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[发明专利]一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法-CN201811347796.2有效
发明人：欧欣;伊艾伦;游天桂;黄凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基异质集成4H‑SiC外延薄膜结构的制备方法，包括提供碳化硅单晶晶片，通过氢离子注入在碳化硅单晶晶片中形成注入缺陷层并提供碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶晶片或碳化硅单晶薄膜上外延生长4H‑SiC单晶薄膜；将所述4H‑SiC单晶薄膜与一硅支撑衬底键合，得到包括碳化硅单晶晶片、4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；剥离，得到包括碳化硅单晶薄膜、4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；表面处理以除去碳化硅单晶薄膜，得到包括4H‑SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的硅基异质集成4H‑SiC外延薄膜结构。
一种硅基异质集成 sic 外延薄膜结构制备方法

[发明专利]硅单晶提拉用石英玻璃坩埚-CN201010143526.7有效
发明人：小玉真喜子;岸弘史;神田稔 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供一种石英玻璃坩埚，其可以在短时间内熔融硅原料，且可以借由不透明石英玻璃层随时间经过的状态变化而使硅单晶的制造良率提高。不透明石英玻璃层11中的相对较小的气泡从提拉步骤的初期阶段起即有助于坩埚的传热性，相对较大的气泡借由经过长时间的提拉步骤而膨胀，在提拉步骤的后半期大大有助于坩埚的保温性。
硅单晶提拉用石英玻璃坩埚

[发明专利]制造高掺杂硅单晶的方法-CN03105415.3无效
发明人：马丁·韦伯;埃里希·格梅尔鲍尔;罗伯特·福尔布赫纳 -专利权人：瓦克硅电子股份公司
申请日： 2003-02-20 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种自含有掺杂剂且容纳于转动坩埚的熔融材料抽拉单晶以制造高掺杂硅单晶的方法。在单晶抽拉过程中生长起伏是限制在－0.3毫米/分钟至0.3毫米/分钟。
制造掺杂硅单晶方法

[发明专利]硅单晶棒切割后的脱胶系统及脱胶剥离工艺-CN202310727019.5在审
发明人：李天兵;贾世杰;彭洁;魏守冲 -专利权人：磐石创新（江苏）电子装备有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶棒加工技术领域，尤其涉及一种硅单晶棒切割后的脱胶系统及脱胶剥离工艺。本发明提供一种硅单晶棒切割后的脱胶系统，包括：加热脱胶模块，所述加热脱胶模块包括加热容器和气体加热单元，所述气体加热单元设置于所述加热容器内；供气模块，所述供气模块包括气源和进气管，所述进气管的进气端与所述气源连通，所述进气管的出气端与所述加热容器连通；硅单晶棒固定模块，所述硅单晶棒固定模块设置于所述加热容器内，所述硅单晶棒固定模块适用于固定硅单晶棒。本发明提供的硅单晶棒切割后的脱胶系统，能够提升脱胶效率，降低脱胶能耗。
硅单晶棒切割脱胶系统剥离工艺

[发明专利]硅外延生长的工艺方法-CN201210291209.9有效
发明人：刘继全;高杏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅外延生长的工艺方法，包括：1）在硅基底上，生长二氧化硅或氮化硅掩蔽层，或以二者叠加作为掩蔽层；2）形成硅单晶生长窗口；3）对硅单晶生长窗口进出预处理，形成厌氧表面；4）进行第一硅单晶外延生长；5）在第一硅单晶外延上生长第二硅单晶，在掩蔽层上生长第一硅多晶；6）在第二硅单晶上生长第三硅单晶，在第一硅多晶上生长第二硅多晶。本发明可实现多层次外延结构同步生长，实现同等沟槽宽度下，较高硅单晶有效区域，并减少高温多晶层厚度，实现更低硅多晶表面粗糙度，可应用于平面光波导功率分路器的制造中。
外延生长工艺方法

[发明专利]外延碳化硅单晶晶片的制造方法-CN201680033576.5有效
发明人：蓝乡崇;伊藤涉;藤本辰雄 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供一种制造外延碳化硅单晶晶片的方法，该外延碳化硅单晶晶片是在偏斜角度小的碳化硅单晶基板上具有高品质且基底面位错少的碳化硅单晶薄膜而成的。所述制造方法是通过热CVD法在碳化硅单晶基板上使碳化硅外延生长来制造外延碳化硅单晶晶片，所述制造方法的特征在于，在外延生长炉内流入蚀刻气体，对碳化硅单晶基板的表面预先进行蚀刻以使得算术平均粗糙度Ra值达到0.5nm以上且3.0nm以下，然后开始外延生长，将碳化硅单晶基板的表面处的基底面位错的95％以上变换成贯通刃状位错。
外延碳化硅晶片制造方法

[实用新型]一种区熔硅单晶的加持结构-CN201922248626.5有效
发明人：郝大维;张志富;王克旭;李皓;吴峰;楚占斌;王彦君 -专利权人：中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种区熔硅单晶的加持结构，包括外轴、固定件，所述销子本体为丁字结构，顶端设有螺母，中间为较厚的圆形钼板，钼板边缘设有弧形开口，弧形开口与区熔硅单晶的直径相对应，弧形开口紧贴与区熔硅单晶，中间设有与螺母对应的螺栓孔，低端设有固定销，固定销穿过钼板与螺母进行链接，固定销固定在区熔硅单晶制造机的外轴，钼板的倒角将区熔硅单晶进行加持。本实用新型所述的倒角销子片采用的是较厚的钼板作为原材，在与区熔硅单晶接触面处进行倒角处理，使得销子片与区熔硅单晶接触面加大，贴合，从而达到区熔硅单晶加持更稳定的目的。
一种区熔硅单晶结构

[发明专利]单晶硅直径控制法及其设备-CN91102922.2无效
发明人：川岛章洁;佐藤晨夫;大川登志男 -专利权人：日本钢管株式会社
申请日： 1991-04-27 - 公布日： 1991-11-13 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：单晶硅直径的一种控制方法，在单晶硅边相对于坩埚转动边受提拉的单晶硅制造过程中，将光学装置测出的提拉单晶的直径测定值与要求直径值进行比较，以确定偏差，再对得出的偏差进行不完全微分PID处理或史密斯法处理，以计算提拉速度，再将提拉速度加到晶体提拉设备的电动机控制器上，从而通过控制提拉速度控制提拉单晶的参数。为完成上述单晶硅直径的一种控制方法的设备，包括输入装置、不完全微分PID计算装置和输出装置。
单晶硅直径控制及其设备

[发明专利]碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法-CN202310176260.3在审
发明人：堀合慧祥;冈本武志;神田贵裕;星乃纪博;别役洁;镰田功穂;土田秀一;金村高司 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;一般财团法人电力中央研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种碳化硅单晶(6)的制造方法包括：向籽晶(5)的表面供应含有碳化硅原料气体的供应气体(3a)并控制环境使得加热容器内的至少一部分为2500℃或更高，由此在籽晶的表面上生长碳化硅单晶。生长碳化硅单晶包括控制以籽晶和碳化硅单晶的中心轴线(C)为中心的径向上的温度分布ΔT，使得在碳化硅单晶生长之前籽晶的表面上和在碳化硅单晶生长期间碳化硅单晶的生长表面上满足ΔT≤10℃的径向温度条件。
碳化硅制造方法

[发明专利]人工晶体生长用晶体旋转机构-CN200610041306.7无效
发明人：冯金生;李留臣 -专利权人：常州华盛天龙机械有限公司
申请日： 2006-08-14 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种人工晶体生长用晶体旋转机构，特别涉及半导体硅单晶生长和锗单晶生长用的晶体旋转机构；包括担负信号传输的电刷环安装在支撑轴承的上部，定心套安装在旋转轴的上部，这样使得旋转轴的旋出部分较长，旋转平稳性差；另外，定心套安装在旋转轴的上部安装更换十分不便；将卷扬提升机构安装在本发明中空心旋转轴的上端，钢丝绳软轴通过空心旋转轴的中心孔，穿过安装在旋转轴下部的定心套的中心孔提拉生长人工晶体；提高人工晶体生长中旋转运动的稳定性、可靠性，并方便安装和维修，可广泛用于各类人工晶体生长设备中的晶体提拉生长运动。
人工晶体生长晶体旋转机构

[发明专利]人工晶体生长用晶体旋转机构-CN200610040115.9无效
发明人：冯金生;李留臣 -专利权人：江苏华盛精细陶瓷科技有限公司
申请日： 2006-05-08 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种人工晶体生长用晶体旋转机构，特别涉及半导体硅单晶生长和锗单晶生长用的晶体旋转机构；包括担负信号传输的电刷环安装在支撑轴承的上部，定心套安装在旋转轴的上部，这样使得旋转轴的旋出部分较长，旋转平稳性差；另外，定心套安装在旋转轴的上部安装更换十分不便；将卷扬提升机构安装在本发明中空心旋转轴的上端，钢丝绳软轴通过空心旋转轴的中心孔，穿过安装在旋转轴下部的定心套的中心孔提拉生长人工晶体；提高人工晶体生长中旋转运动的稳定性、可靠性，并方便安装和维修，可广泛用于各类人工晶体生长设备中的晶体提拉生长运动。
人工晶体生长晶体旋转机构

[发明专利]固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆、以及固体摄像组件-CN202011203371.1在审
发明人：阿部孝夫;大槻刚 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：技术问题：本发明提供一种能够抑制固体摄像组件的残像特性的固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆。解决手段：一种固体摄像组件用的硅单晶基板，是将通过CZ法制作的硅单晶进行切片而获得的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，所述硅单晶基板是主掺杂物为Ga的p型硅单晶基板，并且B浓度为5×10
固体摄像组件硅单晶基板硅磊晶晶圆以及

[实用新型]硅单晶生长炉的导流筒升降机构-CN201120066960.X无效
发明人：蔡光进;韩喆;李国迪;蒋明霞 -专利权人：浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅单晶生长炉的导流筒升降机构，其特征在于：硅单晶生长炉的导流筒升降机构包括吊钩、拉杆和座套，座套套接在硅单晶生长炉的引晶装置的重锤杆上，吊钩固定在导流筒的上端口，拉杆的上端与座套铰接连接本实用新型用于硅单晶生长炉，可以提高硅单晶生长炉每次的投料量，增大硅单晶生长炉的产能，节约成本。
硅单晶生长导流升降机构

[发明专利]一种碳化硅单晶制造装置-CN201610796440.1有效
发明人：星野政宏;张乐年 -专利权人：台州市一能科技有限公司;张乐年
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅单晶制造装置，属于半导体机械设备技术领域。它解决了现有碳化硅单晶制造装置生长的单晶后期机械加工损失大的问题。本碳化硅单晶制造装置，包括炉体和设置在炉体内的坩埚，在坩埚的上部设置能够安装籽晶的籽晶保持架，籽晶保持架能够自转和上下升降，在炉体内还设有加热炉体使炉体形成环境温度梯度的炉体加热器，在籽晶保持架外设有能作用在碳化硅单晶上的加热冷却器本碳化硅单晶制造装置能够在保证碳化硅单晶的高品质的前提下高速生长碳化硅单晶，实现碳化硅单晶的大口径生长，减少后期机械加工的损失。
一种碳化硅制造装置

[发明专利]一种低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法-CN202011136290.4有效
发明人：马远;薛卫明;潘尧波 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B23H5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法。所述低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，包括：提供一待处理的碳化硅单晶衬底，晶向为C向[0001]；使用电解研磨工艺于所述待处理的碳化硅单晶衬底上形成具有凹部和凸部的第一沟槽结构，以进行第一次开槽，所述第一沟槽结构的凹部侧壁平行于碳化硅单晶A面(1120)或M面(1100)，底壁平行于碳化硅单晶C面(0001)；于所述第一沟槽结构表面生长第一碳化硅晶体，以进行第一次修复，得到所述低缺陷密度碳化硅单晶衬底。基于本发明，能够大幅降低碳化硅单晶衬底的缺陷密度，有利于提高采用该衬底片制备的器件质量，提高低质量碳化硅单晶衬底的经济价值。
一种缺陷密度碳化硅衬底制备方法

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