“离子沉积”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果733117个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种等离子沉积设备-CN202221909840.6有效
发明人：何淑英;何浩梁;冯嘉荔 -专利权人：广州市鸿浩光电半导体有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型提供一种等离子沉积设备，涉及等离子沉积技术领域，包括设备本体，所述设备本体的顶部靠近一侧边缘处固定有控制箱，所述设备本体的顶部靠近另一侧边缘处固定有沉积盒，所述沉积盒的顶部开设有反应室，所述反应室的内部底面沿圆周方向开设有四个滑道，所述反应室的内壁延圆周方向等距固定有四个第一弹簧，四个所述第一弹簧的一端均焊接有弧形板，四个所述弧形板的底部均对应滑动连接在滑道的内部，本实用新型，通过在等离子沉积设备内部设置弧形板，配合弹簧从而可以固定不同大小的物体，解决了传统的等离子沉积设备没法根据现场实际情况固定不同大小的物体，给等离子沉积设备的使用造成了一定局限性的问题。
一种等离子沉积设备

[发明专利]填充介电质间隙的制程室-CN200780000644.9有效
发明人： D·卢波米芮基;Q·梁;S·帕克;K·N·查克;E·伊哈 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明是揭露一种用于自介电前驱物的等离子而在基材上形成介电层的系统。该系统包括：一沉积室；一位于沉积室中以支托基材的基材座；以及一耦合至沉积室的远程等离子产生系统，其中该等离子产生系统是用以产生包括一或多种反应性自由基的一介电前驱物。该系统更包括一照射加热系统以加热基材，该加热系统包括至少一光源，其中由光源所发射出的至少部分光线在到达基材之前，是行经沉积室的顶侧。该系统亦包括一前驱物分配系统，以将反应性自由基前驱物及额外的介电前驱物导入沉积室中。亦可包括一原位(in－situ)等离子产生系统，以在沉积室中由供应至沉积室的介电前驱物而产生等离子。
填充介电质间隙制程室

[发明专利]一种磁控电弧离子镀复合沉积工艺和沉积装置-CN201310506605.3有效
发明人：赵彦辉;肖金泉;于宝海;华伟刚;宫骏;孙超 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明属于材料表面改性领域，具体为一种磁控电弧离子镀复合沉积工艺和沉积装置，用于控制阴极弧斑运动速度，约束等离子体的传输，提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性，减少靶材表面大颗粒的喷射，提高靶材刻蚀均匀性。电弧离子镀装置设置有两套磁场发生装置，一套置于靶材后面，另一套置于等离子体传输通道外侧，通过两套磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体表面进行薄膜沉积。本发明通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场，可以减少靶材表面大颗粒的发射和薄膜中大颗粒的数量，解决了传统工艺等离子体在传输空间上的不均匀性，提高了等离子体的利用率，增加了薄膜的沉积速率与薄膜厚度均匀性
一种电弧离子镀复合沉积工艺装置

[发明专利]多孔低K介电蚀刻-CN201880034128.6在审
发明人：艾利克·哈德森;沙尚克·德希穆克;桑尼·李;王家俊;普拉帕格拉·卡帕拉达苏;欧阳子皓 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在等离子体处理室中执行多个循环。每个循环包括沉积阶段和活化阶段。沉积阶段包括：使包含碳氟化合物和/或氢氟碳化合物气体的沉积气体流动；使用所述沉积气体在所述等离子体处理室中产生等离子体；沉积含碳氟化合物或氢氟碳化合物层；以及停止所述沉积气体流动。活化阶段包括：使包含稀有气体和碳蚀刻添加剂的活化气体流动；使用所述活化气体在所述等离子体处理室中产生等离子体；在所述等离子体处理室中提供活化偏置，其中所述活化偏置引起对所述低k介电层的蚀刻，其中消耗所述含碳氟化合物或氢氟碳化合物层
等离子体处理室活化氢氟碳化合物沉积气体活化气体等离子体含碳氟化合物沉积阶段流动偏置蚀刻蚀刻添加剂碳氟化合物低k介电层特征蚀刻稀有气体蚀刻层介电沉积消耗

[发明专利]平滑的含硅膜-CN201180044067.X有效
发明人：基思·福克斯;牛冬;乔·沃马克;曼迪亚姆·西里拉姆;乔治·安德鲁·安东内利;巴特·范施拉芬迪克;珍妮弗·奥洛克林 -专利权人：诺发系统公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：描述了一种用于沉积超平滑的含硅膜和膜堆叠的方法和硬件。在一种实施方式中，公开了在等离子体增强化学气相沉积装置中在衬底上形成含硅膜的方法的一种实施方式，该方法包括：供给含硅反应物至该等离子体增强化学气相沉积装置；供给共反应物至该等离子体增强化学气相沉积装置；供给电容耦合等离子体至该等离子体增强化学气相沉积装置的处理站，该等离子体包括从该含硅反应产生的硅自由基和从该共反应物产生的共反应物自由基；以及在该衬底上沉积该含硅膜，该含硅膜具有介于1.4和2.1之间的折射率
平滑含硅膜

[发明专利]用于基板处理的斜面剥离及缺陷解决方案-CN202080042716.1在审
发明人： A·A·哈贾 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了用于在基板上的材料层的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)期间和之后减少斜面剥离的方法和设备。在一个实施例中，一种处理基板的方法包括以下步骤：将基板定位在处理腔室的处理容积中；用由处理气体形成的处理等离子体对基板的表面进行等离子体处理；将基板吸附到基板支撑件；以及通过将基板的表面暴露于沉积等离子体来将材料层沉积到基板的表面上在此，处理气体基本上不含碳、硅或金属沉积前驱物，并且用于形成处理等离子体的RF功率小于约1.42瓦特每平方厘米基板表面(W/cm2)。沉积等离子体由碳、硅或金属前驱物中的一种或其组合形成，并且用于点燃和维持沉积等离子体的RF功率大于约2.12W/cm2。
用于处理斜面剥离缺陷解决方案

[发明专利]用于构件的增材制造的设备和方法-CN202110819439.7在审
发明人：托马斯·诺伊贝特;迈克尔·托马斯;蒂姆·敬民·亚伯拉罕;克里斯蒂娜·拉赫曼 -专利权人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： B29C64/118 文献下载
摘要：该设备包括具有挤出喷嘴的增材制造头和围绕挤出喷嘴设置的或集成到挤出喷嘴中的用于产生等离子体的等离子体源。本发明还涉及用于构件的增材制造的方法。在该方法中，借助围绕增材制造头的挤出喷嘴设置的或集成到挤出喷嘴中的等离子体源产生等离子体。此外，将材料熔融、挤压通过挤出喷嘴并使其层状沉积。此外，用等离子体进行处理，其中在沉积之前用等离子体处理材料层状沉积在其上的表面，并且/或者在沉积之前、期间和/或之后用等离子体处理材料。
用于构件制造设备方法

[发明专利]一种用碳团簇离子束制备超薄碳膜的方法-CN201110370968.X有效
发明人：王泽松;王世旭;张早娣;付德君 -专利权人：武汉大学
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：用铯离子溅射石墨靶产生小碳团簇负离子束，在合适的真空条件下，经减速电场后在基材表面上扫描沉积形成超薄碳膜。本装置主要由离子源、扫描器、沉积靶室和真空系统组成。离子源、扫描器、沉积靶室依次相连，处于真空系统之中。离子源产生的碳团簇负离子束，其能量从十几KeV降低到几十或几百eV，经扫描在衬底上形成厚度均匀的超薄碳膜。本发明利用低能团簇负离子束单个原子的低能量、剂量精确可控的优势，实现直接沉积法制备超薄碳膜。
一种用碳团簇离子束制备超薄方法

[发明专利]一种铝金属线的制作方法-CN201210186603.6有效
发明人：赵强 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种铝金属线制作方法，包括粘合层沉积工艺、铝金属层沉积工艺、抗反射膜沉积工艺、铝金属线刻蚀工艺以及电介质层沉积工艺，所述粘合层沉积工艺包括以离子化金属工艺在衬底上沉积钛层，并在沉积过程中，对沉积表面施加一方向控制电场，使钛层晶粒的沉积方向一致，所述电介质层沉积工艺采用分阶段的等离子体增强工艺。通过提高钛层的沉积密度和方向，以及减少电介质层的沉积应力，达到提高铝金属线的成型品质。
一种金属线制作方法

[实用新型]一种离子束辅助沉积系统-CN201721129367.9有效
发明人：卢世通;张向平;方晓华;李君华 -专利权人：金华职业技术学院
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜材料制备领域，一种离子束辅助沉积系统为基于伪火花放电的等离子体阴极电子枪，区别于典型的离子束辅助沉积装置，其具有多个电极间隙，能有效产生空心阴极电离过程和后续的传导电离过程的电子束；空心阴极相的电子束的能量和束流密度通过不同的击穿方法来控制，离子质量分辨率足够高，可以分离氢原子的离子和氢分子的离子；离子能量较低，在几eV到几百eV能量范围内；离子束流足够高，保证离子辅助沉积过程能进行；较宽的离子束流，束流直径10mm，氢离子电流密度在1微安/平方厘米，能在较大区域衬底上进行沉积实验；对离子的质量选择只依赖于电场，无磁场，结构紧凑，能对原子束流或活跃气体分子离子束流有效控制。
离子束流电子束离子束辅助沉积系统空心阴极离子束流电离氢离子离子束辅助沉积等离子体阴极离子辅助沉积气体分子离子本实用新型质量分辨率电场薄膜材料电极间隙火花放电离子能量平方厘米有效控制原子束流质量选择大区域电子枪分离氢氢分子击穿衬底沉积传导磁场制备保证

[发明专利]低温磊晶成长的化学气相沉积仪-CN202210261248.8在审
发明人：何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温磊晶成长的化学气相沉积仪，包括：一阳离子预裂解腔室，提供复数预裂解的阳离子；一阴离子预裂解腔室，提供复数预裂解的阴离子；一气相沉积室，具有一顶部、一底部以及一中空作用腔，该气相沉积室更形成有至少一导通上述阳离子预裂解腔室和该中空作用腔的阳离子通道、至少一导通上述阴离子预裂解腔室和该中空作用腔的阴离子通道以及驱使上述阳离子和上述阴离子朝向上述中空作用腔顶部方向移动的驱动装置；以及至少一设置于上述气相沉积室接近上述顶部的载台，供至少一片三维半导体晶材基板朝向上述中空作用腔设置于前述载台
低温成长化学沉积

[发明专利]一种离子导电聚合物膜的制备方法-CN201510234183.8有效
发明人：王宇新;房菲菲 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C25D13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子导电聚合物膜的制备方法，首先对电极进行预处理，然后将离子聚合物溶解在极性有机溶剂中，配成离子聚合物溶液；加入酸或碱调节离子聚合物溶液的pH；再通过控制稳压稳流电源的电压及沉积时间调节离子聚合物的沉积速度；取出电极并干燥，得到表面被离子聚合物沉积的电极；最后将电极放入去离子水中浸泡，然后将离子导电聚合物膜从电极表面剥离，并放入稀H2SO4中浸泡。本发明的方法成本低，耗时短，装置简单；减少有机溶剂使用量，有利于保护环境；通过调节电泳沉积的时间、电压和离子聚合物的浓度，可以简单有效的控制膜的厚度和表面形貌，调节膜的垂直向离子导电能力。
一种离子导电聚合物制备方法

[发明专利]一种三元正极材料的表面改性方法-CN202010518596.X在审
发明人：黄雨晴;周友元;朱健;周春仙;葛龙;夏妮;刘玮 -专利权人：湖南长远锂科股份有限公司;金驰能源材料有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提出了一种三元正极材料的表面改性方法，采用乙酰丙酮金属组合物溶液作为三元正极材料的包覆溶液，利用等离子体辅助化学气相沉积（PECVD）技术制备锂离子电池三元正极材料的包覆材料。等离子体高能辐射促使元素分解并在材料表面沉积，实现沉积速度可控，沉积包覆量可控，沉积包覆种类可控，包覆层材料梯度化可控。该方法反应温度低、速率快、成本低、包覆元素含量可控。
一种三元正极材料表面改性方法

[发明专利]热蒸发等离子体沉积-CN202080073841.9在审
发明人： M.伦达尔 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种沉积系统，该沉积系统包括感应坩埚设备，该感应坩埚设备被配置成产生材料蒸汽。当使用时，感应坩埚设备被配置为感应加热坩埚，以在坩埚中产生两个或更多个热区。该沉积系统还包括配置成支撑基底的基底支架和配置成在感应坩埚设备和基底支架之间产生等离子体的等离子体源，使得材料蒸汽至少部分通过等离子体的传输产生用于沉积在基底上的沉积材料。
蒸发等离子体沉积

[发明专利]向阳离子电沉积涂料中添加消泡剂的方法和用于该方法的添加剂-CN200780037053.9无效
发明人：泉宫耕二 -专利权人：日本油漆株式会社
申请日： 2007-07-30 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C09D163/00 文献下载
摘要：本发明涉及向电沉积涂料中稳定地添加高效地作用于电沉积涂料的疏水性消泡剂的方法。本发明提供向阳离子电沉积涂料中添加消泡剂的方法，其特征在于，当向阳离子电沉积涂料中添加消泡剂时，通过如下获得的分散体进行添加：相对于100重量份(固体含量)的阳离子电沉积涂料用颜料分散树脂，将消泡剂以5
向阳离子沉积涂料添加消泡剂方法用于添加剂