专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种移氧装置及包含其的电冰箱-CN202111307212.0在审
  • 李光哲;黄健曜;李家宏;蔡群贤;李庭鹃;蔡群荣 - 台湾奈米碳素股份有限公司
  • 2021-11-05 - 2023-05-09 - F25D17/04
  • 一种移氧装置及包含其的电冰箱。该移氧装置包括壳体以及设置于该壳体内的电化学组件,该电化学组件包括阴极部、阳极部以及隔离该阳极部和该阴极部的隔离件,该阴极部包括第一阴极片、第二阴极片及集流板,该第一阴极片及该第二阴极片的中央区域夹着该集流板,该第一阴极片及该第二阴极片的周围区域彼此接合以密封地包覆该集流板。该第一阴极片、该第二阴极片的微结构的孔径介于让气体分子通过但对该电解质产生疏水性的范围,且大于该集流板的孔径,据此供外界气能经由该阴极部进入该阴极部及该阳极部之间。
  • 一种装置包含电冰箱
  • [发明专利]三维半导体二极体装置的制造方法-CN202111146530.3在审
  • 颜聪富;张光瑞;蔡群贤;李庭鹃;蔡群荣 - 台湾奈米碳素股份有限公司
  • 2021-09-28 - 2022-05-06 - H01L21/329
  • 本发明涉及三维半导体二极体装置的制造方法。该方法包括:提供基板,基板包括硅基板及第一氧化层,第一氧化层位于硅基板上。沉积多个堆叠层于基板之上,每一个堆叠层包括介电层及导体层。通过图案化的光阻层蚀刻堆叠层,以在堆叠层形成至少一个沟槽,沟槽的底部暴露第一氧化层。沉积第二氧化层于堆叠层及沟槽上。沉积高电阻层于第二氧化层上,高电阻层包括第一多晶硅层及第一导电化合物层。沉积低电阻层于高电阻层上,低电阻层包括第二多晶硅层及第二导电化合物层,其中第二多晶硅层的厚度大于第一多晶硅层,第二导电化合物层的厚度大于第一导电化合物层。
  • 三维半导体二极体装置制造方法
  • [实用新型]气体侦测装置及系统-CN202122516627.0有效
  • 廖家男;翁子庭;廖育萱;蔡群贤;李庭鹃;蔡群荣 - 伊诺司生技股份有限公司
  • 2021-10-19 - 2022-04-05 - G01N33/00
  • 一种气体侦测装置及系统,气体侦测装置用于传输一气体信号至一计算机装置。气体侦测装置包括一本体、一触控单元、一进气口、一气体侦测模块及一侦测传输端口。触控单元用于控制计算机装置的一触控显示单元。进气口用于接收至少一气体。气体侦测模块包括至少一个气体侦测单元。气体侦测单元侦测其中一气体并产生对应气体的一气体侦测信号。气体侦测模块根据至少一气体侦测信号产生气体信号。侦测传输端口耦接气体侦测模块。侦测传输端口包括一侦测数据传输单元,其中气体侦测装置透过侦测数据传输单元无线传输气体信号至计算机装置的一计算机传输端口的一计算机数据传输单元。
  • 气体侦测装置系统
  • [实用新型]核酸检测装置-CN202122099977.1有效
  • 黄家彬;翁子庭;廖育萱;蔡群贤;李庭鹃;蔡群荣 - 伊诺司生技股份有限公司
  • 2021-09-01 - 2022-01-28 - C12M1/38
  • 一种核酸检测装置,包含一底座、一上盖、一容置部、一加热部及一控制部。该底座包括一第一部分及一与该第一部分邻接的第二部分,该第一部分具有一第一顶面及一第一内部空间,该第二部分具有一第二内部空间。该上盖可操作地耦接至该底座。该容置部设置于该第一部分的该第一内部空间,该容置部包括一基座以及多个设置于该基座上的容置槽,该些容置槽分别具有一露出于该第一部分的该第一顶面的开口。该加热部包括一设置于该容置部下方的第一加热元件及一设置于该容置部上方的一第二加热元件。该控制部设置于该第二内部空间,该控制部电性连接至该加热部。本实用新型缩小了核酸检测装置的整体体积并简化其复杂度,容易携带并利于普及化。
  • 核酸检测装置

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