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[发明专利]硅单晶基板的制造方法及硅单晶基板-CN202180051548.7在审
发明人：曲伟峰;井川静男;砂川健 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅单晶基板的制造方法，其为在表面具有碳扩散层的硅单晶基板的制造方法，其包含：通过在含碳气体气氛中对硅单晶基板进行RTA处理，使碳附着于所述硅单晶基板的表面的工序；使所述碳与所述硅单晶基板反应，从而在所述硅单晶基板的表面形成3C‑SiC单晶膜的工序；通过在氧化性气氛中对形成有所述3C‑SiC单晶膜的硅单晶基板进行RTA处理，将所述3C‑SiC单晶膜氧化而制成氧化膜并同时使碳在所述硅单晶基板中向内扩散的工序由此，提供具有近邻吸杂能力且表面附近的强度高、不易发生位错或位错不易扩展的硅单晶基板及其制造方法。
硅单晶基板制造方法

[发明专利]复合寿命的控制方法-CN201880084042.4有效
发明人：竹野博 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供一种复合寿命的控制方法，其通过进行由利用FZ法培养的掺氮硅单晶准备硅单晶基板的工序；实施热处理的热处理工序A；对硅单晶基板照射粒子束的粒子束照射工序；及对硅单晶基板进行热处理的热处理工序B，从而控制硅单晶基板的载流子的复合寿命，该方法的特征在于，在热处理工序A中，根据在准备工序中准备的硅单晶基板的氧浓度Co，使硅单晶基板中的氮向外扩散，从而调节硅单晶基板的氮浓度Cn，然后，进行粒子束照射工序。由此，能够确实地减小起因于掺氮FZ硅单晶基板的复合寿命的偏差，能够以高精度控制复合寿命。
复合寿命控制方法

[发明专利]固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆、以及固体摄像组件-CN202011203371.1在审
发明人：阿部孝夫;大槻刚 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：技术问题：本发明提供一种能够抑制固体摄像组件的残像特性的固体摄像组件用的硅单晶基板及硅磊晶晶圆。解决手段：一种固体摄像组件用的硅单晶基板，是将通过CZ法制作的硅单晶进行切片而获得的固体摄像组件用的硅单晶基板，其特征在于，所述硅单晶基板是主掺杂物为Ga的p型硅单晶基板，并且B浓度为5×10
固体摄像组件硅单晶基板硅磊晶晶圆以及

[发明专利]外延碳化硅单晶基板及其制造方法-CN201080005900.5有效
发明人：蓝乡崇;柘植弘志;星野泰三;藤本辰雄;胜野正和;中林正史;矢代弘克 -专利权人：新日本制铁株式会社
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种具有在使用了偏离角度为6°及其以下的基板的外延生长中抑制了台阶束的发生的高品质外延膜的外延SiC单晶基板及其制造方法。本发明的外延碳化硅单晶基板，是在偏离角度为6°以下的碳化硅单晶基板上形成了碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板，其特征在于，所述碳化硅单晶薄膜表面的表面粗糙度(Ra值)为0.5nm以下。
外延碳化硅单晶基板及其制造方法

[发明专利]制备碳化硅单晶的方法-CN200680022260.2有效
发明人：坂元秀光 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种制备碳化硅单晶的方法，其包括使碳化硅单晶基板与通过熔融包含Si和C的原料制备的熔体接触，并使碳化硅单晶在所述基板上生长，所述方法包括进行包含如下步骤(a)和(b)的循环：a)使所述籽晶基板与所述熔体的所述表面接触、生长单晶、以及从所述熔体的所述表面分离所述籽晶基板从而打断所述单晶生长的步骤，和b)使所述籽晶基板与所述熔体的所述表面接触并生长单晶的步骤，至少进行一次，其中所述籽晶是6H－碳化硅单晶或15R－碳化硅单晶，得到的单晶是4H－碳化硅单晶。
制备碳化硅方法

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN200680004816.5无效
发明人：河原孝光;八木邦明;八田直记;长泽弘幸 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2006-05-23 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，在使碳化硅单晶在单晶基板上外延生长时，能够减少在碳化硅单晶内产生的表面缺陷。该方法是在单晶基板(1)的表面使碳化硅单晶层外延生长的碳化硅单晶的制造方法，其中，在上述单晶基板(1)的表面，形成在与该基板表面(1)基本平行的一个方向上延伸的多个起伏(2)，且该起伏(2)在上述单晶基板的厚度方向上波动，并且，设置该起伏(2)，使得由伴随着碳化硅单晶的外延生长而传播的反相区域边界面和/或双晶带形成的表面缺陷彼此会合。
碳化硅制造方法

[发明专利]外延碳化硅单晶晶片的制造方法-CN201680033576.5有效
发明人：蓝乡崇;伊藤涉;藤本辰雄 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供一种制造外延碳化硅单晶晶片的方法，该外延碳化硅单晶晶片是在偏斜角度小的碳化硅单晶基板上具有高品质且基底面位错少的碳化硅单晶薄膜而成的。所述制造方法是通过热CVD法在碳化硅单晶基板上使碳化硅外延生长来制造外延碳化硅单晶晶片，所述制造方法的特征在于，在外延生长炉内流入蚀刻气体，对碳化硅单晶基板的表面预先进行蚀刻以使得算术平均粗糙度Ra值达到0.5nm以上且3.0nm以下，然后开始外延生长，将碳化硅单晶基板的表面处的基底面位错的95％以上变换成贯通刃状位错。
外延碳化硅晶片制造方法

[发明专利]具有偏角的硅单晶和III族氮化物单晶的层叠基板-CN201280072011.X有效
发明人：成田哲生;伊藤健治;冨田一义;大竹伸幸;星真一;松井正树 -专利权人：株式会社丰田中央研究所;株式会社电装
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：得到在硅单晶基板上III族氮化物单晶进行阶梯流动生长的现象。在硅单晶基板的表面上形成取向成硅单晶的<111>轴的氧化物的膜，在该氧化物的膜的表面上使III族氮化物单晶进行结晶。由此，晶体生长的III族氮化物单晶的<0001>轴取向成氧化物的c轴。如果对硅单晶基板赋予偏角，则III族氮化物单晶进行阶梯流动生长。通过将在硅单晶与氧化物的界面上形成的硅氧化物膜还原，氧化物的取向性得到改善。
具有偏角硅单晶 iii 氮化物层叠

[发明专利]外延碳化硅单晶基板及其制造方法-CN201280008889.7有效
发明人：蓝乡崇;柘植弘志;胜野正和;藤本辰雄;矢代弘克;伊藤涉 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种在碳化硅单晶基板上具有堆垛层错少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板及其制造方法。是在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上、以合计低于10个/cm2地含有通过光致发光在400nm～600nm的波长处发光的堆垛层错的方式、在碳化硅单晶基板上使碳化硅外延层生长而得到的外延碳化硅单晶基板，本发明的制造方法是形成外延层时所用的硅系的材料气体为氯硅烷、同时碳系的材料气体为烃气体、在1600℃以上且1700℃以下的生长温度下，通过使C/Si比在0.5以上且1.0以下、生长速度在1μm/小时以上且3μm/小时以下来形成外延层的外延碳化硅单晶基板的制造方法
外延碳化硅单晶基板及其制造方法

[发明专利]外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法以及外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板-CN201480007779.8在审
发明人：蓝乡崇;伊藤涉;藤本辰雄 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供能够得到具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片的碳化硅单晶基板的制造方法以及碳化硅单晶基板。具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法是：通过研磨速度为100nm/小时以下的CMP(化学机械研磨)法对碳化硅单晶基板的表面进行研磨来将表面除去100nm以上的厚度
外延碳化硅晶片单晶基板制造方法以及

[发明专利]外延碳化硅单晶基板的制造方法-CN201180055581.3有效
发明人：蓝乡崇;柘植弘志;胜野正和;藤本辰雄;矢代弘克 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在偏离角度较小的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法。根据本发明，在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法中，在进行上述外延生长之前，使含有硅和氯的气体与氢气一同流动，使硅原子相对于氢气中的氢原子的浓度达到
外延碳化硅单晶基板制造方法

[发明专利]氮化物半导体晶圆的制造方法及氮化物半导体晶圆-CN202180055465.5在审
发明人：土屋庆太郎;筱宮胜;萩本和德;久保埜一平 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明为一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其为通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在硅单晶基板上的氮化物半导体晶圆的制造方法，其中，将电阻率为1000Ω·cm以上、氧浓度小于1×1017原子/cm3、厚度为1000μm以上的硅单晶基板用作所述硅单晶基板，通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在该硅单晶基板上。由此，能够提供一种即便基板是作为高频器件的支撑基板而有前景的高电阻率且超低氧浓度的硅单晶基板，也抑制了塑性变形及翘曲的氮化物半导体晶圆的制造方法。
氮化物半导体制造方法

[发明专利]碳化硅半导体基板及其制造方法-CN201380051807.1有效
发明人：山内庄一;平野尚彦 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：碳化硅半导体基板由碳化硅单晶构成，至少在表面形成有以结晶缺陷构成的作为识别显示的刻印(2)。在将所述碳化硅半导体基板用作籽晶而使碳化硅单晶(3)生长时，刻印(2)能够在所述碳化硅单晶(3)中作为结晶缺陷而传播。在使用所述碳化硅单晶(3)制作碳化硅半导体基板(4)时，能够成为在各碳化硅半导体基板(4)中已经形成有刻印(2)的状态。
碳化硅半导体及其制造方法

[发明专利]碳化硅单晶基板及其制法-CN201380052882.X有效
发明人：佐藤信也;藤本辰雄;柘植弘志;胜野正和 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供碳化硅单晶基板及其制法，该碳化硅单晶基板是从采用升华再结晶法生长而成的块状碳化硅单晶切出的基板，其中，在将基板对半分所得到的某一单侧的半圆区域内产生的螺旋位错比在剩下的半圆区域产生的螺旋位错少其是从采用升华再结晶法生长而成的块状碳化硅单晶切出的碳化硅单晶基板，其中，在将该基板对半分所得到的单侧的半圆区域内的多个测定点观察得到的螺旋位错密度的平均值为在剩下的半圆区域内的多个测定点观察得到的螺旋位错密度的平均值的
螺旋位错碳化硅单晶基板半圆区域基板碳化硅单晶测定点再结晶切出制法升华生长观察

[发明专利]碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板-CN201910145535.0有效
发明人：原田真;堀勉;佐佐木将;岸田哲也 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板。一种碳化硅单晶基板，其中，所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的直径，所述碳化硅单晶基板具有1×1017cm‑3以下的氧浓度，所述碳化硅单晶基板具有2×104cm‑2以下的位错密度，且所述碳化硅单晶基板具有2.0％以下的堆垛层错面积比率。
碳化硅单晶基板外延

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