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[发明专利]制造制品的方法-CN201910520900.1有效
发明人： J·Y·孙;B·P·卡农戈;T·赵 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：一种制造制品的方法，包括：提供体；以及以陶瓷涂层涂覆所述体的至少一个表面，所述陶瓷涂层包括：在约45摩尔％到约99摩尔％之间的范围内的Y2O3、在从约0摩尔％到约55摩尔％的范围内的ZrO2、以及在从约0摩尔％到约10摩尔％的范围内的Al2O3。
制造制品方法

[发明专利]用于高温应用的耐等离子体腐蚀的薄膜涂层-CN202010090438.9有效
发明人： V·菲鲁兹多尔;B·P·卡农戈;J·Y·孙;M·J·萨里纳斯;J·A·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：诸如基座之类的制品包括热传导材料的主体，所述主体由所述主体表面上方的第一保护层与第二保护层涂覆。第一保护层是热传导陶瓷。第二保护层覆盖第一保护层，并且是可在650℃温度下抵抗破裂的耐等离子体的陶瓷薄膜。
用于高温应用等离子体腐蚀薄膜涂层

[发明专利]使用相与应力控制的等离子体喷涂涂覆设计-CN202110908948.7有效
发明人： J·Y·孙;陈益凯;B·P·卡农戈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：为了制造用于半导体处理室的制品的涂层，提供包括Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体的制品，并且陶瓷涂层被涂覆在所述主体上，其中，所述陶瓷涂层包括Y2O3、Al2O3和ZrO2的化合物。通过一方法将陶瓷涂层施加至所述主体，所述方法包括以下步骤：提供等离子体喷涂系统，所述等离子体喷涂系统具有在约100A至约1000A之间的范围中的等离子体电流；将所述等离子体喷涂系统的喷炬支架定位在距所述主体约60mm与约250mm之间的距离；使第一气体以约30L/min与约400L/min之间的速率流过所述等离子体喷涂系统；以及对所述主体进行等离子体喷涂涂覆以形成等离子体涂层，其中，所述涂层的喷溅是非晶的并具有盘饼形状。
使用相与应力控制等离子体喷涂设计

[发明专利]抗等离子体腐蚀的稀土氧化物基薄膜涂层-CN202010788490.1有效
发明人： J·Y·孙;B·P·卡农戈;V·菲鲁兹多尔;T·赵 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及抗等离子体腐蚀的稀土氧化物基薄膜涂层。制品包含主体和至少一个保护层，所述保护层位于所述主体的至少一个表面上。所述至少一个保护层是具有小于约20微米的厚度、并包含陶瓷的薄膜，所述陶瓷选自由以下各项组成的组：Y3Al5O12、Y4Al2O9、Er2O3、Gd2O3、Er3Al5O12、Gd3Al5O12以及含Y4Al2O9与Y2O3‑ZrO2固体溶液的陶瓷化合物。
等离子体腐蚀稀土氧化物薄膜涂层

[发明专利]使用相与应力控制的等离子体喷涂涂覆设计-CN201580001477.4有效
发明人： J·Y·孙;陈益凯;B·P·卡农戈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：为了制造用于半导体处理室的制品的涂层，提供包括Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体的制品，并且陶瓷涂层被涂覆在所述主体上，其中，所述陶瓷涂层包括Y2O3、Al2O3和ZrO2的化合物。通过一方法将陶瓷涂层施加至所述主体，所述方法包括以下步骤：提供等离子体喷涂系统，所述等离子体喷涂系统具有在约100A至约1000A之间的范围中的等离子体电流；将所述等离子体喷涂系统的喷炬支架定位在距所述主体约60mm与约250mm之间的距离；使第一气体以约30L/min与约400L/min之间的速率流过所述等离子体喷涂系统；以及对所述主体进行等离子体喷涂涂覆以形成等离子体涂层，其中，所述涂层的喷溅是非晶的并具有盘饼形状。
使用相与应力控制等离子体喷涂设计

[发明专利]用于盖与喷嘴上的稀土氧化物基涂层的离子辅助沉积-CN201910305677.9有效
发明人： J·Y·孙;B·P·卡农戈;V·菲鲁兹多尔;Y·张 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理腔室的腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法。制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微英寸或更小的平均表面粗糙度的抗等离子体的稀土氧化物膜。
用于喷嘴稀土氧化物涂层离子辅助沉积

[发明专利]抗等离子体的陶瓷涂层的浆料等离子体喷涂-CN201580001485.9有效
发明人： J·Y·孙;B·P·卡农戈;陈益凯;V·菲鲁兹多尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本文中公开的是用于生产超致密和超平滑的陶瓷涂层的方法。一种方法包括：将陶瓷颗粒浆料馈送到等离子体喷涂器中。所述等离子体喷涂器生成被引导向基板的颗粒流，从而在接触时在所述基板上形成陶瓷涂层。
等离子体陶瓷涂层浆料喷涂

[发明专利]制品及用于制造腔室的腔室组件-CN201710750789.6有效
发明人： J·Y·孙;B·P·卡农戈;T·赵 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种制品及用于制造腔室的腔室组件。一种制品包括涂覆有陶瓷涂层的主体。该陶瓷涂层可以包括：在约45摩尔％到约99摩尔％之间的范围内的Y2O3、在约0摩尔％到约55摩尔％之间的范围内的ZrO2、以及在约0摩尔％到约10摩尔％之间的范围内的Al2O3。或者，该陶瓷涂层可以包括：在约30摩尔％到约60摩尔％之间的范围内的Y2O3、在约0摩尔％到约20摩尔％之间的范围内的ZrO2、以及在约30摩尔％到约60摩尔％之间的范围内的Al2O3。
制品用于制造组件

[发明专利]稀土氧化物的顶部涂层的离子辅助沉积-CN202010512920.7在审
发明人： J·Y·孙;B·P·卡农戈;V·菲鲁兹多尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了稀土氧化物的顶部涂层的离子辅助沉积。制造制品的方法包含以下步骤：提供制品，所述制品诸如，用于蚀刻反应器的腔室部件。执行等离子体喷涂沉积工艺以在腔室部件的至少一个表面上方沉积第一保护层。所述第一保护层是具有大于约50微米的厚度以及多个裂痕与孔隙的抗等离子体的陶瓷。随后执行离子辅助沉积(IAD)工艺以在第一保护层上方沉积第二保护层。所述第二保护层是具有小于50微米的厚度以及小于1％的孔隙度的抗等离子体的稀土氧化物。第二保护层密封第一保护层的所述多个裂痕与孔隙。
稀土氧化物顶部涂层离子辅助沉积

[发明专利]抗等离子体腐蚀的稀土氧化物基薄膜涂层-CN201480030094.5有效
发明人： J·Y·孙;B·P·卡农戈;V·菲鲁兹多尔;T·赵 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：制品包含主体和至少一个保护层，所述保护层位于所述主体的至少一个表面上。所述至少一个保护层是具有小于约20微米的厚度、并包含陶瓷的薄膜，所述陶瓷选自由以下各项组成的组：Y3Al5O12、Y4Al2O9、Er2O3、Gd2O3、Er3Al5O12、Gd3Al5O12以及含Y4Al2O9与Y2O3‑ZrO2固体溶液的陶瓷化合物。
等离子体腐蚀稀土氧化物薄膜涂层

[发明专利]稀土氧化物基单片式腔室材料-CN202010165477.0在审
发明人： J·Y·孙;B·P·卡农戈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-11-11 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本申请公开了稀土氧化物基单片式腔室材料。一种固体烧结陶瓷制品可包括固溶体，所述固溶体包含：约30摩尔％至约60摩尔％的浓度的Y2O3；约20摩尔％至约60摩尔％的浓度的Er2O3；以及约0摩尔％至约30摩尔％的浓度的ZrO2、Gd2O3或SiO2的至少一者。或者，所述固体烧结陶瓷制品可包括固溶体，所述固溶体包含40‑100摩尔％的Y2O3、0‑50摩尔％的ZrO2以及0‑40摩尔％的Al2O3。
稀土氧化物单片式腔室材料

[发明专利]针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料-CN201710717962.2有效
发明人： J·Y·孙;B·P·卡农戈;D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料。为了针对一种用于半导体处理腔室的制品制造涂层，该制品包括Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体及主体上的陶瓷涂层。陶瓷涂层包括一化合物，该化合物包含自约50摩尔％至约75摩尔％范围内的Y2O3、自约10摩尔％至约30摩尔％范围内的ZrO2及自约10摩尔％至约30摩尔％范围内的Al2O3，其中每英寸节结的数目处于自约30个节结至约45个节结的范围内且孔隙率处于自约2.5％至约3.2％的范围内。
针对先进元件晶圆上粒子性能化学相容性涂层材料

[发明专利]稀土氧化物的顶部涂层的离子辅助沉积-CN201580001478.9有效
发明人： J·Y·孙;B·P·卡农戈;V·菲鲁兹多尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：制造制品的方法包含以下步骤：提供制品，所述制品诸如，用于蚀刻反应器的腔室部件。执行等离子体喷涂沉积工艺以在腔室部件的至少一个表面上方沉积第一保护层。所述第一保护层是具有大于约50微米的厚度以及多个裂痕与孔隙的抗等离子体的陶瓷。随后执行离子辅助沉积(IAD)工艺以在第一保护层上方沉积第二保护层。所述第二保护层是具有小于50微米的厚度以及小于1％的孔隙度的抗等离子体的稀土氧化物。第二保护层密封第一保护层的所述多个裂痕与孔隙。
稀土氧化物顶部涂层离子辅助沉积

[发明专利]用于高温应用的耐等离子体腐蚀的薄膜涂层-CN202010090413.9在审
发明人： V·菲鲁兹多尔;B·P·卡农戈;J·Y·孙;M·J·萨里纳斯;J·A·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：诸如基座之类的制品包括热传导材料的主体，所述主体由所述主体表面上方的第一保护层与第二保护层涂覆。第一保护层是热传导陶瓷。第二保护层覆盖第一保护层，并且是可在650℃温度下抵抗破裂的耐等离子体的陶瓷薄膜。
用于高温应用等离子体腐蚀薄膜涂层

[发明专利]稀土氧化物基单片式腔室材料-CN202010165480.2在审
发明人： J·Y·孙;B·P·卡农戈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-11-11 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本申请公开了稀土氧化物基单片式腔室材料。一种固体烧结陶瓷制品可包括固溶体，所述固溶体包含：约30摩尔％至约60摩尔％的浓度的Y2O3；约20摩尔％至约60摩尔％的浓度的Er2O3；以及约0摩尔％至约30摩尔％的浓度的ZrO2、Gd2O3或SiO2的至少一者。或者，所述固体烧结陶瓷制品可包括固溶体，所述固溶体包含40‑100摩尔％的Y2O3、0‑50摩尔％的ZrO2以及0‑40摩尔％的Al2O3。
稀土氧化物单片式腔室材料

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