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[发明专利]印刷玻璃钝化工艺方法-CN202111515964.6在审
发明人：朱法扬;周榕榕;薛治祥;朱森梅;沈广宇 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开一种印刷玻璃钝化工艺方法，包括下列步骤：1）上片，在印刷区域放入硅单晶片，将不锈钢印刷板覆盖在硅单晶片表面，不锈钢印刷板的中心印刷通槽位于硅单晶片的中部；2）涂覆玻璃糊、刮涂，在不锈钢印刷板上倒入玻璃糊，用刮刀沿芯片的对角线方向将玻璃糊刮入硅单晶片的沟槽内，重复1‑2次填满沟槽，刮刀材质为树脂、不锈钢、特氟龙、橡胶或聚氨脂；3）玻璃糊烘干，硅单晶片放到热板上烘干；4）装舟，硅单晶片装入石英舟；5）玻璃烧结
印刷玻璃钝化工艺方法

[发明专利]一种带径向调温环的碳化硅单晶生长装置-CN202210390888.9在审
发明人：刘鹏;徐文立;潘建栋;袁晓芸 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开一种带径向调温环的碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域。该带径向调温环的碳化硅单晶生长装置包括密封腔、保温结构、加热结构、坩埚和均温环等；坩埚用于放置源料，籽晶安装于坩埚顶部。多组加热机构和保温结构用于调节籽晶处径向温度梯度。该带径向调温环的碳化硅单晶生长装置能够实时动态调整籽晶处径向温度梯度，且调节方法简单，效应速度快，可有效控制碳化硅单晶晶锭的生长面凹凸程度，有利于大尺寸碳化硅单晶晶锭的生长。
一种径向调温碳化硅生长装置

[发明专利]一种提高连续生长碳化硅单晶品质的方法-CN201811303469.7有效
发明人：高超;李长进;李加林;刘家朋;孙元行;刘鹏飞;李宏刚;窦文涛;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种提高连续生长碳化硅单晶品质的方法，属于碳化硅单晶的制备领域。所述连续制备碳化硅单晶的方法可通过简单的调节坩埚与套环的相对位置，不需要更换坩埚即可连续制备凸率均匀的碳化硅单晶；并且可针对性的设计特定热场，改变坩埚内部的气相传输路径，从而实现快捷有效的热场和流体控制本申请的提高连续生长碳化硅单晶品质的方法中，在坩埚外侧增加螺纹及配套的套环装置，实现坩埚发热区的快速转换，能够快速便捷的实现热场的调整，同时大大降低碳化硅单晶的制造成本。
碳化硅单晶坩埚热场连续制备生长快速转换流体控制气相传输套环装置制造成本发热区配套的螺纹套环申请制备

[实用新型]硅单晶棒回收装置-CN201620480717.5有效
发明人：尚青生 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： B02C19/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种硅单晶棒回收装置，包括缸体、上挤压盘、下挤压盘及挤压头；下挤压盘位于缸体下部并与缸体底部保持预定距离；挤压头位于上挤压盘上，并朝向所述下挤压盘，待回收的硅单晶棒位于下挤压盘上，由上挤压盘进行挤压，下挤压盘上设有多个通孔，在上挤压盘对所述待回收的硅单晶棒进行挤压时，挤压头能穿过所述通孔。通过上挤压盘的下压，挤压头对待回收的硅单晶棒进行压碎处理，并且下挤压盘上设有通孔，压碎的待回收的硅单晶棒可由通孔落入缸体底部，从而避免使用高温处理，同时还能够避免对待回收的硅单晶棒造成污染。
硅单晶棒回收装置

[实用新型]一种带径向调温环的碳化硅单晶生长装置-CN202220859701.0有效
发明人：刘鹏;徐文立;潘建栋;袁晓芸 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开一种带径向调温环的碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域。该带径向调温环的碳化硅单晶生长装置包括密封腔、保温结构、加热结构、坩埚和均温环等；坩埚用于放置源料，籽晶安装于坩埚顶部。多组加热机构和保温结构用于调节籽晶处径向温度梯度。该带径向调温环的碳化硅单晶生长装置能够实时动态调整籽晶处径向温度梯度，且调节方法简单，效应速度快，可有效控制碳化硅单晶晶锭的生长面凹凸程度，有利于大尺寸碳化硅单晶晶锭的生长。
一种径向调温碳化硅生长装置

[发明专利]外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法以及外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板-CN201480007779.8在审
发明人：蓝乡崇;伊藤涉;藤本辰雄 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供能够得到具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片的碳化硅单晶基板的制造方法以及碳化硅单晶基板。具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法是：通过研磨速度为100nm/小时以下的CMP(化学机械研磨)法对碳化硅单晶基板的表面进行研磨来将表面除去100nm以上的厚度
外延碳化硅晶片单晶基板制造方法以及

[发明专利]外延碳化硅单晶基板的制造方法-CN201180055581.3有效
发明人：蓝乡崇;柘植弘志;胜野正和;藤本辰雄;矢代弘克 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在偏离角度较小的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法。根据本发明，在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法中，在进行上述外延生长之前，使含有硅和氯的气体与氢气一同流动，使硅原子相对于氢气中的氢原子的浓度达到
外延碳化硅单晶基板制造方法

[实用新型]直拉法生长高少子寿命掺镓硅单晶炉用的附加导流装置-CN201320077801.9有效
发明人：任丙彦;任丽 -专利权人：任丙彦;任丽
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶炉用的附加导流装置，包括：石英套筒，石英套筒顶端设置外沿，在外沿下方依次设置若干圆周分布小孔，小孔均匀分布。所述的石英套筒呈倒梯形。通过单晶炉内导流系统的优化，使所生长的掺镓硅单晶的少数载流子寿命（以下简称少子寿命）得以提高。本实用新型具有不破坏通用单晶炉构造、改造成本低、具有能够有效提高直拉法生长掺镓硅单晶少子寿命的特点，并且同样适用于其它直拉法掺杂硅单晶炉，生产掺杂硼的硅单晶和掺杂磷的硅单晶。
直拉法生长少子寿命掺镓硅单晶炉用附加导流装置

[发明专利]碳化硅单晶体的制备方法-CN202110947038.X有效
发明人：付芬;张洁 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及碳化硅单晶体的制备方法；本发明的碳化硅单晶体的制备方法包括提供硅衬底，硅衬底的尺寸为8‑12英寸；在硅衬底上外延生长一层碳化硅；将硅衬底剥离，以得到碳化硅外延层；用物理气相传输法对碳化硅外延层进行碳化硅单晶生长。本发明的碳化硅单晶体的制备方法便于制备出尺寸为8‑12英寸的碳化硅单晶体。
碳化硅单晶体制备方法

[发明专利]双上炉体连续加料硅单晶炉及其使用方法-CN201110297917.9无效
发明人：杨永录;葛亮;赖章田;贺贤汉 -专利权人：上海汉虹精密机械有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明双上炉体连续加料硅单晶炉，包括：主机架；下炉体，所述下炉体设置在所述主机架上；所述双上炉体连续加料硅单晶炉还包括双上炉体组件，所述双上炉体组件包括两个分立设置的左上炉体及右上炉体。本发明双上炉体连续加料硅单晶炉可以实现在不更换石英坩埚及不开炉的情况下进行二次连续加料及硅单晶棒的拉制，从而从节能、节约坩埚、及节约时间上降低硅单晶棒的生产成本。
双上炉体连续加料硅单晶炉及其使用方法

[发明专利]碳化硅半导体开关器件-CN98813915.4无效
发明人：大野俊之;岩崎贵之;八尾勉 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1998-03-19 - 公布日： 2001-03-07 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本半导体开关器件包括具有第一导电类型的六角形对称碳化硅单晶和具有与第一导电类型相反的第二导电类型并位于碳化硅单晶内的半导体区域。在第一导电类型的碳化硅单晶和第二导电类型的半导体区域之间形成pn结。pn结果面包括从碳化硅单晶表面开始沿着深度方向延伸的界面,而延伸的界面包括与碳化硅单晶(1120)取向平行或大致与之平行的晶面。因此减小漏电流。
碳化硅半导体开关器件

[发明专利]碳化硅单晶及其蚀刻方法-CN200580023035.6无效
发明人：田坂明政;东城哲朗;稻叶稔;三本敦久;田中正道;岛卡欧利 -专利权人：东洋炭素株式会社;三井化学株式会社;住友大阪水泥株式会社
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供得到包括半导体领域等应用非常广泛的碳化硅单晶以及使用三氟化氮等离子体能够使碳化硅单晶平滑的碳化硅单晶的蚀刻方法。为了获得平滑性(表面粗糙度)在±150nm以内的碳化硅单晶以及该材料，对含有三氟化氮的气体进行等离子体激发，使碳化硅单晶表面平滑。并且，优选三氟化氮气体的压力为0.5～10Pa。
碳化硅及其蚀刻方法

[发明专利]硅单晶的生长方法-CN201010166765.4有效
发明人：赵铉鼎 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法，即：把装有熔体的坩埚的旋转速度作为Vc，所述硅单晶的旋转速度作为Vs时，用满足3≤Ln[Vs/Vc]≤5的条件使硅单晶生长。
硅单晶生长方法

[发明专利]单晶制造系统及单晶制造方法-CN202080087775.0在审
发明人：西岗研一;高梨启一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够防止校正量的计算错误及设定错误且能够在下一批次反映适当的校正量的单晶制造系统及单晶制造方法。单晶制造系统（1）具备：单晶提拉装置（10），在利用CZ法进行的单晶的提拉工序中求出单晶的直径测量值，使用直径校正系数来校正直径测量值，由此，求出单晶的第1直径，根据第1直径控制单晶的直径；直径测量装置（50），在室温下测量单晶提拉装置（10）提拉的单晶的直径，求出单晶的第2直径；及数据库服务器（60），从单晶提拉装置（10）及直径测量装置（50）分别获取第1直径及第2直径并管理。
制造系统方法

[发明专利]制备单晶硅时的间隙尺寸决定方法及单晶硅的制备方法-CN202010273289.X有效
发明人：下崎一平 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：单晶硅的间隙尺寸决定方法，其中，模拟单晶硅的缺陷分布和提拉速度的关系，基于模拟结果来确定得到只具有无缺陷区域的单晶硅的提拉速度的裕度，基于将通过模拟得到的缺陷分布数值化得到的值、通过模拟得到的提拉速度的裕度和间隙尺寸的第1关系，以及将评价用单晶硅的缺陷分布数值化得到的值和制备评价用单晶硅时的间隙尺寸的第2关系，推断制备评价用单晶硅时的提拉速度的裕度，决定使得比该推断的提拉速度的裕度更为增大的间隙尺寸。
制备单晶硅间隙尺寸决定方法