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[发明专利]一种背接触电池及其制作方法-CN202111118365.0有效
发明人：李中兰;鲁伟明;李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开一种背接触电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，用于在保证高的光电转换效率的情况下简化背接触电池的制作工艺。所述背接触电池，包括：基底，基底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面上具有交错排列的第一掺杂区和第二掺杂区，以及介于第一掺杂区和第二掺杂区之间的第三区域。依次形成于第一掺杂区上的第一掺杂层以及第二掺杂层，第一掺杂层与所述第二掺杂层的导电类型相反；形成于第二掺杂区的第三掺杂层，第三掺杂层与第一掺杂层的导电类型相反；以及第一电极和第二电极，第一电极与第二掺杂层电接触，第二电极与第三掺杂层电接触。本发明提供的背接触电池的制作方法用于制作背接触电池。
一种接触电池及其制作方法

[发明专利]一种背接触电池及其制作方法-CN202111162148.1有效
发明人：李中兰;鲁伟明;李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开一种背接触电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，用于在保证高的光电转换效率的情况下简化背接触电池的制作工艺。所述背接触电池包括：基底，基底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面上具有交错排列的第一掺杂区和第二掺杂区，和介于第一掺杂区和第二掺杂区之间的叠层区和第三区域，叠层区靠近第一掺杂区；形成于第一掺杂区和叠层区上的第一掺杂层；形成于第一掺杂层上且位于叠层区上方的第二掺杂层，形成于第二掺杂区上的第三掺杂层，第三掺杂层和第二掺杂层与第一掺杂层的导电类型相反；以及与第一掺杂层电接触的第一电极和与第三掺杂层电接触的第二电极。本发明提供的背接触电池的制作方法用于制作背接触电池。
一种接触电池及其制作方法

[发明专利]p型多晶硅薄膜制备方法及其在钝化接触太阳电池中的应用-CN202010200814.5有效
发明人：廖明墩;叶继春;曾俞衡;闫宝杰;智雨燕;黄丹丹;卢琳娜;郑晶茗 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开了p型多晶硅薄膜制备方法，主要是在硅片上依次制备氧化硅层‑非晶硅或多晶硅层‑金属铝层，形成多叠层结构薄膜，然后对根据工艺需要进行400‑1100℃高温退火，使铝在硅薄膜层中形成激活的杂质。本发明首先利用金属铝作为插入层，将其沉积于硼掺杂非晶硅或本征多晶硅表面，然后利用退火处理使铝在沉积层中扩散，特别是当形成多层叠层结构时，铝处于非晶硅或多晶硅夹层中，能够使扩散更加均匀，形成较好的掺杂，提供空穴，可以显著增加薄膜的载流子浓度，减低薄膜方阻，降低钝化介质/多晶硅与硅片之间的接触电阻率；此外，部分铝还可以扩散进入硅片，从而增强硅衬底的电阻率。由于铝的激活温度低、扩散速率高，可以减低处理温度和处理时间，显著降低工艺时间，节省成本。
多晶薄膜制备方法及其钝化接触太阳电池中的应用

[实用新型]太阳能电池-CN202223422454.7有效
发明人：陈海燕;蒋方丹;邓伟伟 -专利权人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本实用新型提供一种太阳能电池，包括硅片、位于硅片正面的选择性发射极、正面金属电极，其特征在于，所述选择性发射极包括重掺杂区、轻掺杂区，所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，所述正面金属电极位于所述重掺杂区的正面并与其接触。所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，扩大了正面的受光面积；且与传统的二次硼扩技术兼容性高，SE技术提效高。
太阳能电池

[发明专利]一种太阳能电池及光伏组件-CN202310154391.1有效
发明人：金井升;廖光明 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，该太阳能电池包括基底、隧穿氧化层、第一掺杂导电层、本征多晶硅层、第二掺杂导电层和第一电极。基底具有第一表面，隧穿氧化层覆盖于第一表面，第一掺杂导电层覆盖于隧穿氧化层远离基底的一侧表面，本征多晶硅层设置于第一掺杂导电层远离隧穿氧化层的一侧表面，第二掺杂导电层设置于第一掺杂导电层远离隧穿氧化层的一侧表面，多个第一电极设置于第二掺杂导电层远离第一掺杂导电层的一侧，其中，第二掺杂导电层与第一电极沿太阳能电池的厚度方向对齐设置，第一电极的至少部分伸入至第二掺杂导电层内，以通过第二掺杂导电层与第一掺杂导电层电连接，能够增强载流子的传输能力，提高太阳能电池的电池效率。
一种太阳能电池组件

[发明专利]CMOS图像传感器宽光谱吸收光电二极管及其制作方法-CN202310649418.4在审
发明人：王秀宇;王涛;徐江涛;任群;崔雨昂 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明涉及CMOS图像传感器领域，为提出一种基于硅本征光吸收和局域态能级光吸收的光电二极管新型结构，以扩宽硅的光吸收波长范围，提高传统CIS对长波长光的利用效率，有利于微光成像。为此，本发明采取的技术方案是，CMOS图像传感器宽光谱吸收光电二极管及其制作方法，采用杂质补偿结构的PN结PNc，构成PNc结的P区和N区均通过杂质补偿形成。本发明主要应用于CMOS图像传感器设计制造场合。
cmos 图像传感器光谱吸收光电二极管及其制作方法

[发明专利]用于制造PERT太阳能电池的方法-CN201880046023.2有效
发明人：弗洛里恩·巴克霍尔兹;皮尔明·普赖斯;克里斯托弗·皮特 -专利权人：国际太阳能研究中心康斯坦茨协会
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：提供了一种用于制造PERT太阳能电池(10)的方法，其具有以下步骤：制备n掺杂或p掺杂的硅基板(1)；实施第一掺杂工艺，利用所述第一掺杂工艺对所述n掺杂或p掺杂的硅基板(1)的至少一侧进行掺杂，或者将至少一个掺杂层施加到所述n掺杂或p掺杂的硅基板(1)的一侧，以生成第一掺杂侧；至少在所述PERT太阳能电池(10)的所述第一掺杂侧上沉积至少一种钝化表面或掩盖表面的物质；实施第二掺杂工艺，利用所述第二掺杂工艺至少掺杂所述n掺杂或p掺杂的硅基板的与所述第一掺杂侧相对的另一侧，或者在其上施加掺杂层，其中，在实施这些步骤之后，对所述PERT太阳能电池(10)的边缘(11，12)进行湿法化学蚀刻，其中，在湿法化学蚀刻时，所述PERT太阳能电池(10)的与所述第一掺杂侧相对的另一侧由水帽(4)保护，并且其中，在将所述钝化表面或掩盖表面的物质(5)至少沉积在所述PERT太阳能电池(10)的所述第一掺杂侧上之后并且在所述边缘的湿法化学蚀刻之前，使沉积在所述PERT太阳能电池(10)的所述第一掺杂侧上的所述钝化表面或掩盖表面的物质(5)通过高温处理来烧结。
用于制造 pert 太阳能电池方法

[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件-CN202310608687.6在审
发明人：张彼克;徐梦微;金井升;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；位于半导体衬底第一表面的发射极和第一钝化层；位于半导体衬底第二表面的隧穿层；位于隧穿层表面的第一掺杂导电层和阻滞层，其中，第一掺杂导电层位于隧穿层与阻滞层之间，第一掺杂导电层和阻滞层对应于金属化区域；位于隧穿层表面的第二掺杂导电层，第二掺杂导电层覆盖非金属化区域的隧穿层和阻滞层，第二掺杂导电层的掺杂浓度大于第一掺杂导电层的掺杂浓度；位于第二掺杂导电层表面的第二钝化层；穿透第二钝化层与第二掺杂多晶硅层形成接触的第二电极及穿透第一钝化层与发射极形成接触的第一电极。
太阳能电池及其制备方法组件

[发明专利]一种选择性硼掺杂结构及其制备方法和应用-CN202310447030.6在审
发明人：王永峰;汤佳丽;杨立功 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供了一种选择性硼掺杂结构及其制备方法和应用，属于光伏技术领域。所述方法经过印刷、热处理和激光掺杂，形成的选择性硼掺杂结构以金属栅线与硅片接触区域为重掺杂区、受光区域为轻掺杂区，重掺杂区形成良好的欧姆接触并且改善填充因子，轻掺杂区可以改善短波的响应，且低表面浓度减少了少子的复合、提升了开路电压和短路电流。本发明的选择性硼掺杂结构的制备方法较现有工艺更简单，效果好，耗时短，易操作。
一种选择性掺杂结构及其制备方法应用

[发明专利]具有低暗电流的光侦测装置-CN202310473507.8在审
发明人：卢彦丞;那允中 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有低暗电流的光侦测装置。光侦测装置包含一光侦测组件，光侦测组件包含：一基底，包含一导通区；一吸收区，接触导通区，且配置以接收一光信号于接收光信号后产生多个光载子。其中，吸收区掺杂具有一第一导电类型及一第一峰值掺杂浓度的一第一掺杂物；导通区掺杂具有一第二导电类型及一第二峰值掺杂浓度的一第二掺杂物；导通区包含与吸收区的一材料不同的一材料；导通区与吸收区接触以形成至少一异质界面；吸收区的第一峰值掺杂浓度与导通区的第二峰值掺杂浓度间的一比例等于或大于10；基底包含多个第一接触区；吸收区包含一第二接触区；基底包含多个第三接触区；多个第三接触区及多个第一接触区是一交错状的排列。
具有电流侦测装置

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310470192.1在审
发明人：毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池，包括：掺杂多晶硅层；掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域；第一掺杂多晶硅区域选自磷掺杂的多晶硅；第二掺杂多晶合金硅区域选自氧、碳、氮中至少一种元素合金化的磷掺杂多晶硅；第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度不低于1E20cm‑3；第二掺杂多晶合金硅区域的禁带宽度大于第一掺杂多晶硅区域的禁带宽度，第二掺杂多晶合金硅区域的掺杂浓度小于第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度。本发明提供的TOPCon电池结构，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅厚度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310470216.3在审
发明人：毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池，包括：单晶硅片；设置在单晶硅片背面的内扩层；设置在内扩层下方的掺杂多晶硅层；所述掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶硅区域，所述第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度高于第二掺杂多晶硅区域的掺杂浓度；所述内层包括：第一内扩区域和第二内扩区域，所述第一内扩区域位置与第一掺杂多晶硅区域位置相对应，所述第一内扩区域的结深大于第二内扩区域的结深。本发明提供的TOPCon电池具有特定的结构，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅的厚度和浓度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件-CN202310427838.8在审
发明人：杨楠楠;张彼克;金井升 -专利权人：晶科能源（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底；隧穿层，位于基底的第一表面；掺杂导电层，位于隧穿层远离基底的表面，包括：沿平行于第一表面方向交替排布的第一硅层和第二硅层，第一硅层和第二硅层均沿预设方向延伸，第一硅层由第一多晶硅构成，第二硅层包含第二多晶硅和非晶硅，其中，第一多晶硅的平均晶粒尺寸大于第二多晶硅的平均晶粒尺寸，第二硅层的掺杂元素浓度大于第一硅层的掺杂元素浓度；多个第一电极，位于掺杂导电层远离隧穿层一侧，多个第一电极中的每一个沿预设方向延伸，且一第一电极与一第二硅层电接触。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制备方法组件

[发明专利]具有经改进的机械强度的高电阻率单晶硅锭及晶片-CN202310269969.8在审
发明人：舒柏·巴萨克;伊格·佩杜斯;卡瑞喜玛·玛丽·哈德森;李衡敏;金昞天;罗伯特·J·法斯特 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本申请涉及具有经改进的机械强度的高电阻率单晶硅锭及晶片。本发明提供一种用于制备单晶硅锭的方法及从其切割的晶片。所述锭和晶片包括至少约1x1014个原子/cm3的浓度的氮及/或至少约1x1019个原子/cm3的浓度的锗、小于约6ppma的浓度的间隙氧及至少约1000ohm cm的电阻率。
具有改进机械强度电阻率单晶硅晶片

[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件-CN202310172661.1有效
发明人：张彼克;徐梦微;金井升;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；位于半导体衬底第一表面的发射极和第一钝化层；位于半导体衬底第二表面的隧穿层；位于隧穿层表面的第一掺杂导电层和阻滞层，其中，第一掺杂导电层位于隧穿层与阻滞层之间，第一掺杂导电层和阻滞层对应于金属化区域；位于隧穿层表面的第二掺杂导电层，第二掺杂导电层覆盖非金属化区域的隧穿层和阻滞层，第二掺杂导电层的掺杂浓度大于第一掺杂导电层的掺杂浓度；位于第二掺杂导电层表面的第二钝化层；穿透第二钝化层与第二掺杂多晶硅层形成接触的第二电极及穿透第一钝化层与发射极形成接触的第一电极。
太阳能电池及其制备方法组件

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