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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于辅助沉积的膜层改性方法及系统-CN201911107873.1在审
发明人：郭腾;倪俊;景加荣;李灿伦;范秋林;李辉;乔宏;祁松松 -专利权人：上海卫星装备研究所
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于辅助沉积的膜层改性方法及系统，包括：预处理步骤：在沉积Ag膜之前，对玻璃基底采用离子源清洗；辅助沉积步骤：在沉积Ag膜过程中，通过调节所述离子源的功率、工作气体通量以及公自转速度来改变到达玻璃基底表面的离子能量和离子密度本发明的膜层改性方法和系统可用于提高玻璃基底表面原子活性，消除结合不牢的沉积原子，促进表面原子移动与扩散，扩展玻璃基底与Ag的共混层，最终达到提高Ag膜致密度及其与玻璃基底附着力的目的。
基于辅助沉积改性方法系统

[发明专利]经由物理气相沉积工艺沉积介电膜的方法-CN201680032642.7在审
发明人：曾伟民;清·X·源;程亚娜;曹勇;丹尼尔·李·迪尔;斯里尼瓦斯·古吉拉;汪荣军;唐先民 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在一些实施方式中，一种在物理气相沉积工艺腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上的基板的方法包括：(a)经由物理气相沉积工艺在基板的第一表面的顶部上沉积介电层至第一厚度；(b)向物理气相沉积工艺腔室的处理区域提供第一等离子体形成气体，其中第一等离子体形成气体包括氢，而不包括碳；(c)向基板支撑件提供第一量的偏压功率以自物理气相沉积工艺腔室的处理区域内的第一等离子体形成气体形成第一等离子体；(d)使介电层暴露于第一等离子体中；以及(e)重复(a)至(d)来沉积介电膜至最终厚度。
经由物理沉积工艺介电膜方法

[发明专利]使用硅氢卤化物前体的SiN的等离子体增强原子层沉积(PEALD)-CN201910347447.9有效
发明人： S·上田;T·戎谷;T·铃木 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：在一些实施例中，氮化硅可以通过原子层沉积(ALD)，例如等离子体增强ALD沉积。一个或多个氮化硅沉积循环包含顺序等离子体预处理阶段，其中衬底依次暴露于氢等离子体，然后在不存在氢等离子体的情况下暴露于氮等离子体，以及沉积阶段，其中衬底暴露于硅前体。在一些实施例中，使用硅氢卤化物前体沉积氮化硅。氮化硅膜可以具有高侧壁保形性，并且在一些实施例中，氮化硅膜可以在沟槽结构中的侧壁的底部比在侧壁的顶部更厚。在间隙填充过程中，氮化硅沉积工艺可以减少或消除空隙和接缝。
使用卤化物 sin 等离子体增强原子沉积 peald

[发明专利]在FET器件中形成具有低缺陷密度的镍硅化物的方法和装置-CN200680036702.9有效
发明人： K·K·H·旺格;R·J·珀特尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：提供了一种方法和装置，其中定向和非方向金属(例如Ni)沉积步骤在同一工艺腔室中执行。形成第一等离子体用于从靶移除材料；在连接到RF发生器的环形电极(例如Ni环)内部中形成第二等离子体用于提高材料的离子密度。在没有第二等离子体和衬底的电偏置的条件下，材料非定向地沉积在衬底上，而当存在第二等离子体并且衬底被电偏置时，材料定向地沉积在衬底上。从沉积的金属形成的镍硅化物比从单纯定向工艺中沉积的金属形成的NiSi具有更低的栅多晶硅薄膜电阻并且可以具有更低的管道缺陷密度，并且比从单纯非定向工艺中沉积的金属形成的NiSi具有更低的源/漏接触电阻。
fet 器件形成具有缺陷密度镍硅化物方法装置

[发明专利]采用内外并行沉积制造光纤料坯的方法-CN03810920.4无效
发明人： M·I·古斯科夫;E·B·达尼洛夫;W·哈莫勒;M·A·阿斯拉米;武韬 -专利权人：纤维管有限公司
申请日： 2003-03-14 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：采用在原料管内外表面同时等离子沉积方法制造光纤料坯的方法和设备。转动原料管状件(12)，向等离子火炬(16)中选择地注入CFOT化学品(22)并向管(12)空腔内选择地注入CFIT化学品(24)。等离子火炬沿着管状件横向移动从而同时地在内外表面沉积烟炱。在沉积期间内外表面之一或二者上的烟炱可被固结成二氧化硅层。等离子火炬(16)再次横向移动以在内外表面之一或二者上沉积附加烟炱和/或固结以前沉积的烟炱。过程一直重复到在管状件上形成预定数量二氧化硅。随后，将管状件熔塌。任选地，在熔塌期间或以后实施附加等离子沉积。
采用内外并行沉积制造光纤方法

[发明专利]用于保护制品的方法和相关的组合物-CN03152221.1无效
发明人： D·M·利普金;J·－C·赵 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2003-07-31 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：提供了一种保护制品免受高温、氧化环境损害的方法，同时提供了适用于该方法的合金组合物和等离子沉积靶(108)，以及用于这种环境的制品。该方法包括提供一种基质(110)，提供一种等离子沉积靶(108)，并且通过等离子沉积方法，用靶(108)将保护性涂层沉积在基质(110)上。靶(108)包括大约2－大约25原子％的铬，其余为铝。
用于保护制品方法相关组合

[实用新型]一种等离子体化学气相沉积的可调节装置-CN202221263025.7有效
发明人：范修远;安百翔;张亮;沈文义 -专利权人：武汉智纤科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本实用新型属于离子体化学气相沉积领域，提供了一种等离子体化学气相沉积的可调节装置,所述可调节装置包括涂覆器，所述涂覆器的开有贯穿的共振腔，所述涂覆器两端对应设有可调节共振腔扼止结构大小的调节装置。本实用新型解决了等离子体化学气相沉积的可调节装置结构复杂，不能适配不同尺寸沉积工件的问题。
一种等离子体化学沉积调节装置

[发明专利]在薄膜晶体管器件上制备含硅膜的方法-CN201380024532.2有效
发明人： A·麦利卡尔珠南;A·D·约翰森;王美良;R·N·弗尔蒂斯;韩冰;雷新建;M·L·奥尼尔 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：在一个方面，提供了具有约2nm至约200nm的厚度和约2.2g/cm³或更大的密度的含硅膜，其中所述含硅薄膜通过选自化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、循环化学气相沉积(CCVD)、等离子体增强循环化学气相沉积(PECCVD)、原子层沉积(ALD)和等离子体增强原子层沉积(PEALD)的沉积工艺沉积，并且所述气相沉积使用选自二乙基硅烷、三乙基硅烷以及它们的组合的烷基硅烷前体在约
薄膜晶体管器件制备含硅膜方法

[发明专利]一种用于锆合金包壳上涂层的制备方法-CN201910270332.4有效
发明人：韦天国;张瑞谦;杨红艳;陈寰;杜沛南;刘然超;邱绍宇 -专利权人：中国核动力研究设计院
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明在涂层制备工艺上采用了真空电弧离子镀与磁控溅射离子镀相结合的方法。本发明首先采用真空电弧离子镀的方法在锆合金包壳上沉积涂层，以提高镀膜速率以及膜基结合力；然后，同时进行真空电弧离子镀沉积和磁控溅射离子镀沉积，生成致密的中间层，提高表面平整度；最后，单独采用磁控溅射离子镀继续沉积涂层
一种用于合金包壳上涂层制备方法

[发明专利]氮化硅膜的多层沉积和处理-CN202180064959.X在审
发明人： V·V·瓦茨;B·K·安;S·李;H·俞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：示例处理方法可包括形成含硅和氮前驱物的第一沉积等离子体。方法可包括利用第一沉积等离子体在半导体基板上沉积氮化硅材料的第一部分。可形成含氦和氮前驱物的第一处理等离子体以利用第一处理等离子体来处理氮化硅材料的第一部分。第二沉积等离子体可沉积氮化硅材料的第二部分，且第二处理等离子体可处理氮化硅材料的第二部分。第一处理等离子体中的氦气对氮气的流率比可低于第二处理等离子体中的He/N2流率比。来自形成第一处理等离子体的等离子体功率源的第一功率水平可低于形成第二处理等离子体的第二功率水平。
氮化多层沉积处理

[发明专利]同时金属化通孔和基板的双面覆铜板的制法及覆铜板-CN202310937403.8在审
发明人：谢新林 -专利权人：谢新林
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种双面覆铜板的制备方法，包括：第一金属离子注入：将带通孔的刚性基板安装到夹持装置上，并连接到动力系统，使得刚性基板在动力系统的驱动下能够在刚性基板所处平面与第一金属离子注入方向呈±15°的角度范围内摆动，且刚性基板同时在与第一金属离子注入方向垂直的平面旋转；在第一金属离子注入时，刚性基板同时保持所述的摆动和旋转；等离子体沉积第二金属：使第一金属离子注入的刚性基板所处平面与等离子体沉积方向呈±15°的角度范围内摆动，并且使得第一金属离子注入的刚性基板同时在与等离子体沉积方向垂直的平面旋转；在等离子体沉积时，第一金属离子注入的刚性基板同时保持摆动和旋转；磁控溅射或离子束溅射铜或电镀铜。
同时金属化双面铜板制法

[发明专利]电沉积壳聚糖－离子液体－酶复合膜制备修饰电极的方法-CN200710164842.0无效
发明人：奚凤娜;林贤福 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明公开了一种电沉积壳聚糖－离子液体－酶复合膜制备修饰电极的方法，其特征在于：制备修饰时将电极作为阴极置入含壳聚糖、离子液体和酶的酸性溶液中，通电进行电沉积，壳聚糖、离子液体和酶附着在阴电极表面，得到修饰电极本发明电沉积壳聚糖－离子液体－酶复合膜制备修饰电极的方法，条件温和，简便快捷，壳聚糖－离子液体－酶复合膜厚度可控，并可根据需要控制酶固定量。
沉积聚糖离子液体复合制备修饰电极方法

[发明专利]通过等离子喷涂形成的物品-CN201380045025.7有效
发明人： S.西瓦拉马克里什南;J.A.鲁德;C.A.约翰逊;L.S.罗森斯维希 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C23C4/10 文献下载
摘要：该物品包括基底、沉积在该基底上方的覆盖粘合涂层、和沉积在该粘合涂层上方的顶涂层。该物品的粘合涂层包括接近粘合涂层与顶涂层之间的界面的等离子影响区域，并且该等离子影响区域包括伸长粒间相。沉积的方法包括调整等离子喷涂条件，以便形成接近粘合涂层与顶涂层之间的界面的等离子影响区域，和等离子影响区域中的伸长粒间相。
通过等离子喷涂形成物品

[发明专利]具有钝化层的半导体装置的制造方法-CN201710646918.7在审
发明人：施佑龙;李肇耿;郭铂漳;张庆全;林奕安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种具有钝化层的半导体装置的制造方法，包括使用第一沉积制程，沉积介电层于导电垫上方。上述方法还包括使用高密度等离子化学气相沉积，沉积第一钝化层直接位于上述介电层的上方。上述第一沉积制程与高密度等离子化学气相沉积不同。所述介电层的厚度足以避免在沉积第一钝化层所产生的电荷到达所述导电垫。
钝化层沉积高密度等离子化学气相沉积半导体装置导电垫介电层制程沉积介电层电荷制造

[发明专利]SiOx钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的LED芯片-CN201210045896.6有效
发明人：汪延明;姚禹;许亚兵;侯召男;牛凤娟 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiOx钝化膜的沉积方法及具有该钝化膜的LED芯片。包括以下步骤：经预热步骤得到预热晶片；在预热晶片表面沉积SiOx钝化膜，在沉积SiOx钝化膜步骤前对预热晶片依次进行多次等离子体活化步骤和预沉积SiOx钝化膜步骤；依次重复等离子体活化处理步骤和预沉积步骤本发明提供的方法中多次反复沉积，每次沉积后用等离子体轰击钝化膜，使钝膜中的Si原子充分被氧化，可改善SiOx膜层质量，提高钝化膜的致密性，从而提高钝化的效果。
siox 钝化沉积方法具有 led 芯片

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