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[实用新型]一种用于单晶生长的测温装置-CN202320948181.5有效
发明人：薛卫明;周玉洁;马远;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01K13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于单晶生长的测温装置，涉及半导体制造领域。所述用于单晶生长的测温装置至少包括：通管，设置于单晶生长的反应装置的外表面，且所述通管上设置有第一气孔；接头，设置在所述通管的一端，与所述通管固定连接；测温窗口，设置在所述接头远离所述通管的一端，且所述测温窗口上设置有第二气孔；气体单元，设置在所述测温装置外侧，与所述第二气孔连接；以及测温器，设置于所述测温口相对于所述接头的一端。本实用新型提供的一种用于单晶生长的测温装置，能够避免测温区域单晶沉积。
一种用于生长测温装置

[发明专利]一种晶圆的外延生长装置和外延生长方法-CN202310680010.3在审
发明人：周长健;张文倩;陈一德;唐军;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的外延生长装置和外延生长方法，所述外延生长装置包括：过渡腔室；第一缓存腔室，设置在所述过渡腔室的一侧；第二缓存腔室，设置在所述过渡腔室的一侧，靠近所述第一缓存腔室设置，且所述第二缓存腔室内设置有载盘；反应腔，设置在所述过渡腔室的一侧，且所述第二缓存腔室设置在所述反应腔室和所述第一缓存腔室之间；传输单元，设置在所述过渡腔室内，用于传递和承载晶圆和/或所述载盘；以及温度调节单元，设置在所述过渡腔室和所述第二缓存腔室的腔壁上，且所述温度调节单元在200℃～1500℃进行温度调节。通过本发明提供的一种晶圆的外延生长装置和外延生长方法，可提高晶圆外延生长的产量和效率。
一种外延生长装置方法

[发明专利]一种碳化钽涂层及其制备方法-CN202310865702.5在审
发明人：陈豆;马远;程丹妃;李坚;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化钽涂层及其制备方法，具体涉及材料制备领域。该碳化涂层的制备方法包括如下步骤：提供一碳基体；对所述碳基体表面进行活化处理；在经活化处理后的碳基体的表面均匀设置一层填充剂；将有机钽沉积于放置有所述填充剂的碳基体表面；对沉积有机钽的碳基体进行热处理，在所述碳基体的表面形成一层碳化钽涂层。本发明制备的碳化钽涂层的致密性、硬度、耐腐良好，且碳化钽涂层与碳基体的结合性良好，适用于碳化硅晶体的生长。
一种碳化涂层及其制备方法

[实用新型]一种晶圆传递结构及外延生长设备-CN202321251210.9有效
发明人：周长健;张文倩;陈一德;唐军;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆传递结构及外延生长设备，涉及半导体制造领域。所述晶圆传递结构至少包括：第一机械臂；第二机械臂，设置在所述第一机械臂的一端，所述第二机械臂与所述第一机械臂连接；以及遮挡单元，覆盖在所述第二机械臂上，且所述遮挡单元与所述第二机械臂连接。本实用新型提供的一种晶圆传递结构，能够提高晶圆外延层的良率。
一种传递结构外延生长设备

[发明专利]一种双热场晶片退火炉-CN202210916730.0有效
发明人：张德;马远;丁学磊;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种双热场晶片退火炉，属于晶体退火技术领域，该双热场晶片退火炉包括：内壁体、外壁体和第一转动盘。其中，内壁体设置在炉体中心，内壁体中设置有第一加热装置，第一加热装置对内壁体外侧加热产生内热场；外壁体沿炉体周向设置在内壁体外围，外壁体中设置有第二加热装置，第二加热装置对外壁体内侧加热产生外热场；第一转动盘在内壁体和外壁体之间沿炉体周向转动，第一转动盘上沿炉体周向设置有多个安放装置，安放装置中安装有多个坩埚，坩埚用于安放待退火晶片。本发明在退火过程中驱动第一转动盘在内壁体和外壁体之间匀速转动，使得第一转动盘载有的多个坩埚能够同时受到内热场和外热场的加热，使得晶体内应力完全释放。
一种双热场晶片退火炉

[实用新型]一种碳化硅单晶生长装置-CN202320564723.9有效
发明人：薛卫明;马远;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种碳化硅单晶生长装置，具体涉及碳化硅晶体生长领域。所述碳化硅单晶生长装置包括：坩埚、籽晶托盘、至少一层惰性金属结构和底盘；所述坩埚内设有用于放置碳化硅原料的第一区域；设置于所述坩埚的顶部并与所述坩埚可拆卸地连接；所述至少一层惰性金属结构通过电极杆设置于所述第一区域与所述籽晶托盘之间，且所述电极杆与第一电源电连接；所述底盘设置在所述坩埚的下方，所述底盘与第二电源连通。本实用新型的碳化硅单晶生长装置在碳化硅单晶生长过程中将碳化硅原料分解产生的碳颗粒在电场力的作用下收集起来，避免碳颗粒进入到碳化硅晶体中形成碳包裹物，提高了碳化硅晶体的质量。
一种碳化硅生长装置

[实用新型]一种碳化硅籽晶固定结构和碳化硅晶体生长装置-CN202320621480.8有效
发明人：薛卫明;马远;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种碳化硅籽晶固定结构和碳化硅晶体生长装置，具体涉及碳化硅晶体生长技术领域。所述碳化硅籽晶固定结构包括籽晶托盘、陶瓷绝缘体、电极和碳化硅籽晶，所述陶瓷绝缘体设置在所述籽晶托盘的内部；所述电极设置在所述陶瓷绝缘体内，并与外部电源连通；所述碳化硅籽晶通过静电吸附作用固定在所述籽晶托盘的底部。本实用新型利用静电吸附作用将籽晶固定在籽晶托盘上，以改善籽晶托盘材质不均匀、变形、粘接不牢等引起的晶体质量问题。
一种碳化硅籽晶固定结构晶体生长装置

[发明专利]一种半导体薄膜及其生长方法-CN202310093400.0在审
发明人：唐军;何欣超;冯欢欢;杨晋鹏;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体薄膜及其生长方法，所述半导体薄膜至少包括：衬底；第一缓冲层，所述第一缓冲层位于所述衬底表面；第二缓冲层，所述第二缓冲层位于所述第一缓冲层表面；多个凸起，多个所述凸起位于所述第二缓冲层表面；第一半导体层，所述第一半导体层位于所述第二缓冲层和所述凸起表面；第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层表面；以及第三半导体层，所述第三半导体层位于所述第二半导体层表面。本发明提供的一种半导体薄膜及其生长方法，能有效提高薄膜的质量。
一种半导体薄膜及其生长方法

[发明专利]一种掺杂碳化硅晶体的生长方法-CN202310450107.5在审
发明人：薛卫明;周玉洁;马远;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂碳化硅晶体的生长方法，包括：提供生长坩埚，用于放置碳化硅原料和籽晶；提供晶体生长设备，包括多个气体管路和微波等离子发生单元；生长坩埚在第一预设压力升温至第一预设温度；将生长坩埚维持在第二预设压力，升温至第二预设温度；保持温度不变，降低压力至第三预设压力，以第一流量通入含氮气体；降低压力至第四预设压力，持续第一流量通入含氮气体，将含氮等离子体源升温至预定温度，开启微波等离子发生单元，以第二流量通入含氮等离子体源；第一特定速度将含氮气体流量调整至第三流量，第二特定速度将含氮等离子体源流量调整至第四流量。通过本发明提供的掺杂碳化硅晶体的生长方法，提高掺杂碳化硅晶体的良率和性质。
一种掺杂碳化硅晶体生长方法

[发明专利]一种多孔抛光垫的制备方法及应用-CN202210945357.1有效
发明人：陈豆;张德;李梦佳;马远;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种多孔抛光垫的制备方法及应用，所述制备方法至少包括以下步骤：将多孔材料粉末与填充剂、粘结剂、分散剂以及溶剂混合均匀，获得混合浆料；将所述混合浆料与固化剂混合均匀，并进行固化处理，获得胚体；将所述胚体进行高温烧结处理，获得多孔的抛光材料；以及将所述抛光材料单面经过背胶处理，获取所述多孔抛光垫。本发明提供的一种多孔抛光垫的制备方法及应用，能有效提高晶体的抛光质量。
一种多孔抛光制备方法应用

[实用新型]一种外延生长用载盘-CN202320375483.8有效
发明人：沈淳;张文倩;张优优;陈一德;周长健;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延生长用载盘，涉及半导体制造领域。所述外延生长用载盘至少包括：载台；至少一个凸部，设置在所述载台的一面，且所述凸部高出所述载台的平面；凹槽，环绕设置在所述载台的边缘，所述凹槽与所述凸部设置在所述载台的同一面；以及支撑部，设置在所述载台相对于所述凸部的一面。本实用新型提供的一种外延生长用载盘，能够改善晶圆外延层的均匀性。
一种外延生长用载盘

[发明专利]一种碳化硅晶体生长装置及生长方法-CN202310429243.6在审
发明人：薛卫明;周玉洁;马远;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置及生长方法，所述生长装置包括：生长坩埚，所述坩埚内部设置有聚焦反应腔，所述聚焦反应腔与所述生长坩埚之间形成原料腔，聚焦反应腔内附有耐高温层；发热体，设置在所述生长坩埚的四周；保温层，设置在所述发热体的外侧；气体管路，设置所述保温层的底部，且位于所述聚焦反应腔的下方；传导单元，设置在所述气体管路的两侧；微波发生单元和激光发生单元，设置在所述保温层的外侧，与所述传导单元连接；电磁感应单元，设置在所述保温层上，并允许所述电磁感应单元在所述保温层上移动。通过本发明提供的一种碳化硅晶体生长装置及生长方法，提高碳化硅晶体的掺杂质量和良率。
一种碳化硅晶体生长装置生长方法

[发明专利]一种碳化硅晶体生长装置及生长方法-CN202310297335.3在审
发明人：薛卫明;马远;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提一种碳化硅晶体生长装置及生长方法，具体涉及碳化硅晶体生长领域。本发明的碳化硅晶体生长装置，包括坩埚、籽晶托盘、至少一层惰性金属网和底盘；坩埚与第一电源的正极或负极电连接，坩埚包括用于放置碳化硅原料的第一区域；籽晶托盘设置在坩埚的上方；至少一层惰性金属网，通过电极杆设置在所述第一区域与所述籽晶托盘之间，且电极杆与第二电源的正极或负极电连接；底盘设置在所述坩埚的下方，底盘与第三电源的正极或负极电连接；其中，坩埚与所述第一电源、电极杆与第二电源及底盘与第三电源中至少一项导通。采用本发明的碳化硅晶体生长装置可以防止碳颗粒进入碳化硅晶体内，影响碳化硅晶体的质量。
一种碳化硅晶体生长装置生长方法

[发明专利]一种Al1-x-CN202310329588.4在审
发明人：唐军;何欣超;冯欢欢;杨晋鹏;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种Al1‑xScxN薄膜、滤波器件及其制备方法，属于半导体材料制备技术领域，本发明的Al1‑xScxN薄膜的制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长GaN材料层；在所述GaN材料层上生长Al1‑xScxN薄膜层；其中，所述Al1‑xScxN薄膜层中Sc的组分含量x为10％至20％；将所述Al1‑xScxN薄膜层从所述衬底上剥离下来，获得Al1‑xScxN薄膜。本发明Al1‑xScxN薄膜的制备方法，选用特定组分的Al1‑xScxN材料实现在GaN材料层上共格生长，以制备位错密度较小且厚度可选控的Al1‑xScxN薄膜层。
一种 al base sub

[发明专利]一种用于氮化镓基射频器件的外延结构及其制备方法-CN202111563547.9有效
发明人：唐军;冯欢欢;潘尧波 -专利权人： 中电化合物半导体有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种用于氮化镓基射频器件的外延结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供一碳化硅衬底，并对其进行表面清洁处理及辅助硅束流的表面重构；对所述碳化硅衬底进行退火处理以在重构表面产生石墨烯薄膜；接着在所述石墨烯薄膜上依次生长氮化铝缓冲层、氮化镓高阻缓冲层、氮化镓沟道层、InGaN/AlGaN势垒层及氮化硅帽层。将本发明的外延结构应用于高频射频器件中，可改善器件的射频损耗。
一种用于氮化射频器件外延结构及其制备方法

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