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[发明专利]一种利用地磁刚度进行空间离子探测器定标的方法-CN201510272683.0有效
发明人：杨垂柏;荆涛;张斌全;张珅毅;曹光伟;孔令高;梁金宝 -专利权人：中国科学院空间科学与应用研究中心
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G01T1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用地磁刚度进行空间离子探测器定标的方法，所述方法包括：步骤1)获取在轨飞行的空间离子探测器遭受空间离子入射后在每片传感器的能量沉积结果；步骤2)根据在轨飞行器的地磁纬度计算其所处位置的地磁截止刚度，同时计算选定空间离子电荷数，由此计算空间离子探测器所探测到的最小离子能量，根据最小离子能量利用蒙特卡罗方法计算空间离子在每片传感器内的能量沉积；步骤3)利用步骤1)的每片传感器的能量沉积的测量结果和步骤2)计算出的空间离子在每片传感器内的能量沉积，计算空间离子探测器的测量误差；步骤4)利用测量误差对空间离子探测器进行定标。
一种利用地磁刚度进行空间离子探测器标的方法

[发明专利]一种双端馈入微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积装置-CN202210455412.9在审
发明人：李成明;杨志亮;夏天;任飞桐;魏俊俊;陈良贤;刘金龙;安康;郑宇亭 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：一种双端馈入微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积装置，属于微波等离子体法化学气相沉积领域。本装置具有双端微波馈入及谐振结构沿衬底呈左右对称的特性，可在衬底左右两侧同时产生等离子体，利用电子回旋共振等离子体高电子能量、高电离度、低沉积压强的性质，可实现Φ60‑200mm衬底两侧薄膜的同时沉积或一次性沉积两片薄膜磁场谐振线圈产生875Gs的磁感应强度的电子回旋共振面，磁场整型线圈产生875Gs磁感应强度的整型磁场，谐振磁场与整型磁场的耦合提升了等离子体的均匀性，在增大沉积面积的同时提升了薄膜的均匀性。位于环形天线下方的石英介质窗口有效避免等离子体的加热、污染与刻蚀。本发明均匀性高，能降低薄膜沉积、表面处理成本，提高腔室的空间利用率。
一种双端馈入微波电子回旋共振等离子体化学沉积装置

[发明专利]溅射沉积-CN202080090902.2在审
发明人： M.伦达尔;R.格鲁尔 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种溅射沉积设备，包括：布置为支撑基底的基底支撑组件；布置为支撑至少一个溅射靶的靶支撑组件，该溅射靶用于靶材料到基底上的溅射沉积；布置成为所述溅射沉积提供等离子体的等离子体生成装置；以及布置为容纳在所述溅射沉积之后具有沉积的靶材料的基底的盒盒可从溅射沉积设备中移出。
溅射沉积

[发明专利]形成电沉积涂层的方法-CN200610073947.0无效
发明人：东井辉三;児岛与志夫 -专利权人：日本油漆株式会社
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： C25D13/06 文献下载
摘要：提供了一种形成具有优良成品外观和具有高薄膜电阻值的电沉积涂层的方法。形成电沉积涂层的方法包括在被涂覆物体上电沉积涂覆阳离子电沉积涂覆组合物的步骤，其中由阳离子电沉积涂覆组合物获得的电沉积涂层的薄膜粘度在50℃时在3000－5000Pa·s的范围内。
形成沉积涂层方法

[实用新型]微波等离子体辅助原子层沉积设备-CN202221851674.9有效
发明人：王东君;陈宇林;郭敏 -专利权人：英作纳米科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波等离子体辅助原子层沉积设备，包括：微波等离子体发生器、等离子体扩散腔、真空反应室和反应源接口。微波等离子体发生器含有等离子体快速发生装置。微波等离子体发生器通过等离子体扩散腔与真空反应室相连通。等离子体扩散腔与真空反应室通过开合装置连接，通过该开合装置，可以方便样品取放样。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备，能够提供微波辐照，提高等离子体的能量和密度，为原子层沉积的提供合适的能量，降低反应温度。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备含有等离子体快速发生装置以及等离子体反应气体特殊脉冲进入模式，可以实现毫秒级的等离子体脉冲，大大缩短反应时间。
微波等离子体辅助原子沉积设备

[发明专利]解决电子束沉积多层膜龟裂的临界层应力的调控方法-CN201710380376.3有效
发明人：朱美萍;曾婷婷;易葵;柴英杰;许诺;孙建;王建国;邵建达 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种解决电子束沉积多层膜龟裂的临界层应力的调控方法，综合采用电子束沉积技术和离子束辅助沉积技术，采用离子束辅助沉积技术沉积应力临界层，采用电子束沉积技术沉积应力临界层之外的其他膜层。本发明能够解决电子束沉积较厚膜层时，因膜层张应力太大导致的膜层龟裂问题，且不会增加膜系设计难度和实际制备工艺难度。
解决电子束沉积多层龟裂临界应力调控方法

[发明专利]多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备-CN200910083508.1无效
发明人：龙世兵;刘明;陈宝钦;谢常青;贾锐;徐连生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，包括：一真空腔室；一溅射沉积与刻蚀工件台，设置于该真空腔室的顶部正中位置，其下表面与水平面平行；一刻蚀离子源，设置于该真空腔室的底部正中位置，与溅射沉积与刻蚀工件台相对；二溅射靶台，设置于该真空腔室的下部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向；二溅射离子源，设置于该真空腔室的中部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向，发射的离子束与溅射靶台上装载的一个靶材表面成45°角；一辅助清洗离子源，设置于该真空腔室的中部，发射的离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面成30°角。该设备兼备各种功能，可用于介质和金属材料的溅射沉积刻蚀抛光减薄和热处理。
多功能离子束溅射沉积刻蚀设备

[发明专利]双区离子束碳沉积-CN200910173341.8有效
发明人： P·S·麦克莱奥德;K·-W·舒尔 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于离子束沉积的包括多个阳极的离子源，其中离子源沉积源材料的多个区，并且多个区中的至少两个的厚度不同。
离子束沉积

[实用新型]一种移动弧源电弧离子沉积设备-CN202022356055.X有效
发明人：富之柢;王俊虎;王娜;贾中华 -专利权人：富之柢
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及电弧离子沉积技术领域，尤其是涉及一种移动弧源电弧离子沉积设备。移动弧源电弧离子沉积设备包括真空室、移动平台和弧源；所述移动平台设置在真空室内，所述弧源设置在移动平台上。通过将弧源设置在移动平台上，能够实现弧源的移动，通过一个弧源能够实现工件不同位置的离子沉积，相对于现有多个弧源的方案，减少了弧源的使用，降低了生成成本。
一种移动电弧离子沉积设备

[发明专利]PECVD设备与工艺-CN201380050065.0无效
发明人： N·拉贾戈帕兰;X·韩;M·齐昂;M·奥加塔;Z·蒋;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;T·诺瓦克;J·周;R·萨卡拉克利施纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行，及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。
pecvd 设备工艺

[发明专利]半导体硅锗薄膜的制备方法-CN201510504862.2有效
发明人：侯晓伟;郭俊杰;倪大成;王飞;郑华雄;郑良广;李菊萍 -专利权人：宁波中车时代传感技术有限公司
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种半导体硅锗薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤对单晶硅基片进行清洗，清洗后置于衬底台上；分别进行溅射硅的单一薄膜和锗的单一薄膜；采用共溅法，在又一单晶硅基片沉积不同成分的硅锗合金薄膜，测得所沉积薄膜的厚度与现有技术相比，本发明的优点在于采用偏置靶材离子束沉积，结合了离子束沉积技术和磁控溅射沉积技术的优点，能够有效克服磁控溅射沉积技术和离子束沉积技术两者的缺点。
半导体薄膜制备方法

[发明专利]等离子化学气相沉积的纳米超亲水防雾涂层及其制备方法-CN202010872334.3在审
发明人：高彦峰;李嘉惠;吕伟桃;梁宸;曾楚莹 -专利权人：佛山市思博睿科技有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明涉及化工涂料技术领域，具体涉及一种等离子化学气相沉积的纳米超亲水防雾涂层及其制备方法。包括以下步骤：S1)对基材的表面进行清洗；S2)对基材的表面进行活化；S3)亲水涂层的制备；S4)纳米沉积超亲水膜的制备：对所述亲水涂层进行沉积活化处理，纳米沉积超亲水膜沉积吸附于所述亲水涂层的表面。本发明还提出了所述的等离子化学气相沉积的纳米超亲水防雾涂层的制备方法制得的所述等离子化学气相沉积的纳米超亲水防雾涂层，具有无污染、安全可靠的特点，具有出色的防雾、耐磨、耐水浸泡、耐溶剂和耐盐雾性能，使用寿命长久所述纳米沉积超亲水膜为吸附于所述亲水涂层的外表的等离子化学沉积的纳米亲水膜。
等离子化学沉积纳米超亲水防雾涂层及其制备方法

[发明专利]一种利用特殊脉冲电源电沉积铜铟硒或铜铟镓硒薄膜的方法-CN200910065147.8有效
发明人：杜祖亮;王晓丽;王广君;万绍明;张兴堂 -专利权人：河南大学
申请日： 2009-06-09 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： C25D5/18 文献下载
摘要：本发明具体公开了一种利用特殊脉冲电源电沉积铜铟硒或铜铟镓硒薄膜的方法：在含有铜、铟、硒离子或铜、铟、镓、硒离子的电解质溶液中，采用钟形波调节的方波脉冲，在阴极基底上电沉积制得预制膜，然后将预制膜放在有固态硒源的真空、氮气或氩气气氛下在退火，最终生成铜铟硒或铜铟镓硒薄膜；其中脉冲电沉积的参数：脉冲频率为26～400kHz，占空比为1～100％，电沉积模式为脉冲恒电位或脉冲恒电流，脉冲电位范围为0.5～4V，脉冲电流范围为0.5～3mA，沉积时间为10～120min。本发明频率高，短脉冲极化强度大；本发明通过大范围调节频率使所需沉积的离子发生谐振，使离子有效沉积；本发明可以较小的沉积电流，实现标准电极电位较负的元素的沉积，而不会出现析氢等不良现象。
一种利用特殊脉冲电源沉积铜铟硒铜铟镓硒薄膜方法

[发明专利]一种小孔内壁薄膜沉积方法及装置-CN202010161540.3有效
发明人：陈英;孙向明;于凯凯 -专利权人：摩科斯新材料科技（苏州）有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种小孔内壁薄膜沉积方法及装置，属于薄膜沉积技术领域，沉积方法在于，将靶材倾斜设置在待溅射材料的上方，以使靶材离子以设定角度射向待溅射材料的小孔内壁上，所述靶材为圆柱形靶材，且靶材的直径为100‑200mm；在溅射过程中，同时控制待溅射材料匀速转动，以实现靶材离子在小孔内壁上的均匀沉积。本发明将靶材倾斜设置，一方面可以使用小直径靶材实现大面积的均匀沉积，提高了沉积效率的同时降低了靶材损耗，节约成本；另一方面，斜靶磁控溅射的沉积方法可以使靶材离子以一定角度射向待溅射材料，从而使靶材离子以一定角度射向小孔内壁，而非向直溅射一样沉积方向与小孔内壁平行，沉积的效率和结合强度更好。
一种小孔内壁薄膜沉积方法装置

[发明专利]一种等离子增强化学气相沉积装置及其沉积方法-CN202211194993.1有效
发明人：戴建波;刘龙龙 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子增强化学气相沉积装置及其沉积方法，涉及半导体技术领域。该等离子增强化学气相沉积装置包括沉积室、盖板、测量机构、加热盘、喷气盘和升降机构。盖板盖设于沉积室上，且共同围成沉积空腔，升降机构安装于盖板上，且与喷气盘连接，喷气盘平行间隔地设置于加热盘的上方，升降机构用于沿预设方向带动喷气盘靠近或者远离加热盘，测量机构夹持于喷气盘和加热盘之间，测量机构用于在等离子增强化学气相沉积装置处于工作温度下测量喷气盘与加热盘之间的实际间距本发明提供的等离子增强化学气相沉积装置能够精确测量工作温度下喷气盘和加热盘之间的间距并对其进行调整，保证沉积膜层的均匀性，提高产品质量。
一种等离子增强化学沉积装置及其方法