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[发明专利]在FET器件中形成具有低缺陷密度的镍硅化物的方法和装置-CN200680036702.9有效
发明人： K·K·H·旺格;R·J·珀特尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：提供了一种方法和装置，其中定向和非方向金属(例如Ni)沉积步骤在同一工艺腔室中执行。形成第一等离子体用于从靶移除材料；在连接到RF发生器的环形电极(例如Ni环)内部中形成第二等离子体用于提高材料的离子密度。在没有第二等离子体和衬底的电偏置的条件下，材料非定向地沉积在衬底上，而当存在第二等离子体并且衬底被电偏置时，材料定向地沉积在衬底上。从沉积的金属形成的镍硅化物比从单纯定向工艺中沉积的金属形成的NiSi具有更低的栅多晶硅薄膜电阻并且可以具有更低的管道缺陷密度，并且比从单纯非定向工艺中沉积的金属形成的NiSi具有更低的源/漏接触电阻。
fet 器件形成具有缺陷密度镍硅化物方法装置

[发明专利]用于形成半导体器件的结构和方法-CN200710107413.X无效
发明人：杨海宁;R·J·珀特尔;H·K·乌托莫;王允愈 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：至少一个具有源极和漏极(S/D)金属硅化物层的场效应晶体管(FET)，所述源极和漏极金属硅化物层具有内部拉伸或压缩应力。首先，在FET的S/D区域上形成包括硅化物金属M的金属层，接着进行第一退火步骤，以形成包括第一相(MSi_x)的金属硅化物的S/D金属硅化物层。然后在FET上形成氮化硅层，接着进行第二退火步骤。在所述第二退火步骤期间，所述金属硅化物层从所述第一相(MSi_x)转化为第二相(MSi_y)，其中x＜y。所述金属硅化物的转化在所述FET的所述S/D金属硅化物层中引起了体积缩小或膨胀，这又在所述氮化硅层限制下的所述S/D金属硅化物层中产生了内部拉伸或压缩应力。
用于形成半导体器件结构方法

[发明专利]形成半导体结构的方法-CN200610147017.5无效
发明人： K·里姆;C·H·沃恩;J·J·埃利斯－莫纳甘;W·K·汉森;R·J·珀特尔;H·S·韦德曼;B·J·格林 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供制造一种半导体结构的方法，所述半导体结构在其不同区域包括异质硅化物或锗化物。异质硅化物或锗化物形成在半导体层、导电层或二者中。根据本发明，本发明方法使用顺序沉积不同金属和构图的组合，以在半导体芯片不同区域中形成不同硅化物或锗化物。该方法包括：提供含Si层或Ge层，其具有至少第一区域和第二区域；在所述第一或第二区域中的一个上形成第一硅化物或锗化物；以及在所述不包括所述第一硅化物或锗化物的另一个区域上形成第二硅化物或锗化物，其在组成上不同于所述述第一硅化物或锗化物，其中所述形成所述第一和第二硅化物或锗化物的步骤顺序进行或在单个步骤中进行。
形成半导体结构方法

[发明专利]在BiCMOS工艺中形成基极的方法-CN200510053789.8有效
发明人： P·J·热斯;M·H·哈提尔;刘奇志;R·W·曼;R·J·珀特尔;B·雷尼;J－S·李;A·D·斯特里克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明提供了制造具有抬升外部基极的异质结双极晶体管的方法，其中，通过在抬升外部基极上形成硅化物，降低了基极电阻，所述硅化物以自对准的方式向发射极区域延伸。在形成抬升外部基极之后，将硅化物的形成结合到BiCMOS工艺流程中。本发明还提供了一种异质结双极晶体管，其具有抬升外部基极和位于抬升外部基极上的硅化物。在抬升外部基极上的硅化物以自对准的方式向发射极延伸。发射极通过衬垫与硅化物隔开。
bicmos 工艺形成基极方法