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[发明专利]集成肖特基二极管的功率器件及其制造方法-CN202011027352.8有效
发明人：温正欣;张振中;和巍巍;汪之涵;郑泽东 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述方法包括：外延；沉积氮化硅；沉积二氧化硅；沉积氮化硅；刻蚀源区注入掩膜；源区离子注入；腐蚀露出沟道及基区；阱区离子注入；清洗晶片；基区离子注入；碳膜工艺及退火；牺牲氧化；场氧沉积及刻蚀；高温热氧及退火；多晶硅栅沉积；多晶硅刻蚀；ILD沉积刻蚀；钝化层沉积刻蚀。
集成肖特基二极管功率器件及其制造方法

[发明专利]稀土氧化物的顶部涂层的离子辅助沉积-CN202010512920.7在审
发明人： J·Y·孙;B·P·卡农戈;V·菲鲁兹多尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了稀土氧化物的顶部涂层的离子辅助沉积。制造制品的方法包含以下步骤：提供制品，所述制品诸如，用于蚀刻反应器的腔室部件。执行等离子体喷涂沉积工艺以在腔室部件的至少一个表面上方沉积第一保护层。所述第一保护层是具有大于约50微米的厚度以及多个裂痕与孔隙的抗等离子体的陶瓷。随后执行离子辅助沉积(IAD)工艺以在第一保护层上方沉积第二保护层。所述第二保护层是具有小于50微米的厚度以及小于1％的孔隙度的抗等离子体的稀土氧化物。第二保护层密封第一保护层的所述多个裂痕与孔隙。
稀土氧化物顶部涂层离子辅助沉积

[发明专利]一种简单体系电沉积锌涂层的方法-CN201810685698.3有效
发明人：江凡;石玮峰;吴红艳;赵兴明;李胤;李士泽 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C25D3/66 文献下载
摘要：一种简单体系电沉积锌涂层的方法，包括如下步骤；(1)离子液体液制备：首先将氯化胆碱、氯化锌混合、加热，恒温搅拌至透明粘稠状，生成氯化胆碱‑氯化锌离子液体；(2)电沉积反应：采用锌片作为可溶性阳极，紫铜作为阴极，以上组成电极，然后将电极浸入步骤(1)制备的离子液体中并通过铜丝与电源连接，进行恒电流电沉积反应；(3)样品制备：电沉积反应完成后取出样品进行超声清洗、干燥。本发明采用氯化胆碱和氯化锌为原料，形成为离子液体，以该离子液体为电解液通过直接电沉积制备金属锌涂层，原料组成简单，操作简易，绿色环保，安全无毒，对锌的增值利用具有重要的现实意义。
一种简单体系沉积涂层方法

[发明专利]电感耦合等离子体沉积金刚石的方法-CN201710107276.3有效
发明人：孙元成;宋学富;杜秀蓉;张晓强 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明是关于一种电感耦合等离子体沉积金刚石的方法，采用氩气，氢气和甲烷混合气体为等离子体源气体，通过气体流量控制器进入气体分流器；利用输入功率≥100kW的高频设备提供频率为1‑8MHz的高频振荡电流，产生高频电磁场，形成高频等离子体；所述高频等离子体进入沉积系统中将沉积基体加热，得到沉积金刚石；其中气体分流器的出口为环形分布的小孔阵列。本发明利用大功率电感耦合高频等离子体作为激活热源，采用化学气相沉积法制备金刚石，以较高速率制备大面积、高质量金刚石。
金刚石沉积高频等离子体电感耦合等离子体气体分流器等离子体源气体气体流量控制器高频振荡电流化学气相沉积甲烷混合气体大功率电感高频电磁场氩气沉积系统高频设备环形分布输入功率小孔阵列氢气耦合热源制备加热激活出口

[发明专利]稀土氧化物的顶部涂层的离子辅助沉积-CN201711275217.3有效
发明人： J·Y·孙;B·P·卡农戈;V·菲鲁兹多尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本申请公开了稀土氧化物的顶部涂层的离子辅助沉积。制造制品的方法包含以下步骤：提供制品，所述制品诸如，用于蚀刻反应器的腔室部件。执行等离子体喷涂沉积工艺以在腔室部件的至少一个表面上方沉积第一保护层。所述第一保护层是具有大于约50微米的厚度以及多个裂痕与孔隙的抗等离子体的陶瓷。随后执行离子辅助沉积(IAD)工艺以在第一保护层上方沉积第二保护层。所述第二保护层是具有小于50微米的厚度以及小于1％的孔隙度的抗等离子体的稀土氧化物。第二保护层密封第一保护层的所述多个裂痕与孔隙。
稀土氧化物顶部涂层离子辅助沉积

[发明专利]高密度等离子体化学气相沉积制程形成氧化硅层的方法-CN201910019452.7有效
发明人：林艳兵;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开一种高密度等离子体化学气相沉积(HDP‑CVD)制程形成氧化硅层的方法，包含以下步骤。首先进行装载步骤，将半导体基底置于等离子体反应室内的承载台上，接着进行预热步骤，包含通入预热气体至等离子体反应室。然后，进行沉积步骤，包含通入反应气体至等离子体反应室并开始于半导体基底上沉积氧化硅层，其中该承载台的一冷却系统于沉积步骤中为关闭，使半导体基底于沉积步骤中被逐渐加热至摄氏550度至600度之间。最后进行卸载步骤，将该半导体基底移出该等离子体反应室。
高密度等离子体化学沉积形成氧化方法

[发明专利]一种制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备-CN202111584476.0在审
发明人：朱慧;曹俊 -专利权人：江苏籽硕科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备薄膜均匀性高的离子束溅射沉积设备，涉及溅射镀膜技术领域，包括沉积室，还包括工件和防护罩，沉积室的内壁设置有两个固定台，两个固定台的相对侧设置有工作台，工件设置在移动台的表面，移动台与工作台相贴合，防护罩与工作台的相对侧铰接有铰接杆和V型杆，沉积室的内壁设置有靶台组件，沉积室的内壁设置有两个离子组件，离子组件包括离子源。本发明具备了通过挡板对工件的遮挡，达到了离子源预先对靶材进行高效清理的效果以及提高空间利用率的效果，同时离子组件和靶材组件可进行定向的移动和偏转，以提高制膜的工作效率以及制膜的均匀程度的效果。
一种制备薄膜均匀离子束溅射沉积设备

[发明专利]一种注入金属离子的多层陶瓷扩散偶的制备方法-CN202111595379.1在审
发明人：张清民;蔡梓麒;邵壮;朱康甫;郭宇航 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种注入金属离子的多层陶瓷沉积‑金属扩散偶的制备方法，属于材料制备技术领域。采用的方案为：1)利用化学气相沉积法在衬底表面依次沉积热解碳层和立方相碳化硅层；2)采用脉冲激光沉积法在在经步骤1)处理后的样品的表面沉积一层碳化硅密封涂层；3)采用离子注入法将金属离子注入到经步骤2)处理后的样品的热解碳层中，制得金属离子掺杂的多层陶瓷扩散偶。经过本发明制备出的扩散偶的多层涂层之间，多层涂层与碳化硅密封涂层之间、多层涂层与衬底之间的结合良好，离子注入的金属元素在涂层中溶解度适中，处理后其在热退火下的结构稳定性和金属离子的包容性得到明显提高。
一种注入金属离子多层陶瓷扩散制备方法

[发明专利]壳体的制备方法、壳体以及应用-CN202010529057.6有效
发明人：李可峰;许仁;王伟 -专利权人：维达力科技股份有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：该壳体的制备方法中，通过第一离子注入处理对壳体基材进行表层注入改性、通过第二离子注入对壳体基材表面的沉积层进行改性处理，能够有效提高壳体的表面硬度和改性层间稳定性。第一离子注入处理中通过非气体元素的离子进行处理，第二离子注入处理中采用气体元素的离子进行处理，能够使沉积层表现出良好的硬度，使沉积层更加稳定，有利于提高壳体表面硬度的稳定性；还能够使沉积层具有更好的加工性能，在后续热处理、加工镀层或者加工装饰层等过程中，热处理更加充分，镀层或装饰层与沉积层的结合力更好，由此得到的多层结构的壳体更加稳定。
壳体制备方法以及应用

[发明专利]离子液体氯化铟/氯化正丁基吡啶体系电镀液-CN201010572600.7无效
发明人：田鹏;张辉;张长生;史振彦;张苗壹;魏来;杨子千;张晓楠 -专利权人：沈阳师范大学
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： C25D3/54 文献下载
摘要：离子液体氯化铟/氯化正丁基吡啶体系电镀液(g·kg-1)，由以下组成：无水氯化铟InCl3：410～580，氯化正丁基吡啶(BPC)：310～480，金属铟(In)：20～40，乙二醇：40～80，明胶大多数能在水溶液中电沉积得到的金属，同样也能在离子液体中电沉积获得。离子液体的特性使其具备如下优势：一是由于其电化学窗口较宽，电沉积过程中副反应较少，因此得到的金属质量更高；二是离子液体的操作温度范围相对较宽，有利于研究电沉积工艺的影响。制备稀散金属离子液体氯化铟/氯化正丁基吡啶体系电镀液，以及研究稀散金属及其合金在离子液体中的电沉积为化学和化学工业的可持续发展提供了新的发展方向。
离子液体氯化丁基吡啶体系电镀

[发明专利]一种离子辅助溅射沉积制备TiN刀具涂层方法-CN202010940998.9在审
发明人：丁力;肖菲;张法光;杨丽萍;韩洪雄 -专利权人：贵州省机电研究设计院
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子辅助溅射沉积制备TiN刀具涂层方法，包括以下步骤；A、采用N离子对刀具表面氧化层进行离子清洗；B、通过离子注入N的方法在刀刃近表面和表面形成注入层；C、在注入层的表面同时进行氮离子注入和TiN离子溅射，沉积一层硬质TiN沉积层。本发明先采用离子注入的方法在刀具基体表面形成注入层，增加刀刃的硬度、强度及耐摩擦性能的同时，改善刀具表面与后续涂层间的物理、化学匹配性能，为获得高结合强度刀具涂层奠定基础。然后通过离子注入法辅助离子溅射沉积方法制备较厚涂层，可以进一步提高涂层的结合强度，使得刀具在生产加工时涂层不会因冲击导致脱落而影响加工效率和效果，可满足更高、更苛刻的环境要求。
一种离子辅助溅射沉积制备 tin 刀具涂层方法

[发明专利]双离子束直接沉积类金刚石膜的工艺-CN01128592.3无效
发明人：周灵平;朱启良;李绍禄;过骐千;林美娟;黄桂芳;王锦辉;李德意;厉学文;靳九成;吴玉珍;唐应时;白玉兰;汪亮明;李夏平 -专利权人：湖南大学
申请日： 2001-09-12 - 公布日： 2002-05-08 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种双离子束直接沉积类金刚石膜的工艺,其特征在于用双离子束轰击制作混合界面,低能离子束直接沉积类金刚石膜;用低能含碳离子束直接沉积类金刚石膜层,同时用中能Ar+离子束轰击膜层,将碳离子注入到基体表层足够的深度,以混合膜基原子形成能显著提高膜粘结强度的模糊界面,在此过程中两离子束束流进行交替变化,界面混合一定时间后,停止中能离子束轰击,低能含碳离子束继续直接沉积类金刚石膜。
离子束直接沉积金刚石工艺

[发明专利]阳离子电沉积涂料组合物-CN02148247.0无效
发明人：川上一郎;坂本裕之;堀仁;齐藤孝夫;西尾正浩 -专利权人：日本油漆株式会社
申请日： 1997-07-23 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： C09D5/44 文献下载
摘要：公开了一种阳离子电沉积方法和可获得高泳透力的涂料组合物。所述方法包括(1)将基材浸入阳离子电沉积涂料组合物中，(2)在阳极和基材(作为阴极)上施加电压，产生沉积，(3)再向沉积物施加电压，以增加单位体积沉积物的电阻。所述步骤(3)用于在基材的未涂覆区进行沉积，在恒流条件下在电沉积过程中所述涂料组合物具有一时间点，此时单位体积沉积物的电阻增大。
阳离子沉积涂料组合

[发明专利]阳离子电沉积涂覆方法和阳离子电沉积涂料组合物-CN97190947.4无效
发明人：川上一郎;坂本裕之;堀仁;齐藤孝夫;西尾正浩 -专利权人：日本油漆株式会社
申请日： 1997-07-23 - 公布日： 1998-11-04 - 主分类号： C25D13/00 文献下载
摘要：公开了一种阳离子电沉积方法和可获得高泳透力的涂料组合物。所述方法包括(1)将基材浸入阳离子电沉积涂料组合物中,(2)在阳极和基材(作为阴极)上施加电压,产生沉积,(3)再向沉积物施加电压,以增加单位体积沉积物的电阻。所述步骤(3)用于在基材的未涂覆区进行沉积,在恒流条件下在电沉积过程中所述涂料组合物具有一时间点,此时单位体积沉积物的电阻增大。
阳离子沉积方法涂料组合

[发明专利]利用等离子体辅助原子层沉积技术制造半导体装置的方法-CN202111258327.5在审
发明人：颜聪富;张光瑞;蔡群贤;李庭鹃;蔡群荣 -专利权人：台湾奈米碳素股份有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种利用等离子体辅助原子层沉积技术制造半导体装置的方法，包括：提供基板，基板包括硅基板及第一氧化层，第一氧化层位于硅基板上。沉积多个堆叠层于基板上，每个堆叠层包括介电层及导体层。蚀刻堆叠层以形成沟槽。使用等离子体辅助原子层沉积设备沉积第二氧化层。等离子体辅助原子层沉积设备包括腔室、上电极、下电极及三维旋转装置。上电极位于腔室的上方并连接第一射频功率装置，上电极用于产生等离子体。沉积高电阻层于第二氧化层上。沉积低电阻层于高电阻层上。
利用等离子体辅助原子沉积技术制造半导体装置方法