“大槻刚”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果19个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]阳极氧化装置、阳极氧化方法及阳极氧化装置的阴极的制造方法-CN201980032658.1有效
发明人： 大槻刚;玉塚正郎 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C25D17/10 文献下载
摘要：本发明提供一种阳极氧化装置，其用于在被处理基板上形成多孔层，所述阳极氧化装置的特征在于，具备：填充有电解质溶液的电解槽；配置于所述电解质溶液中的阳极和阴极；以及使所述电解质溶液中的所述阳极与所述阴极的电极间通电的电源，所述阳极为所述被处理基板，所述阴极通过在硅基板表面上形成氮化膜而成。由此，提供一种在利用HF溶液中的电化学反应而形成多孔硅的阳极氧化中，对HF溶液中的电化学反应具有耐受性且无金属污染等，并比以往更便宜的阴极材料。此外，以比以往更便宜的方式提供高质量的多孔硅。
阳极氧化装置方法阴极制造

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置的评价方法-CN201780046457.8有效
发明人： 大槻刚;中杉直;竹野博;铃木克佳 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体硅基板上形成Fin结构部，并向该Fin结构部进行了离子注入后，在半导体硅基板进行恢复热处理，使Fin结构部的硅再结晶化，以使在形成的Fin结构部的侧壁不出现半导体硅的{111}面的端面的方式对Fin结构部进行加工。由此，提供一种半导体装置的制造方法，其在向Fin结构部进行离子注入并进行恢复热处理时，能够防止向Fin结构部引入缺陷。
半导体装置制造方法评价

[发明专利]量子计算机用半导体装置的制造方法-CN202180046661.6在审
发明人： 大槻刚;竹野博 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B82Y40/00 文献下载
摘要：本发明是一种量子计算机用半导体装置的制造方法，量子计算机用半导体装置具备：半导体基板、在所述半导体基板上形成的量子计算机用元件、以及在所述半导体基板上形成且连接于所述量子计算机用元件的周边电路，量子计算机用半导体装置作为量子计算机使用，量子计算机用半导体装置的制造方法的特征在于，包含以下工序：在所述半导体基板上形成所述量子计算机用元件以及所述周边电路；通过向所述半导体基板中的至少量子计算机用元件形成部以及周边电路形成部照射粒子束，从而使半导体基板中的载流子惰性化。由此，提供一种能够制造3HD特性优异的量子计算机用半导体装置的、量子计算机用半导体装置的制造方法。
量子计算机半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN202180044129.0在审
发明人： 大槻刚;竹野博 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本发明是一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置使用了用贯穿电极将在单晶硅基板上形成的半导体元件之间连接的中介层基板，其特征在于，包含以下工序：准备包含掺杂剂的所述单晶硅基板；在所述单晶硅基板上形成所述半导体元件及所述贯穿电极而获得所述中介层基板；通过对所述单晶硅基板中的至少所述贯穿电极的形成部周边照射粒子束，从而使所述贯穿电极的形成部周边区域的所述掺杂剂惰性化。由此，提供一种半导体装置的制造方法，能够制造改善了传输损耗特性的半导体装置。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]半导体基板的热氧化膜形成方法-CN202180035761.9在审
发明人： 大槻刚;阿部达夫 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体基板的热氧化膜形成方法，其具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备由清洗而形成的化学氧化膜的构成各不相同的多个半导体基板，在相同的热氧化处理条件下进行热氧化处理从而形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的厚度的相关关系；清洗条件确定工序，其中，根据在相关关系获取工序中得到的相关关系，以使形成于半导体基板的热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定化学氧化膜的构成，并同时确定形成具有确定出的化学氧化膜的构成的化学氧化膜的清洗条件；基板清洗工序，其中，在所确定的清洗条件下对半导体基板进行清洗；热氧化膜形成工序，其中，对于进行了清洗的所述半导体基板，在与相关关系获取工序中的热氧化处理条件相同的条件下，对半导体基板进行热氧化处理，在所述半导体基板表面形成热氧化膜。由此，能够再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的膜厚。
半导体氧化形成方法

[发明专利]半导体基板的干式蚀刻方法及硅氧化膜的干式蚀刻方法-CN202180031524.5在审
发明人： 大槻刚;阿部达夫 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明是一种半导体基板的干式蚀刻方法，其为具有氧化膜的半导体基板的干式蚀刻方法，其中，预先评价所述氧化膜的膜质，并基于该评价的结果确定进行所述干式蚀刻的时间。由此，提供以下的方法：在对半导体基板表面的氧化膜进行干式蚀刻时，可不受氧化膜的膜质差异影响，准确地控制氧化膜的蚀刻量，而抑制过度蚀刻或蚀刻不足。
半导体蚀刻方法氧化

[发明专利]半导体基板的热氧化膜形成方法-CN202180032465.3在审
发明人： 大槻刚;阿部达夫 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明为一种半导体基板的热氧化膜形成方法，该方法具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备多个化学氧化膜的构成不同半导体基板，在相同的热氧化处理条件下形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的厚度的相关关系；基板清洗工序，其中，对半导体基板进行清洗；热氧化膜的厚度推定工序，其中，求出由基板清洗工序中的清洗形成于半导体基板的化学氧化膜的构成，根据相关关系，推定假设在相关关系获取工序中的热氧化处理条件下对半导体基板进行热氧化处理时的热氧化膜的厚度；热氧化处理条件确定工序，其中，以相关关系获取工序中的热氧化处理条件为基准，以使热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定热氧化处理条件；热氧化膜形成工序，其中，在热氧化处理条件确定工序中确定的热氧化处理条件下在半导体基板上形成热氧化膜。由此，再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的薄的厚度。
半导体氧化形成方法

[发明专利]半导体基板的评价方法-CN202080059729.X在审
发明人： 大槻刚 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体基板的评价方法，其评价半导体基板的电气特性，包含以下工序：在半导体基板的表面形成pn结；在晶圆卡盘上搭载半导体基板，晶圆卡盘设置有对半导体基板表面进行光照射的装置及测量照射的光的光量的装置；对半导体基板表面进行预定时间的光照射；以及至少测量关闭光照射后的pn结的光照射后的产生载流子量。由此，提供一种半导体基板的评价方法，该方法在对与CCD、CMOS图像传感器等要求高成品率的产品所使用的晶圆的余像特性对应的特性进行评价时，不进行使用了工艺设备的元件的制作，在晶圆状态下也能够进行与形成实际的固体摄像元件时同样的评价。
半导体评价方法

[发明专利]固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆、以及固体摄像组件-CN202011203371.1在审
发明人：阿部孝夫;大槻刚 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：技术问题：本发明提供一种能够抑制固体摄像组件的残像特性的固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆。解决手段：一种固体摄像组件用的硅单晶基板，是将通过CZ法制作的硅单晶进行切片而获得的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，所述硅单晶基板是主掺杂物为Ga的p型硅单晶基板，并且B浓度为5×1014atoms/cm3以下。
固体摄像组件硅单晶基板硅磊晶晶圆以及

[发明专利]外延片的制造方法-CN201880034863.7在审
发明人： 大槻刚;水泽康;铃木克佳;石崎顺也 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明为一种外延片的制造方法，其在硅基板上形成外延层，其具有在所述外延层中形成原子层的工序，所述原子层由选自氧、碳、氮、锗、锡、硼及磷组成的组中的一种元素的原子形成，且厚度为5nm以下，使用SiH
外延层原子层外延片硅基板制造

[发明专利]半导体基板的评价方法-CN201580013050.6有效
发明人： 大槻刚;竹野博 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-02-23 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板的评价方法，其是对具有结晶缺陷的半导体基板实施用于修复所述结晶缺陷的缺陷修复热处理的半导体基板的评价方法，其特征在于，以闪光灯退火进行所述缺陷修复热处理，并具有：通过控制所述闪光灯退火的处理条件，对修复途中的半导体基板的结晶缺陷进行测量的工序；以及基于该测量的结果对所述结晶缺陷的修复机制进行解析的工序。由此，提供一种能够对结晶缺陷的修复过程进行评价的半导体基板的评价方法。
半导体评价方法

[发明专利]SOI基板的评估方法-CN201580024451.1有效
发明人： 大槻刚 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI基板的评估方法，包含：预先于测定用SOI基板形成装置，求取测定用SOI基板的界面态密度与施加高周波时漏功率的关系，或是将界面态密度换算为电阻而求取换算的电阻与该漏功率的关系；测定评估对象SOI基板的界面态密度而求取界面态密度，或是求取基于界面态密度所换算得出的电阻；以及借由测定评估对象SOI基板的界面态密度，基于预先求取界面态密度与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率，或是借由测定评估对象SOI基板的界面态密度所换算的电阻，基于预先求取电阻与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率。如此，不实际测定高周波特性，借由尽可能简单的方法评估适合高周波的基板。
soi 评估方法

[发明专利]半导体晶圆的评价方法-CN201480030034.3有效
发明人： 大槻刚 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明是一种半导体晶圆的评价方法，其特征在于，包含以下步骤准备已知污染元素及污染量的基准晶圆的步骤；在所述基准晶圆上形成多个包含pn结的单元的步骤；测量所述基准晶圆的所述多个单元的结漏电流，获取所述基准晶圆的所述结漏电流的分布的步骤；进行所述基准晶圆的所述结漏电流的分布与污染元素的对应关联的步骤；在被测晶圆上形成多个包含pn结的单元的步骤；测量所述被测晶圆的所述多个单元的结漏电流，获取所述被测晶圆的所述结漏电流的分布的步骤；基于所述对应关系，确定所述被测晶圆的污染元素的步骤。
半导体评价方法

[发明专利]半导体基板的评价方法、评价用半导体基板、半导体装置-CN201380025843.0有效
发明人： 大槻刚 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明是在EP基板1上，成长与EP基板1不同的导电型EP层2。在EP层2上形成分离氧化膜9。通过离子注入，形成与EP层2相同的导电型井5，并且在分离氧化膜9的正下方利用自对准形成通道阻绝层10。在井5中，使与井5不同的导电型掺杂物扩散而在井5内形成pn接合7。形成多个以扩散层6作为一电极、以EP基板1的背面1a作为另一电极的单元20而用作TEG，对来自井中的空乏层8以及EP层2与EP基板1的界面的空乏层4的2个空乏层的接合漏电电流进行测定。因此，可提供一种可对CCD、CMOS传感器等要求高良率的产品中使用的高质量晶圆的漏电电流特性高精度地进行评价的半导体基板的评价方法以及半导体基板及半导体装置。
半导体评价方法装置

[发明专利]闪光灯退火用半导体基板、退火基板、半导体装置、以及半导体装置的制造方法-CN201580010104.3在审
发明人： 大槻刚;竹野博 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明是一种闪光灯退火用半导体基板，其特征在于，用于下述制造工序，该制造工序是进行离子注入并在半导体基板表面形成p‑n结，通过闪光灯退火来修复离子注入缺陷，并且，所述半导体基板的碳浓度在0.5ppma以下。由此，提供一种闪光灯退火用半导体基板，其在使用闪光灯退火工序而制成的元件中，能够简单且切实地防止离子注入缺陷的残留。
闪光灯退火半导体装置以及制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 19 条