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[发明专利]一种基于表面光栅的DFB激光器-CN201611200634.7有效
发明人：陆巧银;张鹏斐;国伟华 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：该激光器为脊形波导结构，自下而上包含：衬底、下波导盖层、有源层、上波导盖层；在脊形波导表面上刻蚀有布拉格光栅；脊区采用高折射率材料，使光栅具有大的耦合系数；脊形波导上面不做电极，电极位于脊形波导两侧；在脊形波导与两侧电极之间刻蚀有沟槽；该激光器的下波导盖层中含有一个或多个电流限制区，或者是在上波导盖层中制作一个掩埋隧道结来限制电流。
一种基于表面光栅 dfb 激光器

[发明专利]用于半导体测试的自动测试设备的波导的镀敷方法-CN201710063934.3有效
发明人：唐·李;林伟良;罗杰·麦克阿莲那;宫尾光介 -专利权人：爱德万测试公司
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C25D7/00 文献下载
摘要：本文涉及用于半导体测试的自动测试设备的波导的镀敷方法。本公开的实施例沿波导的长轴方向执行切割，从而暴露易于镀敷的沟槽结构。经分开和镀敷后，单独的切割部分然后可以被固定在一起以恢复原始波导结构。以这种方式，多个切割部分可以被固定在一起并且作为“构建块”以产生模块化解决方案，其可以用于提供多个不同的可定制波导结构。因此，本公开的实施例以比较便宜的方式执行镀敷过程，同时实现成组波导结构的益处。此外，本公开的实施例为成组波导设计提供了模块化方法，从而允许终端用户在测试中的灵活性。
用于半导体测试自动设备波导方法

[发明专利]一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构-CN201410555782.5有效
发明人：刘刚明;张靖;邓光华;段利华;周勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01S5/24 文献下载
摘要：本发明提供一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构，包括振荡部分、过渡部分、放大部分和底面沟槽，所述过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，所述底面沟槽分别位于所述振荡部分、过渡部分和放大部分的两侧，且所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧的底面沟槽深度不同。本发明巧妙地通过过渡部分将所述振荡部分和放大部分连接并融合在一起，依靠所述振荡部分、过渡部分和放大部分两侧深度不同的底面沟槽防止形成非预期的反射破坏基横模输出，为一种基于常规脊波导的芯片结构，因而只需采用普通的脊波导工艺就能实现大功率半导体基横模激光输出芯片的制作
一种低成本大功率半导体基横模激光器芯片结构

[发明专利]光路基板及其制造方法-CN201610096448.7在审
发明人：寺田健司;相良晃史 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2016-02-22 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：光路基板具备：布线基板，其包含层叠的多个绝缘层和设置在绝缘层间的布线导体；光波导，其包含下部包覆层、上部包覆层、和夹持在这些包覆层之间的芯，配设在布线基板的上表面，向1个方向延伸；反射面，其形成在该光波导的芯的一部分，由俯视观察下与延伸方向成直角、且截面观察下相对于上表面有给定的角度的沟槽的内面构成；和金属层，其设置在布线基板的布线导体的上侧的绝缘层上表面，成为沟槽的底面。
路基及其制造方法

[发明专利]多波导连接器中的光波导定位特征结构-CN201680059304.2有效
发明人：米歇尔·A·哈泽;特里·L·史密斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2016-10-03 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G02B6/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种耦合单元，该耦合单元包括光耦合元件，该光耦合元件包括用于接收并且永久性地附接到多个光波导的附接区域。在所述附接区域处设置一个或多个沟槽。每个沟槽被配置为接收光波导并且由底表面、第一区域、第二区域和开口限定。第一区域限定在底表面与第二区域之间。第一区域的横截面具有隔开一定间距的大致平行的侧壁。第一区域设置在第一区域和开口之间。
波导连接器中的定位特征结构

[发明专利]一种大功率低发散角半导体激光器芯片-CN202211574392.3在审
发明人：孙春明;吴凯;苏建;刘琦 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率低发散角半导体激光器芯片，属于半导体激光器领域，层叠结构包括自下到上依次设置的N面金属、衬底、N型限制层、N型波导层、量子阱层、P型波导层、P型限制层、绝缘层以及P面金属；脊波导沿激光器芯片的出光方向延伸，脊波导两头宽中间窄；电流注入区形成于脊波导上，隔离槽区形成于靠近腔面的脊波导以及两侧区域，深沟槽区形成于脊波导两侧，其在出光方向为三角形，靠近腔面处宽度大。本发明可以有效消除了热透镜效应，大大降低慢轴发散角，同时，脊波导采用两头宽的形势，降低了载流子在脊波导边缘的堆积效应，消除近场光斑中边缘区域功率较强的尖峰，避免局部光场过强导致腔面损伤，大大提高了器件的长时间可靠性
一种大功率发散半导体激光器芯片

[发明专利]一种基于表面光栅的面发射激光器-CN201910619098.1有效
发明人：国伟华;刘灿;张鹏斐;陆巧银 -专利权人：华中科技大学;国伟华
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：该激光器为脊形波导结构，自下而上包含：衬底、下波导盖层、有源层、上波导盖层；在脊形波导表面上刻蚀有布拉格光栅；脊形波导上面不做电极，电极位于脊形波导两侧；在脊形波导与两侧电极之间刻蚀有沟槽；该激光器的下波导盖层中含有一个或多个电流限制区，或者是在上波导盖层中制作一个掩埋隧道结来限制电流。
一种基于表面光栅发射激光器

[发明专利]一种基于应变的光集成器件及其制备方法-CN201811562416.7在审
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：该制备方法包括：在硅衬底上生长硅外延层；在所述硅外延层上刻蚀第一沟槽形成第一外延层区域以及第二外延层区域；在所述第二外延层区域刻蚀第二沟槽形成第一外延层子区域以及第二外延层子区域；在所述第一外延层子区域以及所述第二外延层子区域中分别制备NMOS器件以及PMOS器件；在所述第一外延层区域中制备LED、波导以及探测器；在所述NMOS器件、PMOS器件、波导以及探测器生长应力氮化硅膜最终形成基于应变的光集成器件。本发明将LED、波导、探测器、NMOS器件以及PMOS器件集成到一块衬底上集成到一块衬底上制作形成基于应变的光集成器件，器件结构新颖兼容性好、器件集成度高、工艺成本低。
一种基于应变集成器件及其制备方法

[实用新型]一种半导体激光器-CN202320628061.7有效
发明人：李淼;郭小峰;王卫春 -专利权人：因林光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体激光器，包括依次层叠的N面电极、衬底、N型下包层、有源层、光栅层、P型上包层、脊波导以及P面电极；有源层为量子阱结构；所述脊波导两侧分别设置有沟槽区；沟槽区包括第一凹槽和第二凹槽本实用新型实施例的技术方案，通过现有的脊波导结构之上刻蚀贯穿量子阱结构的U型槽，U型槽阻断了电流在注入量子阱结构之前的横向扩散而降低了无效的热损耗，同时由于电流密度集中而导致核心发光区的折射率变化进而导致发光更加集中
一种半导体激光器

[发明专利]用于天线的卡塞格林型馈送装置-CN01821445.2有效
发明人： U·E·马尔 -专利权人：马科尼通讯股份有限公司
申请日： 2001-12-05 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01Q19/19 文献下载
摘要：一种用于天线(抛物面天线)的卡塞格林型馈送装置是一个双带馈送装置，它使用向介电质圆锥(23)进行馈送的波导(40)，该介电质圆锥(23)向辅助反射器(24)进行馈送。该波导具有一个与该圆锥小端连接的端部(49)，在一个实施例中，其内壁(48)的阻抗可通过包含介电质套筒(47)来改变，相对于在相关两带的上带平均值上套筒内的传播来说，所述介电质套筒(47)的厚度是在/6该套筒可被一系列在该波导端部的内壁上形成的沟槽代替，这些沟槽通常深度为/4。
用于天线格林馈送装置

[发明专利]一种匹配性增强长链分子型聚合物光波导双折射性的方法-CN201310738807.0有效
发明人：王瑾;付旭;赵新彦 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种匹配性增强长链分子型聚合物光波导双折射性的方法，在长链分子型聚合物光波导侧壁深度蚀刻出一定坡度的空气沟槽，制备金属电极形成与波导衬底平面平行的极化电场，通过极化诱导，增强长链分子型聚合物光波导的双折射性其中所述的光波导为长链分子型聚合物材料，制备的金属电极采用金、银或其它金属。本发明诱导的波导双折射性与长链分子型聚合物材料的双折射性匹配，可以显著提高采用电场极化法对长链分子型聚合物材料双折射性的诱导效率。
一种匹配增强分子聚合物波导双折射方法

[发明专利]一种3D光子晶体调控的激光芯片及制备方法-CN202310010440.4有效
发明人：周少丰;丁亮;刘鹏;陈华为;黄良杰 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种3D光子晶体调控的激光芯片，包括沿着芯片外延生长方向依次为衬底层、下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、上限制层、脊波导；以及3D光子晶体，所述3D光子晶体为多个纳米球形结构，分布在所述脊波导的两侧；以及围坝，所述围坝设置在所述激光芯片的边缘，所述围坝、所述上限制层的表面以及所述脊波导的侧面组成凹槽，所述3D光子晶体填充所述凹槽。该结构通过刻蚀脊形波导的过程，同时在脊两侧形成围栏；利用纳米球旋涂自组装技术在沟槽里面形成分段3D光子晶体。
一种光子晶体调控激光芯片制备方法

[发明专利]超声波组织解剖器-CN200980128738.3有效
发明人： J·A·斯利普斯岑科;M·J·伊德;S·M·R·扬 -专利权人： SRA发展公司
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： A61B17/32 文献下载
摘要：超声波外科手术工具，包括在近端处可操作地连接或能连接至超声波振动源的细长波导(102)。在波导(102)的远端处的操作元件(100，130，140)的直径小于波导的直径。中间直径的连接部可连接操作元件(100，130，140)和波导(102)。操作元件(100，130，140)的近端形成第一阶梯接合部(126，134)，位于波导(102)和操作元件中的超声波振动的节面处，在整个阶梯接合部处产生速度幅值增益。在连接部分和波导(102)之间的第二零增益阶梯接合部位于反节面处。操作元件(100，130)可包括曲线形远端切割和结合元件(114)，其具有一对限定了切割脊的细长结合沟槽。
超声波组织解剖

[发明专利]一种悬臂型端面耦合器-CN201811039165.4有效
发明人：陈昌华;柏艳飞;仇超;甘甫烷 -专利权人：南通赛勒光电科技有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明公开一种悬臂型端面耦合器，包括：硅衬底，于硅衬底上刻蚀具有第一预设高度的沟槽；埋氧层，形成于硅衬底的上表面；埋氧层包括：平板层，平板层形成于硅衬底的上表面；脊型层，脊型层形成于平板层的上表面，并水平延伸出平板层；硅波导，硅波导形成于埋氧层中，位于脊型层的上方；氮化硅波导，氮化硅波导形成于埋氧层中，位于硅波导的上方。有益效果：采用脊型埋氧层，实现与单模光纤光场模斑匹配的端面耦合器，平板层作为该悬臂型端面耦合器的支撑结构，保证机械稳固性，可以充当折射率匹配液的功能，降低该悬臂型端面耦合器对折射率匹配液的依赖性，氮化硅波导作为中间过渡层，使得单模光纤的光场能够以较高的耦合效率进入硅波导中。
端面耦合埋氧层平板层硅波导硅衬底脊型悬臂氮化硅上表面折射率匹配液波导单模光纤光中间过渡层波导形成单模光纤支撑结构耦合效率稳固性光场刻蚀模斑预设匹配保证

[发明专利]一种Y波导集成光学器件芯片剪切试验工装及剪切方法-CN201811232926.8有效
发明人：相艳荣;柳建春;汪飞琴;郑大坤;杨长望;衣玲学;郑玮嘉 -专利权人：北京航天时代光电科技有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01N3/24 文献下载
摘要：一种Y波导集成光学器件芯片剪切试验工装及剪切方法，包括夹持基座和L型推刀两部分，在两个水平夹持块相对的上表面边缘设有下凹式台阶状沟槽，用来夹持不同底板厚度的器件；在下凹式台阶状沟槽的中央设有矩形槽；在两个夹持块下方的长方形基座上本发明采用带有下凹式台阶状沟槽且中央设有矩形槽的夹持基座水平或垂直夹持器件，利用L型推刀确保推刀施加力的方向与粘接面平行，使Y波导集成光学器件芯片剪切力测试结果更加准确。
一种波导集成光学器件芯片剪切试验工装方法