专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有叠层结构的TiC/TiN金属陶瓷及其制备方法-CN202010742635.4有效
  • 梁家昌;郑震 - 上海梁为科技发展有限公司
  • 2020-07-29 - 2022-08-16 - C04B35/56
  • 本发明提供了一种具有叠层结构的TiC/TiN金属陶瓷及其制备方法,具有叠层结构的TiC/TiN金属陶瓷从下至上依次包括TiC层、TiC‑TiN过渡层、TiN层、TiN‑TiC过渡层、TiC层……TiC‑TiN过渡层、TiN层、TiN‑TiC过渡层、TiC层。该具有叠层结构的TiC/TiN金属陶瓷,兼具TiN的韧性和TiC的硬度,且具备良好的延展性,耐热性、耐磨性、抗冲击性能。具有叠层结构的TiC/TiN金属陶瓷的制备方法,通过3D打印设备按照TiC层‑TiN层‑TiC层‑TiN层‑TiC层的层叠顺序逐层进行打印,并通过超强脉冲能量束或粒子束对TiC层与TiN层之间的界面进行快速地冷加工处理,形成结合TiC层与TiN层的TiC‑TiN过渡层,可提高TiC纳米材料与TiN纳米材料的浸润性,能够较好地实现TiC纳米材料TiN纳米材料复合,形成兼具硬度和韧性的叠层结构的TiC/TiN陶瓷。
  • 具有结构tictin金属陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]RRAM阻变结构下电极的工艺方法-CN201910914898.6有效
  • 唐优青;张志刚 - 上海华力微电子有限公司
  • 2019-09-26 - 2023-06-13 - H10N70/20
  • 本发明提供一种RRAM阻变结构下电极的工艺方法,本发明采用改变晶格结构的方法,将沉积TiN的程式改为多次沉积的基础之上,在每层TiN之间插入薄薄一层Ti,阻断TiN晶格的生长,而在依次交替形成的TiN、Ti层中,通过改变沉积工艺条件中的N2、Ar流量比例以及电源功率的方法来达到改变交替形成的TiN、Ti层中相邻TiN层的不同晶格结构,在顶部TiN层使用现有的晶格结构的TiN层,既避免了改变TiN晶格对整个device器件的影响,又同时得到较好填充的TiN且CMP后无碟状现象的下电极TiN
  • rram结构电极工艺方法
  • [发明专利]TiN(B)@TiO2-CN202110088895.9有效
  • 刘双宇;陆萍;周临震 - 盐城工学院
  • 2021-01-22 - 2022-07-05 - C01B21/076
  • 本发明属于新型复合陶瓷颗粒材料合成技术领域,公开了一种TiN(B)@TiO2核‑壳颗粒粉末材料及其制备方法,TiN(B)@TiO2核‑壳颗粒粉末材料由TiN(B)核心和包覆在TiN(B)外部的TiO2壳层组成;所述TiN(B)@TiO2核‑壳颗粒粉末材料的核心是固溶有B元素的TiN,其中B的成分为0.5‑8at%,表示为TiN(B),具有TiN型晶体结构,导电性优于TiN;TiO2TiN(B)核心上原位生长,与TiN(B)结合紧密,外部有微孔,表面积大,包含B元素,B的含量为0.2‑1at%。
  • tintiobasesub
  • [发明专利]一种单晶TiN电极薄膜及其制备方法-CN202010631630.4在审
  • 陆旭兵;成佳运;樊贞 - 华南师范大学
  • 2020-07-03 - 2020-11-20 - C30B29/38
  • 本发明涉及一种单晶TiN电极薄膜及其制备方法,所述单晶TiN电极薄膜的制备方法包括如下步骤:S1:加热蓝宝石衬底,并在真空环境下、以0.6~1.0J/cm2的激光能量密度,在所述蓝宝石衬底上采用脉冲激光溅射TiN靶材;S2:待TiN薄膜在所述蓝宝石衬底上沉积完成,原位退火后,再冷却至室温,得到单晶TiN电极薄膜。本发明采用高能量激光束刻蚀TiN靶材,能够提高单晶TiN电极薄膜表面原子迁移率,有利于改善单晶TiN电极薄膜的生长质量,形成单一取向,且具备高导电性能的单晶TiN电极薄膜。本发明采用脉冲激光沉积技术制备单晶TiN电极薄膜,具有有无污染、工艺简单、可精确控制薄膜化学计量等优点。
  • 一种tin电极薄膜及其制备方法
  • [发明专利]超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法-CN202111399653.8在审
  • 温海东;高海霞 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2021-11-24 - 2022-03-01 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法,包括:按现有技术完成前序工序,直至完成沟槽刻蚀;沉积TiN;沉积包裹层,包裹TiN;光刻定义保护区和非保护区,形成保护层保护保护区,露出非保护区;刻蚀去除非保护区的包裹层,露出非保护区的TiN;去除保护区的保护层;刻蚀去除非保护区的TiN;沉积包裹层,包裹保护区的TiN;刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的包裹层,形成包裹层侧壁;刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及包裹层侧壁,保留沟槽侧壁的TiN。本发明能有效保留超快闪存储器sidewall浮栅TiN薄膜,提高器件性能和均一性。
  • 闪存储器浮栅tin薄膜制作方法
  • [发明专利]一种改善金属功函数边界效应的方法-CN202110685076.2在审
  • 翁文寅 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2021-06-21 - 2021-10-15 - H01L27/11
  • 本发明提供一种改善金属功函数边界效应的方法,在第一至第四Fin结构上沉积第一TiN层;第二、第三Fin结构上的第一TiN层连续分布;去除第三Fin结构上的第一TiN层;被去除的第一TiN层的边缘位于第二、第三Fin结构中线处向第二Fin结构推进第一距离处;沉积第二TiN层,第二、第三Fin结构上的第二TiN层连续分布;去除第二Fin结构及其上的第二、第一TiN层;第二、第三Fin结构间靠近第二Fin结构的部分第二TiN层被去除,被去除的第二TiN层的边缘从第二、第三Fin结构中线处向第二Fin结构推进第二距离。采用本发明的方法可以使得超低阈值电压P型管的Fin结构底部边缘的TiN层厚度更薄;在刻蚀时使得TiN层不易出现底部切断现象,从而减小金属边界效应,有利于增大器件的阈值电压。
  • 一种改善金属函数边界效应方法
  • [发明专利]一种TiN膜层形貌的刻蚀方法及TiN膜层-CN202210290078.6在审
  • 陈定平;刘重伶;周克涝;金航;刘欣;罗浩;胡华胜 - 深圳方正微电子有限公司
  • 2022-03-23 - 2022-07-22 - H01L21/306
  • 本申请属于半导体集成电路技术领域,尤其涉及一种TiN膜层形貌的刻蚀方法及TiN膜层。该方法包括:对待刻蚀膜层,首先以光刻胶为掩膜,对待刻蚀膜层中的氧化硅膜层进行刻蚀,使氧化硅膜层呈正八字形态;然后以呈正八字形态的氧化硅膜为掩膜,对待刻蚀膜层中的TiN膜层进行刻蚀,使TiN膜层呈正八字形态;进一步的,采用湿法侧向腐蚀呈正八字形态的TiN膜层,使TiN膜层呈正梯形形貌,且TiN膜层的侧面与P‑氮化镓的顶面的内夹角位于85‑90度之间;剥去氧化硅膜后,得到目标TiN形貌的膜层。通过该方法制备的TiN膜层的TiN层与p‑GaN层的接触面积较大,能够减少TiN层与p‑GaN组成的反向的肖特基结的漏电情况,保证其具有较大的开启电压和较强的抗噪声能力。
  • 一种tin形貌刻蚀方法

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