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- [发明专利]半导体激光元件-CN201880059947.6有效
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持田笃范
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松下控股株式会社
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2018-08-09
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2023-10-20
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H01S5/22
- 半导体激光元件(10)：具备基板(101)；以及激光阵列部(11)，具有排列配置的多个发光部(141)，并且层叠在基板(101)的上方，基板(101)与激光阵列部(11)的层叠体，在相对的面具备一对谐振器端面(140f以及140r)，在多个发光部(141)之中的相邻的两个发光部(141)之间，在一对谐振器端面(140f以及140r)的至少一方形成有从激光阵列部(11)延伸到基板(101)的中途的槽部(133)。
- 半导体激光元件
- [发明专利]半导体激光装置-CN202180095168.3在审
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鴫原君男
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三菱电机株式会社
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2021-03-10
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2023-10-17
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H01S5/22
- 本公开的半导体激光装置具备在第1导电型的半导体基板(2)之上层叠的第1导电型的包覆层(3)、第1导电型侧的光导层(61)、活性层(7)、第2导电型侧的光导层(81)、第2导电型的包覆层(11)以及第2导电型的接触层(14)和长度为Lc的谐振器，谐振器由长度为Lf的电流限制区域和长度为Lc－Lf的电流注入区域构成，电流限制区域由脊内侧区域(Iai)、设置于脊内侧区域(Iai)的两侧并具有电流非注入构造的脊外侧区域(Iao)、和设置于脊外侧区域(Iao)的两侧并且至少被除去接触层(14)以及包覆层(11)的包覆区域(IIc)构成，电流注入区域由脊区域(Ia)和设置于脊区域的两侧的包覆区域(IIc)构成。
- 半导体激光装置
- [发明专利]电泵激光器及其制备方法-CN202110922192.1有效
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杨正霞;周旭亮;王梦琦;杨文宇;潘教青
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中国科学院半导体研究所
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2021-08-11
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2023-10-13
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H01S5/22
- 本发明提供了一种电泵激光器，包括：下金属电极、图形化衬底、倒脊型波导III‑V族亚微米结构、钝化层、苯并环丁烯层和上金属电极；下金属电极，位于图形化衬底的上表面或下表面；图形化衬底，包括图形化硅层和图形化二氧化硅层，图形化衬底上面设置至少一个连通沟槽，连通沟槽包括矩形沟槽和V型沟槽；倒脊型波导III‑V族亚微米结构，设置在连通沟槽内和连通沟槽上；钝化层，设置在连通沟槽上的倒脊型波导III‑V族亚微米结构的两侧和图形化衬底的上表面；苯并环丁烯层，设置在钝化层的一侧；其中，苯并环丁烯层的顶端、钝化层的顶端和倒脊型波导III‑V族亚微米结构的顶端等高；上金属电极，设置在倒脊型波导III‑V族亚微米结构上。
- 激光器及其制备方法
- [发明专利]半导体激光器结构及其制备方法-CN202211057956.6有效
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郭娟;李鸿建
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武汉云岭光电股份有限公司
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2022-08-31
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2023-09-19
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H01S5/22
- 本发明涉及一种半导体激光器结构的制备方法，包括S1，生长一次外延结构；S2，在一次外延结构上二次外延制作光栅；S3，接着在光栅层上生长第一掩膜层，并制作脊波导，脊波导的中间脊宽大于两端脊宽；S4，再利用光刻保护脊波导的两端，腐蚀中间区域至一次外延结构的衬底，形成两个膨大腔室；S5，去掉第一掩膜层，并重新生长第二掩膜层，第二掩膜层覆盖剩下的脊波导和两个膨大腔室的表面；S6，涂BCB或者聚酰亚胺，进行曝光和显影，使BCB仅填充于两个膨大腔室中；S7，重新生长第三掩膜层，使其包裹BCB和脊波导；S8，得到半导体激光器。提供一种半导体激光器结构。本发明可实现低阈值和高效率注入，同时降低器件电容；可有效提高解理良率，改善腔面脏污。
- 半导体激光器结构及其制备方法
- [发明专利]半导体激光器元件-CN202180091975.8在审
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久纳康光;山田笃志;永井洋希;中谷东吾;柳田直人;畑雅幸
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新唐科技日本株式会社
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2021-12-22
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2023-09-12
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H01S5/22
- 半导体激光器元件(10)具备基板(21)和半导体层叠体(10S)，半导体层叠体(10S)具有N侧半导体层(22)、活性层(23)、P侧半导体层(24)和P型接触层(25)，半导体层叠体(10S)具有两个端面，激光在两个端面之间谐振，半导体层叠体(10S)具有在谐振方向上延伸的脊部(20r)、和在半导体层叠体(10S)的俯视图中将脊部(20r)的周围包围的底部(20b)，脊部(20r)从底部(20b)朝向上方突出并从两个端面离开，并且包含P型接触层(25)的至少一部分，在半导体层叠体(10S)的上表面中，仅在脊部(20r)上形成作为被注入电流的区域的电流注入窗(25a)，从活性层(23)的上表面到底部(20b)的距离是均匀的。
- 半导体激光器元件
- [发明专利]一种半导体激光器的制备方法-CN202310844969.6在审
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吴思;李增成;刘建平
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苏州镓锐芯光科技有限公司
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2023-07-11
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2023-09-05
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H01S5/22
- 一种半导体激光器的制备方法，包括：在凹槽的底部表面、脊形区的侧壁表面和脊形区的顶部形成钝化层；在钝化层的表面形成胶膜，所述凹槽中的胶膜的表面低于所述脊形区的顶部的胶膜的表面；提供平板基板，将平板基板压印在脊形区背离半导体衬底层的一侧，使得脊形区顶部的胶膜的厚度远小于所述凹槽中的胶膜的厚度；之后，对胶膜进行固化，将平板基板移除；之后，采用无掩膜刻蚀工艺去除脊形区顶部的胶膜；之后，以凹槽的底部表面和脊形区的侧壁表面的钝化层上覆盖的胶膜为掩膜刻蚀去除脊形区顶部的钝化层，形成电流注入窗口。该半导体激光器的制备方法能获得高效高品质的电流注入窗口。
- 一种半导体激光器制备方法
- [发明专利]半导体激光装置-CN202180062640.3在审
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鴫原君男
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三菱电机株式会社
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2021-01-08
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2023-08-25
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H01S5/22
- 本公开的半导体激光装置具备：层叠于半导体基板(2)之上的第一导电型的包覆层(3)、第一导电型侧的光引导层(61)、活性层(7)、第二导电型侧的光引导层(81)、第二导电型的包覆层(11)以及第二导电型的接触层(14)；谐振器，由前端面和后端面构成；以及脊区域，在前端面与后端面之间对激光进行导波，该半导体激光装置的特征在于，脊区域由脊内侧区域和脊外侧区域构成，脊内侧区域的有效折射率为nai，脊外侧区域设置于脊内侧区域的两侧，有效折射率为nao，并且具有电流非注入构造，脊外侧区域宽度的Wo大于从电流非注入构造的下端部到活性层的距离。
- 半导体激光装置
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