注入区外围保留一圈非离子注入区，使注入离子后，只在离子注入区对应的薄膜晶圆内形成薄膜层和分离层，从而在键合分离时，由于与所述非离子注入区对应的剩余薄膜晶圆的存在，就不会导致薄膜层从翘曲状态瞬间恢复平坦状态，从而解决了薄膜层炸裂的问题。
一种用于改善薄膜炸裂方法材料

[发明专利]光波导集成器件-CN202010071916.1有效
发明人：张秀全;朱厚彬;李真宇;薛海蛟;李洋洋;张涛 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：公开了一种光波导集成器件，所述光波导集成器件可以包括：衬底；第一隔离层，位于衬底上；光波导构件，至少部分地嵌入第一隔离层中并与衬底分隔开；过渡层，设置在第一隔离层和光波导构件上；以及光调制层，设置在过渡层上并且与光波导构件的顶表面叠置。过渡层的位于光调制层与第一隔离层之间的部分和过渡层的位于光调制层与光波导构件之间的部分可以具有不同的成分。
波导集成器件

[发明专利]一种铌酸锂平面波导上的光电探测器及制备方法-CN201910363000.0有效
发明人：王羿文;胡卉;张洪湖;朱厚彬;李青云 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本公开提供了一种铌酸锂平面波导上的光电探测器及制备方法，自下而上分别包括铌酸锂平面波导本体、硅薄膜和叉指电极，所述铌酸锂平面波导本体自下而上依次包括铌酸锂衬底、二氧化硅层和铌酸锂薄膜，通过异质集成非晶硅薄膜的方式在LNOI上制备光电探测器，通过端面耦合的方法将光耦合到铌酸锂单晶薄膜中，利用光电探测器实现了对波导中传播光的探测，其暗电流低，制备简单，为LNOI上集成光芯片的实现探索了道路。
一种铌酸锂平面波导光电探测器制备方法

[发明专利]一种集成光学复合基板-CN202010158416.1有效
发明人：张秀全;朱厚彬;李真宇;薛海蛟;李洋洋;张涛 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01S5/227 文献下载
摘要：本申请提供一种集成光学复合基板，所述集成光学复合基板包括：垂直腔面发射激光器(1)以及覆盖于所述垂直腔面发射激光器顶面上的光调制层(2)，在所述垂直腔面发射激光器(1)的顶部开设贯穿顶面的出光孔(3)，在所述出光孔(3)内填充有光传输层(4)，其中，由所述垂直腔面发射激光器(1)出射的光在光调制层(2)中入射角的角度为目标预设角度，从而直接在光调制层内对入射光进行调制，进而免于增加额外光学器件，降低光学系统的复杂程度，提高光利用率，减小光学系统的体积。
一种集成光学复合

[发明专利]一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件-CN202011348841.3有效
发明人：李真宇;李洋洋;张秀全;朱厚彬;杨超;韩智勇;薛海蛟 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本申请公开一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件，包括：在衬底层上制备隔离层；利用离子注入法和键合法，或者，利用键合法和研磨抛光法，在所述隔离层上制备功能薄膜层；其中，在采用键合法将所述隔离层与薄膜基体键合后，在所述薄膜基体内形成压应力，并且在所述隔离层内形成拉应力，进一步通过对薄膜基体和隔离层施加机械压应力或机械拉应力的方式，或者利用隔离层与薄膜基体自身的热膨胀系数，控制键合前后的温度，从而在隔离层与薄膜基体内形成互相牵制的压应力和拉应力，以实现提高隔离层与薄膜基体折射率差的目的，其制备方法简单，并且不需要挖掘折射率差更大的两种材料，仅用现有的常规材料即可。
一种电光晶体薄膜制备方法电子元器件

[发明专利]一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法-CN201810310621.8有效
发明人： 朱厚彬;胡卉;薛海蛟;张秀全;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L37/02 文献下载
摘要：提供了一种双面带电极的超薄晶片及其制备方法。所述双面带电极的超薄晶片包括超薄晶片以及分别设置在超薄晶片的两个面上的第一金属电极和第二金属电极，其中，所述超薄晶片的厚度为2μm～100μm。
一种双面电极超薄晶片及其制备方法

[发明专利]用于声表面波器件的复合压电衬底的制造方法-CN201810122022.3有效
发明人：李真宇;朱厚彬;张秀全;胡卉 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L41/02 文献下载
摘要：提供一种制造用于声表面波器件的复合压电衬底的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有抛光表面的硅晶圆和压电晶圆，并对其进行半导体级清洗；形成第一键合体；将第一键合体中的压电晶圆依次进行减薄和抛光处理；对减薄和抛光后的第一键合体中的压电晶圆进行离子注入；形成第二键合体；加热第二键合体，以实现压电晶圆的热分离，从而得到复合压电衬底和第三键合体；对复合压电衬底进行退火。回收热分离后得到的第三键合体，从而提高原材料的利用率。
用于表面波器件复合压电衬底制造方法

[发明专利]一种周期极化薄膜基板及其制备方法-CN202010258281.6有效
发明人：王金翠;张秀全;朱厚彬;李真宇;张涛 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本申请提供了一种周期极化薄膜基板及其制备方法，所述周期极化薄膜基板包括依次层压的衬底(1)、缓冲层(2)和压电单晶层(3)，其中，压电单晶层(3)包括至少两层压电单晶子层(31)，相邻压电单晶子层(31)的极化方向相反，通过键合而得，本申请提供的制备方法通过在缓冲层上直接键合多层压电单晶子层从而形成周期极化薄膜基板，该方法在常温下即可进行，工艺难度低，所制得的周期极化薄膜基板的极化周期及周期数量可灵活控制；有效避免由高压造成的击穿风险以及由表面镀电极而造成的表面质量的变差问题，通过设置缓冲层防止光泄露至衬底中，从而降低信号损耗，基于该基板制得的PPLN具有完全贯穿的垂直电畴壁。
一种周期极化薄膜及其制备方法

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