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[发明专利]一种基于SNAP结构回音壁微腔探针式测量装置-CN202010645892.6在审
发明人：董永超;陈剑;赵泽政;孙鹏辉;王晗 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SNAP结构回音壁微腔探针式测量装置，包括基板、SNAP结构回音壁微腔、耦合波导、探头、回弹装置和盖板，基板的表面开有相互垂直且轴线不相交的横向微沟槽和竖向微沟槽，耦合波导套设于横向微沟槽，SNAP结构回音壁微腔可滑动套设于竖向微沟槽内；SNAP结构回音壁微腔与耦合波导接触。本发明将SNAP结构回音壁微腔和耦合波导构成的耦合装置封装成为一个整体器件；在测量过程中，SNAP结构回音壁微腔沿其竖向微沟槽的轴向移动，不会在使用过程中造成谐振谱特性的偏差。
一种基于 snap 结构回音壁探针测量装置

[实用新型]一种磁致伸缩液位计-CN201320091794.8有效
发明人：李松富;秦祯祥;朱建国;李蛟;赵雷雷 -专利权人：郑州永邦电气有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G01F23/00 文献下载
摘要：一种磁致伸缩液位计，包括波导管和电子仓支架，所述波导管内置有波导丝以及波导丝支撑架，所述电子仓支架的右端为连接环，所述波导管的左端与连接环连接；所述波导管的左端设有沟槽，所述连接环的圆周方向上设有顶丝，顶丝朝向向内，在紧固状态时所述顶丝卡在沟槽内。本实用新型主要是对磁致伸缩液位计（探棒、探针）用波导丝保护管与电子仓支架的固定的改进。在波导管处设置凹槽，在电子仓支架和波导管之间采用顶丝固定，避免了以前各种连接办法的缺点。
一种伸缩液位计

[发明专利]一种表面等离子激元光波导-CN201210042794.9有效
发明人：郑铮;卞宇生;赵欣;苏亚林;刘磊;刘建胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面等离子激元光波导结构，该波导结构的横截面包括带倒梯形或矩形沟槽的介质基底层(1)、位于介质基底层上的薄金属层(2)以及包层(3)。在合适的结构参数下，该波导可同时支持沟槽表面等离子激元以及楔形表面等离子激元两种模式，同时保持较低的传输损耗。
一种表面等离子激元光波导

[发明专利]高频波导、天线装置以及具备此的电子机器-CN200980115108.2无效
发明人：桐野秀树;渡部昌史;山本功 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01P1/06 文献下载
摘要：本发明提供一种波导结构体(8)，其中可动波导体(10)和固定波导体(12)和以规定间隔离开而相面对地配置，并且在它们中的至少一方，形成相面对侧成为开口的沟槽(13，29)。在该沟槽(13，29)的至少一方的外方，设置高度为大致λ/4的凸起(44)，λ是使用电波的波长。
高频波导天线装置以及具备电子机器

[发明专利]掩埋结构半导体激光器及其制作方法-CN202210760584.7在审
发明人：剌晓波;李振宇;梁松 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01S5/227 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩埋结构半导体激光器的制作方法，包括：在InP衬底上形成第一外延层，第一外延层适用于产生激光；在第一外延层上依次外延生长InP包层、InGaAs盖层；刻蚀InP包层、InGaAs盖层，以由InP包层和InGaAs盖层形成脊波导，以及位于脊波导两侧的沟槽；在InGaAs盖层、脊波导上及位于脊波导两侧的沟槽内形成SiO2牺牲层；在SiO2牺牲层上形成硅填充层；去除脊波导两侧的沟槽外的硅填充层、SiO2牺牲层，以使SiO2牺牲层、硅填充层在脊波导两侧的沟槽内形成掩埋结构；在InGaAs盖层、掩埋结构上生长SiO2钝化层；刻蚀SiO2钝化层，以在脊波导上形成电极窗口；在电极窗口上形成正面电极层，在InP
掩埋结构半导体激光器及其制作方法

[发明专利]分布式反馈激光器及其制备方法-CN201210213813.X无效
发明人：郭文涛;谭满清 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：该分布式反馈激光器，包括自下而上沉积于衬底上的以下各层：下限制层、下波导层、有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层；分布式反馈激光器的中部两侧刻蚀有沟槽，沟槽的底部形成于欧姆接触层与有源区之间的任意位置；在分布式反馈激光器的中部，两沟槽之间形成脊形波导结构，该脊型波导结构的两侧面形成分布式反馈光栅。
分布式反馈激光器及其制备方法

[发明专利]半导体结构以及形成半导体结构的方法-CN201610159010.9有效
发明人：蔡劲;E·里欧班端;李宁;宁德雄;J-O·普卢查特;D·K·萨达纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：在形成延伸通过顶部半导体层以及隐埋绝缘体层并且延伸到绝缘体上半导体(SOI)衬底的处理衬底中的第一沟槽之后，在第一沟槽内形成电介质波导材料堆叠，该电介质波导材料堆叠包括下电介质包覆层、核心层以及上电介质包覆层在形成延伸通过电介质波导材料堆叠的第二沟槽以重新暴露第一沟槽的底部表面的一部分之后，在第二沟槽中形成激光二极管。
具有横向 bicmos 单片集成光子器件

[发明专利]光控制元件及其制造方法-CN200780011057.X有效
发明人：近藤胜利;金原勇贵;山本太;市川润一郎 -专利权人：住友大阪水泥股份有限公司
申请日： 2007-03-05 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： G02F1/377 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有脊型波导的光控制元件，旨在提供一种具有单模波导的光控制元件，尤其，即使基板为厚度10μm以下的薄板，也可精度良好地制造并提供具有单模波导的光控制元件。本发明的光控制元件，其特征在于，具有形成有光波导的基板(1)，该基板为厚度10μm以下的薄板，该光波导的至少一部分为脊型波导(21)，在该脊型波导的至少一部分的两侧具有宽度10μm以下的沟槽(20)，具有通过使该沟槽的宽度或深度连续变化而使该波导的光传播模式在单模和多模之间连续变化的锥形波导部另外，优选该锥形波导部被配置在入射部及/或出射部，在该配置部中波导成为单模光。
控制元件及其制造方法

[发明专利]衬底上的光具座及其制造方法-CN201610239811.6在审
发明人：郭英颢;侯上勇;李宛谕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种光具座包括其中具有沟槽的衬底和在沟槽内的光发射器件。该光具座还包括光学连接至光发射器件的光接收器件。该光具座还包括电连接至光发射器件的至少一个有源电路。该光具座还包括沟槽中的波导，其中，波导光学地位于光发射器件和光接收器件之间。该光具座还包括位于光发射器件和波导之间的透光材料。本发明实施例涉及衬底上的光具座及其制造方法。
衬底光具座及其制造方法

[发明专利]边缘耦合设备制造-CN201580018130.0有效
发明人：潘华璞;刘宗荣;魏红振;陈宏民 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：该方法包括移除一部分覆层材料，以在倒锥形硅波导上形成沟槽；在覆层材料的剩余部分上以及在沟槽中，沉积具有折射率大于二氧化硅的材料；以及移除在所述沟槽中的一部分所述材料，以形成脊形波导。
边缘耦合设备制造

[发明专利]在硅衬底上具有聚合物波导的光学互连模块-CN201880047109.7在审
发明人：亚伯拉罕·周;保罗·毛-仁·吴 -专利权人：阿道特公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种在硅衬底上的光学互连装置，该装置包括：具有彼此相对的两个倾斜侧壁的沟槽；在所述沟槽中形成的多个聚合物波导，每个聚合物波导包括垂直部分和在所述沟槽的倾斜侧壁上形成的两个端反射器；光源和光接收器，其布置在所述沟槽外部的硅表面上的绝缘层上。所述光源和所述光接收器分别与每个聚合物波导的所述两个端反射器对准，从而通过所述两个端反射器的反射形成从所述光源装置通过所述多个聚合物波导到所述光接收器装置的光路。本申请还公开了用于制造上述装置的方法。
衬底具有聚合物波导光学互连模块

[实用新型]光波导组件及头戴式显示器-CN202022844147.2有效
发明人：朱耀明;王方舟;张韦韪 -专利权人：深圳惠牛科技有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光波导组件及头戴式显示器，涉及集成光栅的技术领域，为解决现有技术中，光栅波导产品在轻薄的前提下，无法满足大视场角、高亮度和全视场内显示均匀的技术问题，本实用新型的技术方案如下：投影模块；波导元件，位于所述投影模块的投影光照射方向；耦合元件，设置于所述波导元件，所述耦合元件包括均为反射型的耦入光栅、扩展光栅及耦出光栅，所述耦入光栅、扩展光栅、耦出光栅包括侧反射面、顶反射面及沟槽反射面；所述耦入光栅的沟槽反射面为倾斜结构，所述耦入光栅的侧反射面和/或顶反射面为倾斜结构；所述扩展光栅的沟槽反射面为倾斜结构；所述耦出光栅的沟槽反射面为倾斜结构。
波导组件头戴式显示器

[实用新型]一种平面光波导芯片-CN202121369213.3有效
发明人：吴凡;罗勇;徐晓辉;张冀 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本实用新型提供一种平面光波导芯片，所述平面光波导芯片包括：硅衬底、下包层、芯层、上包层和沟槽；所述下包层耦合于所述硅衬底的上表面；所述上包层耦合于所述下包层的上表面；所述芯层位于所述上包层中，并耦合于所述下包层的上表面；所述沟槽从所述上包层的上表面，贯穿所述上包层、所述芯层并进入至所述下包层。本实用新型提供的平面光波导芯片，在现有的芯片结构上，通过采用半导体工艺加工生成沟槽，由于所生成的沟槽在波导之间起到隔离热传播以及阻挡散射光等作用，使得芯片不需要额外的半导体制冷器进行温度控制，故有效地降低了芯片的散热功耗
一种平面波导芯片

[发明专利]基于非对称纳米沟槽结构的SPPs模式转换器及其转换方法-CN201510157698.2有效
发明人：李智;廖慧敏;姚文杰;刘尚;孙成伟;陈建军;龚旗煌 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非对称纳米沟槽结构的SPPs模式转换器及其转换方法。本发明的表面等离激元模式转换器包括金属薄膜；在金属薄膜的表面设置有主纳米沟槽；在主纳米沟槽的底部一侧设置有附加纳米沟槽，形成非对称纳米沟槽结构；通过操控共振结构的附加纳米沟槽的深度控制主纳米沟槽中一阶波导模式和二阶波导模式的相互转换系数本发明为进一步通过一阶和二阶波导模式的干涉实现对总的电磁场分布的操控提供了极大的便利；同时该表面等离激元模式转换器还具有几百纳米的超小尺寸，有利于高度集成，因此在超高集成度SPPs光子回路中将获得广泛应用
基于对称纳米沟槽结构 spps 模式转换器及其转换方法

[发明专利]一种基于氮化硅波导的通信带到中红外超连续谱产生方法-CN201611246278.2有效
发明人：惠战强 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G02F1/365 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化硅波导的通信带到中红外超连续谱产生方法，包括有如下步骤：1、通过超短脉冲光源发出重复频率为8‑12MHz，中心波长为1.4‑2.2微米；2、超短飞秒光脉冲经过透镜耦合注入色散平坦的脊形/沟槽混合反向氮化硅波导，氮化硅波导的结构包括设置于硅片上的二氧化硅氧化层，二氧化硅于表面刻蚀形成含有单二氧化硅脊的沟槽；本发明氮化硅波导在结构上采用脊形/沟槽混合结构，使得光场有效面积较小，实现波导的非线性系数相对较大，当高峰值功率飞秒光脉冲进入波导后，发生自相位调制、交叉相位调制、四波混频、孤子频移、色散波产生等一系列非线性过程，最终形成从近红外到中红外波段的超连续光谱。
波导氮化硅超连续谱二氧化硅光脉冲脊形二氧化硅氧化层超短脉冲光源交叉相位调制非线性过程非线性系数高峰值功率中红外波段自相位调制表面刻蚀混合结构连续光谱色散平坦四波混频透镜耦合有效面积中心波长重复频率色散波硅片光场频移通信