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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电流检测电路、转换器及电流检测电路的温度补偿方法-CN202310747441.7在审
发明人：黄顺煜;黄威仁;陈劲甫 -专利权人：艾科微电子（深圳）有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R19/32 文献下载
摘要：本发明提供一种电流检测电路、转换器及电流检测电路的温度补偿方法，检测流过功率开关的导通电流，且电流检测电路包括电流检测开关、放大电路及温度补偿电路。电流检测开关导通时流过检测电流，且检测电流与导通电流具有特定比例。检测电流与功率开关的温度所形成的第一关系线段大致上呈第一线性关系，且温度补偿电路基于温度提供补偿电流，使补偿电流与温度所形成的第二关系线段大致上呈第二线性关系。放大电路所提供的输出电流对应检测电流与补偿电流的总和，使输出电流与温度所形成的第三关系线段呈斜率的绝对值较第一关系线段小的第三线性关系。
电流检测电路转换器温度补偿方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210361348.8在审
发明人： 陈劲甫 -专利权人：艾科微电子（深圳）有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开半导体装置及其制造方法，包括基底、外延层、第一基体区、第一沟槽栅极结构、第一平面栅极、第一源极电极、第一源极区及漏极电极。外延层设置于基底上，第一基体区设置于外延层中，第一沟槽栅极结构设置于外延层中，沿着第一方向延伸且邻近第一基体区，第一平面栅极设置于外延层上，沿着第二方向延伸且至少部分位于第一基体区正上方，其中第二方向与第一方向间具有非零的夹角，第一源极电极设置于外延层上，且向下延伸至第一基体区中，第一源极区设置于第一基体区中，且至少部分邻接第一源极电极，漏极电极设置于基底下。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210361353.9在审
发明人： 陈劲甫 -专利权人：艾科微电子（深圳）有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开半导体装置及其制造方法，包括第一导电类型的基底和阱区、沟槽、第一沟槽栅极、第二沟槽栅极、介电分隔部及介电衬层。阱区设置于基底内，沟槽设置于基底内，且位于阱区的正上方。第一和第二沟槽栅极彼此侧向分离，且设置于沟槽内。介电分隔部设置于沟槽内，且位于第一和第二沟槽栅极之间，其中介电分隔部的底面中心线区域向下突出，低于介电分隔部的底面两侧区域。介电衬层设置于沟槽内，且位于第一和第二沟槽栅极的底面下方，其中在第一和第二沟槽栅极的底面的水平线以下，介电分隔部的厚度大于介电衬层的厚度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体组件及其制造方法-CN202211550535.7在审
发明人： 陈劲甫 -专利权人：艾科微电子（深圳）有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了半导体组件及其制造方法，包含基底、阱区、第一沟槽、第二沟槽、第一栅极、源极电极及漏极电极。基底具有第一导电类型，阱区具有第二导电类型，且设置于基底上，第一沟槽和第二沟槽设置于阱区中，第一沟槽内设置有第一场板和第一介电层围绕第一场板，第二沟槽内设置有第二场板和第二介电层围绕第二场板，第一栅极设置于第一场板上方，源极电极设置于第一沟槽的第一侧，漏极电极设置于第二沟槽的第二侧，沿着第一方向依序排列源极电极、第一沟槽、第二沟槽与漏极电极。
半导体组件及其制造方法

[发明专利]电源转换电路及其控制方法、装置、电源转换系统和电源-CN202310095025.3在审
发明人： 陈劲甫 -专利权人：艾科微电子（深圳）有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种电源转换电路及其控制方法、装置、电源转换系统和电源，涉及电子技术领域，所述电源转换电路包括：AC/DC整流电路；DC/DC转换电路；能量储存电路，连接在所述AC/DC整流电路与所述DC/DC转换电路之间，包括：串联的第一电容器和第二电容器，和两端分别与所述第二电容器的两端连接开关，开关被配置为在所述AC/DC整流电路的输出电压小于或等于阈值的情况下导通，并在所述输出电压大于所述阈值的情况下断开，所述阈值小于或等于所述第一电容器的额定电压。
电源转换电路及其控制方法装置系统

[发明专利]功率晶体管及其制造方法-CN201810087614.6有效
发明人：蔡依芸;陈劲甫 -专利权人：力智电子股份有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种功率晶体管及其制造方法，所述晶体管包括衬底、外延层、第一至第三导体层以及第一至第三绝缘层。衬底具有有源区以及终端区。外延层配置于衬底上，且外延层中具有分别位于有源区以及终端区的第一沟槽以及第二沟槽。第一导体层配置在所述第一沟槽中。第二导体层配置在所述第二沟槽中。第三导体层配置于第一沟槽中且位于第一导体层上。第一绝缘层配置于第一导体层与外延层之间。第二绝缘层配置于第二导体层与外延层之间。第三绝缘层配置于第一导体层与第三导体层之间。此外，第一导体层的顶面低于第二导体层的顶面。
功率晶体管及其制造方法

[发明专利]功率晶体管元件-CN201810939923.1有效
发明人： 陈劲甫;蔡依芸 -专利权人：力智电子股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种功率晶体管元件包括基底、第一电极以及第二电极。基底定义有有源区与终端区。终端区环绕有源区。基底包括第一沟槽与第二沟槽。第一沟槽配置在有源区内且邻近于终端区。第二沟槽配置在终端区内且邻近于有源区。第一电极与第二电极分别配置在第一沟槽与第二沟槽中。第一电极与第二电极皆为电性浮接。
功率晶体管元件

[发明专利]具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管-CN202111547635.X在审
发明人：许曙明;吴健;陈劲甫 -专利权人：力来托半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管，包括用作漏极区域的半导体衬底和设置在衬底上表面上的外延区域。所述MOSFET器件包括在外延区中形成的多个体区域和多个源极区域。所述体区域设置在外延区域的上表面附近并且彼此横向间隔，并且每个源极区域设置在对应的体区域中靠近所述体区域的上表面。MOSFET器件包括具有多个平面栅和一沟槽栅的栅极结构。每个平面栅设置在外延区域的上表面上并与相应体区域重叠。所述沟槽栅形成为部分地通过所述外延区域并且在所述体区域之间，所述沟槽栅的上表面凹陷在所述外延区域的上表面之下。
具有增强高频性能金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]半导体结构及其制造方法以及半导体元件的终端区结构-CN201710485635.9有效
发明人：蔡依芸;陈志宏;陈劲甫 -专利权人：力智电子股份有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括基底、第一介电层、第一导体层、定位部、两个间隙壁与第二导体层。基底具有第一沟槽。第一介电层设置于第一沟槽的表面上。第一导体层填入第一沟槽，且位于第一介电层上。定位部设置于基底上，且具有第一开口。第一开口暴露出第一沟槽。间隙壁设置于第一开口的两个侧壁上，且暴露出第一导体层。第二导体层填入第一开口，且电性连接至第一导体层。上述半导体结构可在维持高崩溃电压的情况下，同时防止漏电流的产生。本发明另提供半导体结构的制造方法以及半导体元件的终端区结构。
半导体结构及其制造方法以及元件终端

[发明专利]三维图像感测器以及三维图像提取装置-CN201610627366.0有效
发明人： 陈劲甫 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：一种三维图像感测器，包括一感测层、一格状层、以及多个微透镜。感测层包括多个感测单元。格状层设置于感测层上，且包括一不透光材料以及穿透不透光材料的多个透光元件。微透镜设置于格状层上，其中每一微透镜位于两相邻的透光元件的上方。
三维图像感测器以及提取装置

[发明专利]功率晶体管元件-CN201810906863.3在审
发明人： 陈劲甫 -专利权人：力智电子股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种功率晶体管元件，包括输入端、第一总线、第二总线、第三总线、第一工作区以及第二工作区。第一总线耦接输入端。第二总线通过第一阻抗元件电连接输入端。第三总线通过第二阻抗元件电连接输入端。第一工作区设置于第一总线与第二总线之间，且包括多个第一条状电极以及多个第二条状电极。多个第一条状电极电连接到第一总线。多个第二条状电极，其第一端电连接到第二总线。第二工作区设置于第一总线与第三总线之间，且包括多个第三条状电极。多个第三条状电极，其第一端电连接到第三总线。
功率晶体管元件

[发明专利]摄影模块-CN201610626483.5有效
发明人： 陈劲甫;刘依佩 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：一种摄影模块，包括一透光板、一上感测层、以及一截光层。透光板包括一底面以及相反于底面的一顶面。上感测层形成于底面。截光层形成于顶面，且包括一止挡材料以及穿透止挡材料的多个透光孔。
摄影模块

[发明专利]沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法-CN201810358322.1在审
发明人： 陈劲甫 -专利权人：力智电子股份有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法，所述沟槽式栅极金氧半场效晶体管包括衬底以及沟槽电极结构。衬底具有沟槽。沟槽沿第一方向延伸。沟槽电极结构配置于沟槽中且包括下部电极、上部电极以及第一绝缘层。下部电极配置于沟槽中。上部电极配置于沟槽中且位于下部电极上。第一绝缘层配置于下部电极与上部电极之间。上部电极具有沿第一方向交替设置的多个第一部分与多个第二部分，且第一部分的宽度大于第二部分的宽度。
上部电极下部电极金氧半场效晶体管沟槽式栅极沟槽电极衬底绝缘层绝缘层配置方向延伸交替设置结构配置配置制造

[发明专利]功率半导体元件-CN201810515442.8在审
发明人： 陈劲甫 -专利权人：力智电子股份有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体元件，包括基底定义有有源区与终端区。终端区环绕有源区。第一外延层配置在有源区与终端区的基底上。第二外延层配置在第一外延层上。第二外延层中包括第一终端沟槽、第二终端沟槽以及第三终端沟槽。第一终端沟槽配置在终端区中且邻近有源区。第二终端沟槽配置在终端区中。第三终端沟槽配置在终端区中。第二终端沟槽位于第一终端沟槽与第三终端沟槽之间。第三终端沟槽具有第三电极，其电性连接至漏极。本发明可改善终端区中的沟槽电极的边缘处的电场扭曲现象，进而提升功率半导体元件的击穿电压。
终端沟槽终端区外延层源区功率半导体元件配置基底电场第三电极电性连接沟槽电极击穿电压扭曲现象边缘处漏极环绕邻近

[实用新型]功率晶体管装置-CN201920242396.9有效
发明人： 陈劲甫;陈志宏 -专利权人：力智电子股份有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种功率晶体管装置包括：基底、掺杂区、栅极结构、第一导电插塞以及多个第二导电插塞。基底具有沟槽。掺杂区位于沟槽两侧的基底中。栅极结构位于沟槽中。第一导电插塞位于栅极结构中。第一导电插塞的电阻值低于栅极结构的电阻值。第二导电插塞分别位于掺杂区中。
导电插塞栅极结构掺杂区基底功率晶体管装置电阻本实用新型

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