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[发明专利]热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法及装置-CN200310110350.5无效
发明人：陈光华;阴生毅 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2003-12-31 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法及装置，属微波低温等离子体领域。本发明方法包括利用电子回旋共振系统中的微波源、磁场线圈在谐振腔内产生电子回旋共振的等离子体，特征在于，在谐振腔出口与沉积室的样片台之间，增加对等离子体产生热辐射的热丝单元，促使等离子体中的气体更充分分解，且环位于等离子体之外，不会阻碍薄膜沉积。装置特征：在谐振腔10出口与沉积室11内的样片台12之间设置促使气体充分分解的热丝单元，该热丝单元由置于沉积室11的热丝环15，固定热丝环15的夹持电极16，真空封装电极17及置于沉积室11外的热丝电源18组成，沉积室11内的等离子体23从热丝环15中穿过。
辅助微波电子回旋共振化学沉积方法装置

[发明专利]利用H2等离子体的可流动膜固化-CN201980035901.5在审
发明人：江施施;P·曼纳;A·B·玛里克;S·C·赛斯;S·D·内马尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文的实施例提供对使用可流动化学气相沉积(flowable chemical vapor deposition；FCVD)工艺沉积的非晶硅层进行等离子体处理的方法。在一个实施例中，处理基板的方法包括通过以下步骤等离子体处理非晶硅层：使实质上无硅的氢处理气体流入处理腔室的处理容积中，所述处理容积中具有设置在基板支撑件上的基板；形成实质上无硅的氢处理气体的处理等离子体；和将基板的表面上沉积有非晶硅层的基板暴露于处理等离子体。在此，使用FCVD工艺沉积非晶硅层。FCVD工艺包括：将基板定位在基板支撑件上；使处理气体流入处理容积中；形成处理气体的沉积等离子体；将基板的表面暴露于沉积等离子体；和在基板的表面上沉积非晶硅层。
利用 h2 等离子体流动固化

[发明专利]镀膜设备-CN202110984829.X在审
发明人：左国军;梁建军;杨虎 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种镀膜设备，包括：等离子体组件，包括：第一电极组件；第二电极组件，与第一电极组件的间隙形成沉积空间，物料位于沉积空间；热丝组件，用于利用温度场使反应物分解。本发明的技术方案中，同时采用等离子体增强化学气相沉积和热丝化学气相沉积工艺对硅片进行镀膜，热丝组件能够减弱离子轰击的副作用，降低由于离子轰击导致膜层产生缺陷的可能性，且热丝组件的无离子轰击作用有利于提高沉积薄膜的质量，结合第一电极组件和第二电极组件的等离子体增强的作用，薄膜的沉积面积均匀性好，降低了热丝本身镀膜的可能性，有利于实现太阳能电池的规模化生产，达到高速沉积微晶硅和纳米硅的目的，提高产品质量。
镀膜设备

[发明专利]在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法-CN200810064329.9有效
发明人：姜兆华;姚忠平;王云龙 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C25D9/06 文献下载
摘要：在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法，它涉及一种等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法。它克服了现有等离子体液相电解沉积技术不能对铜及其合金进行表面处理的技术偏见，解决了无法利用该技术在铜及其合金表面直接制备陶瓷膜的问题。方法步骤是：一、对铜及其合金的待反应表面进行清理，然后用聚四氟乙烯包裹露出反应面积，再放入电解液中作为阳极；二、以不锈钢为阴极，接通脉冲电源，均匀搅拌电解液，等离子体液相电解沉积，得到表面沉积陶瓷膜的铜及其合金本发明实现了铜及其合金表面的等离子体液相电解沉积陶瓷膜，克服了现有等离子体液相电解沉积技术不能对铜及其合金进行表面处理的技术偏见。
及其合金表面等离子体液电解沉积陶瓷膜方法

[实用新型]镀膜设备-CN202122003524.4有效
发明人：左国军;梁建军;杨虎 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供了一种镀膜设备，包括：等离子体组件，包括：第一电极组件；第二电极组件，与第一电极组件的间隙形成沉积空间，物料位于沉积空间；热丝组件，用于利用温度场使反应物分解。本实用新型的技术方案中，同时采用等离子体增强化学气相沉积和热丝化学气相沉积工艺对硅片进行镀膜，热丝组件能够减弱离子轰击的副作用，降低由于离子轰击导致膜层产生缺陷的可能性，且热丝组件的无离子轰击作用有利于提高沉积薄膜的质量，结合第一电极组件和第二电极组件的等离子体增强的作用，薄膜的沉积面积均匀性好，降低了热丝本身镀膜的可能性，有利于实现太阳能电池的规模化生产，达到高速沉积微晶硅和纳米硅的目的，提高产品质量。
镀膜设备

[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法-CN201210001348.3有效
发明人：陈强;杨丽珍;王正铎;刘忠伟;张春梅;张受业 -专利权人：北京印刷学院
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：一种等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜的方法属于等离子体应用技术领域。本发明涉及一种采用空心阴极增强等离子体化学气相沉积工艺制备微晶硅薄膜的方法，尤其是利用微空心阴极阵列电极结构可以增加等离子体密度进而提高薄膜的沉积速率。这种电极结构可以提高放电效率，进而提高单体裂解率，增加空间里的活性基团浓度，大大提高薄膜的沉积速率，并可降低沉积温度。
一种等离子体增强化学沉积微晶硅薄膜方法

[实用新型]真空弧离子注入与磁过滤等离子体沉积复合机-CN200420084484.4无效
发明人：吴先映;李强;彭建华;刘安东;张荟星;张孝吉;张胜基 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：一种真空弧离子注入与磁过滤等离子体沉积复合机。该设备利用金属蒸汽真空弧离子源提供的载能离子束实现工件的清洗和通过离子注入工件表面改性提高基体与膜层或过渡层结合力；并采用视线外磁过滤金属蒸气真空弧等离子体沉积技术，得到高光洁度、高薄膜密度、良好的薄膜与基体结合力等高质量镀膜根据需要，真空弧离子注入与磁过滤等离子体沉积复合机可以安装多个金属蒸汽真空弧离子源和多个视线外磁过滤金属蒸气真空弧等离子体沉积源；可以实现离子束清洗，单独离子注入，混合离子注入，单质镀膜，多层镀膜，混合镀膜以及离子注入与镀膜同时进行等功能
真空离子注入过滤等离子体沉积复合机

[发明专利]等离子处理方法-CN201980005144.7在审
发明人：谷山雅章;桑原谦一;宇根聪 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明是一种使用掩模对被蚀刻膜进行等离子蚀刻的等离子处理方法，其特征在于，具有：沉积工序，对载置有成膜了所述被蚀刻膜的试料的试料台提供高频电力，并且使含有硼元素的沉积膜沉积到所述掩模；以及蚀刻工序，在所述沉积工序之后，使用等离子对所述被蚀刻膜进行蚀刻。
等离子处理方法

[发明专利]电池负极及其加工方法和电池-CN201911252212.8有效
发明人：李光胤 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：通过为电池负极设置基层和设置于基层的多孔碳附加物，并使多孔碳附加物的孔状结构的嵌合配合面积大于基层的沉积结构的嵌合配合面积，使得电池负极通过多孔碳附加物中嵌合配合面积较大的孔状结构，改变了离子电池中例如锂离子、钠离子等离子的沉积机理，增加了离子沉积空间，因而提升了锂离子、钠离子等离子在电池负极脱嵌效率，避免离子沉积形成枝晶，进而提升了电池的充电效率和使用安全性。
电池负极及其加工方法

[发明专利]等离子化学气相沉积的纳米超疏水涂层及其制备方法-CN202010872344.7有效
发明人：高彦峰;曾楚莹;吕伟桃;梁宸;李嘉惠 -专利权人：佛山市思博睿科技有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本发明涉及化工涂料技术领域，具体涉及一种等离子化学气相沉积的纳米超疏水涂层及其制备方法。包括以下步骤：S1)对基材的表面进行清洗；S2)对基材的表面进行活化；S3)疏水涂层的制备；S4)纳米沉积超疏水膜的制备：对所述疏水涂层进行活化沉积处理，纳米沉积超疏水膜沉积吸附于所述疏水涂层的表面。本发明还提出了所述等离子化学气相沉积的纳米超疏水涂层，根据所述的等离子化学气相沉积的纳米超疏水涂层的制备方法制得，具有无污染、安全可靠的特点，具有出色的耐摩擦、耐水浸泡、耐溶剂和耐盐雾性能，使用寿命长久所述纳米沉积超疏水膜为吸附于所述疏水涂层的外表的等离子化学沉积的纳米疏水膜。
等离子化学沉积纳米疏水涂层及其制备方法

[发明专利]气相沉积前体化合物及使用方法-CN202180040494.4在审
发明人： P·S·H·陈;E·孔多;B·C·亨德里克斯;T·H·鲍姆;D·凯珀 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种沉积抗蚀刻SiOCN膜的等离子体增强型原子层沉积(PEALD)方法。这些膜提供改良的生长速率、改良的步阶覆盖率及对湿蚀刻剂及含有O2及NH3共反应物之后沉积等离子体处理的极佳抗蚀刻性。此种PEALD方法依赖于一或多种前体与等离子体暴露串联反应以沉积SiOCN的抗蚀刻薄膜。在沉积后及在后沉积等离子体处理后，所述膜均呈现对用稀HF水溶液湿蚀刻的极佳抗性。因此，预期这些膜呈现针对装置制造及构建期间所使用的后沉积制造步骤的极佳稳定性。
沉积化合物使用方法

[发明专利]一种铝溶胶和金属镍离子共沉积的方法-CN201310364989.X有效
发明人：周琦;曾齐 -专利权人：沈阳理工大学
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C25D3/12 文献下载
摘要：一种铝溶胶和金属镍离子共沉积的方法，包括下列步骤：第一步、前处理。第二步、铝溶胶和金属镍离子的电镀-电泳共沉积。在镀镍液中加入铝溶胶，制成铝溶胶和金属镍离子共沉积的镀镍液。将前处理后的工件放入铝溶胶和金属镍离子共沉积的镀镍液中，进行电镀-电泳共沉积，在工件表面得到金属镍和铝溶胶的共沉积复合膜。第三步、用流动自来水冲洗工件，然后烘干。在镀镍液中加入铝溶胶进行电镀，可以得到亮度高的铝溶胶和金属镍的共沉积复合膜，并且降低了起镀温度，节约了能源。
一种溶胶金属离子沉积方法

[发明专利]用于在工件上无电沉积NiFe的组合物和方法-CN200480030104.1无效
发明人：约翰·J.·德厄索;贾纳尔·A.·莫拉;凯利·W.·凯勒 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2004-10-20 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：提供了用于在工件(30)上无电沉积NiFe的方法和组合物。用于在工件(30)上无电沉积NiFe的沉积溶液由镍离子源、亚铁离子源、络合剂、还原剂和降pH值剂形成。该沉积溶液基本没有碱金属离子。用于磁电子器件的磁通量集中系统的制造方法从提供工件(30)并在工件(30)之上形成绝缘材料层(34)来开始，在绝缘材料层(34)中形成沟槽(36)，并在沟槽(36)内沉积阻挡层(40)，在所述阻挡层(40)之上沉积NiFe包覆层(46)，在沉积了NiFe包覆层(46)之后，靠近沟槽的绝缘材料层(34)的碱金属离子浓度小于大约1×10¹¹个原子/cm²。
用于工件上无电沉积 nife 组合方法

[发明专利]柔性OLED面板的制作方法及柔性OLED面板-CN201710793594.X在审
发明人：张鹏振 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性OLED面板的制作方法及柔性OLED面板，包括提供一有机材料基板；在所述有机材料基板上沉积金属保护层，其中，所述金属保护层具有耐腐蚀性；在所述金属保护层上采用高温等离子增强化学气相沉积工艺沉积缓冲层；在所述缓冲层上形成半导体层；所述金属保护层用于防止所述缓冲层高温等离子增强化学气相沉积制程对等离子增强化学气相沉积腔体和管道的污染。本发明提供了一种柔性OLED面板的制作方法及柔性OLED面板，通过在有机材料基板上制备一金属保护层以防止所述缓冲层高温等离子增强化学气相沉积制程对等离子增强化学气相沉积腔体和管道的污染，进而提升柔性OLED
柔性 oled 面板制作方法

[发明专利]采用离子液体低温电沉积制备Al-Ti合金或电镀Al-Ti合金的方法-CN201010559676.6无效
发明人：徐存英;华一新;刘亚伟;张笑盈;李艳;裴启飞 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： C25C1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用离子液体低温电沉积技术制备Al-Ti合金或电镀Al-Ti合金的方法，其特征在于采用有机物与无水三氯化铝合成离子液体，加入适量的钛盐制备成离子液体电解质，预处理过的基体为沉积阴极，采用直流电沉积制备本发明采用的离子液体来源广泛、价格低廉、电化学窗口宽，电导率高、环境友好且能有效溶解钛盐，用离子液体低温电沉积技术制备Al-Ti合金及其镀层可有效地降低了电沉积温度和槽电压，降低了能耗和大大减缓了对设备的腐蚀，得到的沉积层性能优异，沉积层的厚度和钛含量易于控制。
采用离子液体低温沉积制备 al ti 合金电镀方法

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