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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进-CN201811098848.7有效
发明人：张云闵;陈建安;王冠人;王鹏;陈煌明;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上方形成层间电介质。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域分别是n型和p型。蚀刻层间电介质以形成第一接触开口和第二接触开口，其中，第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域分别暴露于第一接触开口和第二接触开口。使用工艺气体来同时回蚀刻第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，并且第一源极/漏极区域的第一蚀刻速率高于第二源极/漏极区域的第二蚀刻速率。在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上分别形成第一硅化物区域和第二硅化物区域。本发明的实施例还涉及NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进。
nfet pfet 区域选择性凹进

[发明专利]半导体装置-CN201580052278.6有效
发明人：八田英之;三浦成久 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：MOSFET的源极区域(12)包括与源电极(41)连接的源极接触区域(12a)、与阱区域(20)的沟道区域邻接的源极伸展区域(12b)、以及在源极伸展区域(12b)与源极接触区域(12a)之间配设了的源极电阻控制区域源极电阻控制区域(15)包括杂质浓度比源极接触区域(12a)或者源极伸展区域(12b)低的低浓度源极电阻控制区域(15a)、和形成于阱区域(20)与低浓度源极电阻控制区域(15a)之间且杂质浓度比低浓度源极电阻控制区域(15a)高的高浓度源极电阻控制区域(15b)。
半导体装置

[发明专利]双侧接触开关中的电容平衡-CN201980083891.2在审
发明人：梁晴晴;R·P·K·维杜拉;G·P·埃姆图尔恩;C·N·布里恩德勒;S·格科特佩里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种双侧接触开关具有多栅极有源器件的第一独立漏极/源极区域(372)。该双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第一共享漏极/源极区域(374)。双侧接触开关具有多栅极有源器件的第二独立漏极/源极区域(376)，该第二独立漏极/源极区域与第一共享漏极/源极区域相邻。双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第二共享漏极/源极区域，该第二共享漏极/源极区域与第一独立漏极/源极区域相邻。双侧接触开关在第一独立漏极/源极区域与第一共享漏极/源极区域之间以及在第二独立漏极/源极区域与第二共享漏极/源极区域之间具有栅极区域(356)。
接触开关中的电容平衡

[发明专利]隧道FET及其形成方法-CN201210193105.4有效
发明人：克里希纳·库马尔·布瓦尔卡;戈本·多恩伯斯;马提亚斯·帕斯拉克 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：隧道场效应晶体管（TFET）包括栅电极、源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域具有相反的导电类型。沟道区域设置在源极区域和漏极区域之间。源极扩散势垒设置在沟道区域和源极区域之间。源极扩散势垒和源极区域位于栅电极下方并与栅电极重叠。源极扩散势垒的第一个带隙大于源极区域、漏极区域和沟道区域的第二带隙。本发明还提供了隧道FET及其形成方法。
隧道 fet 及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380025183.6有效
发明人：三浦成久;日野史郎;古川彰彦;阿部雄次;中田修平;今泉昌之;香川泰宏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：MOSFET的源极区域(12)包含与源极焊盘(41)连接的源极接触区域(12a)、与阱区域(20)的沟道区域邻接的源极延伸区域(12b)、以及配置在源极延伸区域(12b)与源极接触区域(12a)之间且杂质浓度不同于源极延伸区域(12b)以及源极接触区域(12a)的源极电阻控制区域(15a)。这三个区域被串联连接在源极焊盘(41)与阱区域(20)的沟道区域之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的电子系统-CN202111439122.7在审
发明人：白圣权;金鹤善;徐载和 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：一种半导体器件的晶体管，包括隔离区域、设置在隔离区域中的有源区域、在有源区域上沿第二方向延伸的栅极、以及分别在栅极的第一侧和第二侧上的有源区域中沿垂直于第二方向的第一方向延伸的源极和漏极区域。源极和漏极区域包括低浓度源极和漏极掺杂区域，该低浓度源极和漏极掺杂区域包括第一和第二低浓度源极和漏极掺杂区域。源极和漏极区域还包括高浓度源极和漏极掺杂区域，该高浓度源极和漏极掺杂区域分别设置在低浓度源极和漏极掺杂区域中并且具有高于低浓度源极和漏极掺杂区域的掺杂浓度。第一低浓度源极和漏极掺杂区域在第二方向上的第一长度大于第二低浓度源极和漏极掺杂区域在第二方向上的第二长度。
半导体器件包括电子系统

[发明专利]高表面掺杂浓度形成工艺和由此形成的结构-CN201811178757.4在审
发明人：陈佳政;陈亮吟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文涉及高表面掺杂浓度形成工艺和由此形成的结构，所公开的实施例大体涉及形成在源极/漏极区域的上表面处具有高表面掺杂浓度的源极/漏极区域，导电特征可形成至该处。有源区包括源极/漏极区域。源极/漏极区域包括在源极/漏极区域的上表面处的表面掺杂区域，并且包括具有源极/漏极掺杂浓度的源极/漏极区域的剩余部分。表面掺杂区域包括在靠近源极/漏极区域的上表面处的峰值掺杂浓度。峰值掺杂浓度比源极/漏极掺杂浓度大至少一个数量级。导电特征在源极/漏极区域的上表面处接触源极/漏极区域。
源极/漏极区域掺杂上表面源区导电特征高表面表面掺杂区域源极/漏极电介质层漏极区域靠近源浓度比衬底穿过

[实用新型]半导体装置-CN202221832715.X有效
发明人：黄玉莲;李资良;李志鸿;张祺澔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含：半导体鳍片、第一源极/漏极区域和一第二源极/漏极区域、层间介电质、栅极堆叠、第一源极/漏极接触件、以及第二源极/漏极接触件。半导体鳍片从半导体基板延伸。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域在半导体鳍片内。层间介电质在半导体基板上方。栅极堆叠介于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间，其中栅极堆叠的至少一下部在朝向半导体基板的方向在宽度上减小。第一源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第一源极/漏极区域。第二源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第二源极/漏极区域。
半导体装置

[发明专利]用于堆叠晶体管的环绕式接触部-CN202211440450.3在审
发明人： C-Y·黄;P·莫罗;G·杜威;W·拉赫马迪;N·K·托马斯;M·拉多萨夫列维奇;J·T·卡瓦列罗斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：示例包括第一源极或漏极区域以及与第一源极或漏极区域隔开并在第一源极或漏极区域之上的第二源极或漏极区域。导电接触部在第二源极或漏极区域的顶部表面上并且向下延伸到第二源极或漏极区域的一个或多个侧表面，使得导电接触部与第二源极或漏极区域的底部表面横向相邻。在一些情况下，导电接触部还在第一源极或漏极区域的顶部表面上，和/或向下延伸到第一源极或漏极区域的侧表面。在一些情况下，第二导电接触部在第一源极或漏极区域的底部表面上，并且可以向上延伸到第一源极或漏极区域的侧表面。
用于堆叠晶体管环绕接触

[发明专利]半导体装置-CN201310410699.4有效
发明人：林立凡;廖文甲 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种半导体装置包括有源层、至少一源极、至少一漏极、至少一栅极、第一绝缘层、第一源极垫、第一漏极垫、至少一源极插塞与至少一漏极插塞。源极与漏极皆位于有源层上，且源极与漏极在有源层上的正投影分别形成源极区域与漏极区域。第一绝缘层至少覆盖部分源极与部分漏极。第一源极垫与第一漏极垫皆位于第一绝缘层上，且第一源极垫在有源层上的正投影形成源极垫区域。源极垫区域与漏极区域至少部分重叠，且源极垫区域与漏极区域形成的重叠面积小于或等于40%的漏极区域的面积。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110049095.6在审
发明人：黄玉莲;王冠人;傅劲逢 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在实施例中，一种器件，包括：第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；层间电介质(ILD)层，在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之上；第一源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，第一源极/漏极接触件被连接到第一源极/漏极区域；第二源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，第二源极/漏极接触件被连接到第二源极/漏极区域；以及隔离特征，在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间，该隔离特征包括电介质衬里和空隙，电介质衬里围绕空隙
半导体器件方法

[发明专利]存储器器件及其形成方法-CN202011060573.5在审
发明人：赖昇志;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据MFIS存储器器件的一些实施例，下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域垂直堆叠。半导体沟道位于下部源极/漏极区域上面并且位于上部源极/漏极区域下面。半导体沟道从下部源极/漏极区域延伸至上部源极/漏极区域。控制栅电极沿着半导体沟道的侧壁并且还沿着下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域的单独的侧壁延伸。栅极介电层和铁电层将控制栅电极与半导体沟道以及下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域分隔开。本发明的实施例涉及存储器器件及其形成方法。
存储器器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202310115567.2在审
发明人：周孟翰;萧宜瑄;刘书豪;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一实施例中，装置包括源极/漏极区域，邻接于通道区域；层间介电质，位于源极/漏极区域上；源极/漏极接触，延伸穿过层间介电质且进入源极/漏极区域；金属半导体合金区域，位于源极/漏极接触及源极/漏极区域之间，金属半导体合金区域，设置在通道区域的上表面下方，金属半导体合金区域包括第一掺杂物；以及接触间隔物，环绕源极/漏极接触，接触间隔物包括第一掺杂物及非晶化杂质。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110483374.3在审
发明人：杨世海;王培宇;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：第一纳米结构，在衬底之上，该第一纳米结构包括沟道区域和第一轻掺杂源极/漏极(LDD)区域，第一LDD区域与沟道区域相邻；第一外延源极/漏极区域，环绕第一LDD区域的四个侧面；层间电介质(ILD)层，在第一外延源极/漏极区域之上；源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，该源极/漏极接触件环绕第一外延源极/漏极区域的四个侧面；以及栅极堆叠，与源极/漏极接触件和第一外延源极/漏极区域相邻，该栅极堆叠环绕沟道区域的四个侧面。
半导体器件方法

[发明专利]晶体管及形成晶体管的方法-CN202080055910.3在审
发明人： M·纳哈尔;V·N·安东诺夫;K·M·考尔道;M·米奇;刘鸿威;J·B·赫尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管，其包括顶部源极/漏极区域、底部源极/漏极区域、垂直位于所述顶部源极/漏极区域与所述底部源极/漏极区域之间的沟道区域，及以操作方式横向邻近所述沟道区域的栅极。所述沟道区域是结晶的且包括多个垂直伸长晶粒，所述垂直伸长晶粒个别地直接抵靠所述顶部源极/漏极区域及所述底部源极/漏极区域中的两个。本发明公开其它实施例，包含方法。
晶体管形成方法

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