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[发明专利]半导体激光器可靠性测试方法、系统及介质-CN202310862114.6有效
发明人： 周少丰;罗军波;梁凯宇;王亮;覃紫唅 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种半导体激光器可靠性测试方法、系统及介质。本发明设计和计算半导体激光器功率稳定程度评估指数、半导体激光器环境温度稳定程度评估指数，并依据半导体激光器功率稳定程度评估指数、半导体激光器环境温度稳定程度评估指数进行热源调控，减少了半导体激光器温度可靠性测试所需的时间，增加了半导体激光器温度可靠性测试的效率；本发明采用两阶段调控方式，在升温过程中使半导体激光器功率稳定程度保持较高水平，在温度达到测试温度后使温度和功率波动同步逐渐减小，实现既减少了升温时间，又减少了温度和功率稳定下来的时间，使半导体激光器温度可靠性测试效率进一步提升。
半导体激光器可靠性测试方法系统介质

[发明专利]激光器自动测试的控制方法、设备、电子设备及存储介质-CN202310674099.2有效
发明人： 周少丰;梁凯宇;王亮;罗军波;曹雄 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光器自动测试的控制方法。包括：根据与第一区域相关联的激光器测试参数，第二运动模组将测试模组移动到首个测试位附近的特定空间位置，以对首个测试位的第一待测激光器进行测试；第一运动模组将测试完成的第一待测激光器置于测试完成区，并将第二区域放置的第二待测激光器置于已完成测试的测试位，第二运动模组将测试模组移动到下一测试位附近的特定空间位置进行测试。上述方案，通过将测试参数与放置激光器的区域关联，实现多种型号的激光器可以进行同一测试，相同型号的激光器可以进行不同测试，无需扫描激光器编号以及重复设置参数，同时，通过第一运动模组第二运动模组提高了激光器自动测试的效率。
激光器自动测试控制方法设备电子设备存储介质

[发明专利]一种基于半导体激光器的激光输出系统、方法及介质-CN202310864211.9有效
发明人： 周少丰;丁亮;陈华为;王亮;覃紫唅 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01S5/068 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种基于半导体激光器的激光输出系统、方法及介质。本发明提供的基于半导体激光器的激光输出系统，通过在激光器壳体内部和外部分别设置传感器，使用电功率、光功率检测半导体激光器壳体内不同光路的工作状况，从而能够确保激光输出系统输出光束的稳定性；本发明提供的基于半导体激光器的激光输出方法利用偏振合束器的特点，可以根据电功率、光功率更精确地测算出半导体激光器内处于不同光路的激光芯片的工作状况，从而实现更好的激光光束输出。
一种基于半导体激光器激光输出系统方法介质

[发明专利]一种半导体激光器耐回返光能力的光路测试系统-CN202011592289.2有效
发明人： 周少丰;黄良杰;林文烽;陈永平 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体激光器耐回返光能力的光路测试系统，涉及半导体激光技术领域；该系统包括：待测试的半导体激光器、光功率计和光纤合束分束模块；所述光纤合束分束模块包括具有多个输入分支的一端及多个输出分支的另一端；所述激光器和所述光功率计分别熔接在一端的两个端口，另一端的两个端口相互熔接，形成回返光路；可直观且准确的测得半导体激光器的耐回返光阈值，对半导体激光器的设计与制造具有重要的参考意义。
一种半导体激光器回返能力测试系统

[发明专利]一种双波长半导体激光器、控制方法及设备-CN202310769126.4在审
发明人： 周少丰;刘鹏;蒋羽玲;王亮;覃紫唅 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种双波长半导体激光器、控制方法及设备。本发明提供的激光器通过设置隔离部分，并在壳体上设置吸光结构，减少了壳体环境中不同波长的发光单元产生的杂散光，从而提高激光器的工作稳定性和使用寿命；采用二向色镜结合锯齿状吸光结构的设计，能够进一步减小不同波长发光单元之间的杂散光干扰；在吸光结构中设置传感器，利用了偏振合束模块非理想合束的特性，使基于传感器的功率预测数值更为准确，有效实现激光器的输出功率控制，进一步增加了激光器的工作稳定性和使用寿命，同时避免了在激光器输出后采样造成的效率损失。
一种波长半导体激光器控制方法设备

[外观设计]直接半导体激光器-CN202330213167.6有效
发明人： 周少丰;王亮;陈华为;刘飞;罗军波 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：直接半导体激光器。2.本外观设计产品的用途：用于机械制造领域中发射激光的半导体激光器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
直接半导体激光器

[发明专利]一种具有PN结非注入层的激光器的结构及其制备方法-CN202310674531.8有效
发明人： 周少丰;刘鹏;丁亮;陈华为 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种具有PN结非注入层的激光器的结构及其制备方法。所述结构沿着外延生长方向依次包括衬底层、下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、上限制层、电流非注入层以及脊波导。该结构通过在外延片上二次外延生长N型半导体材料作为电流非注入层，从而在脊波导前端面附近引入一段PN结，阻挡电流注入腔面。这不仅保证了沿光传播方向上材料的折射率相同，减少了由于电流非注入区引入而增加的光学散射损耗；还最大限度的减少腔面处载流子的浓度；也避免P型材料的高吸收，降低腔面温度，有效的提升了器件的性能。
一种具有 pn 注入激光器结构及其制备方法

[发明专利]一种具有耗尽型电流非注入层的激光芯片及其制备方法-CN202310680072.4有效
发明人： 周少丰;丁亮;刘鹏;陈华为;曹雄 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种具有耗尽型电流非注入层的激光芯片，激光芯片沿着外延生长方向依次包括阴极电极、衬底层、下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、上限制层、脊波导层、阳极电极和第三电极，衬底层下方设置有阴极电极，脊波导上方设置有阳极电极，脊波导层的前端面凹进形成台阶状结构，台阶状结构上设有电流非注入层，并在电流非注入层的上方生长第三电极，电流非注入层两侧方向的上波导层与上限制层的侧面与前端面呈预设角度，以在电流非注入层两侧均形成渐变脊高结构，上述方案，通过电流非注入区两侧的上限制层，上波导层形成渐变脊高结构，使整个光场下压，远离P型层，从而减小损耗散射，减少吸收，提升器件性能。
一种具有耗尽电流注入激光芯片及其制备方法

[发明专利]一种集成帕耳贴制冷的FP激光芯片及其制备方法-CN202310682821.7有效
发明人： 周少丰;丁亮;刘鹏;陈华为 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明提供一种集成帕耳贴制冷的FP激光芯片及其制备方法，激光芯片由下至上沿着外延生长方向依次设置有衬底层、下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、上限制层、脊波导层，脊波导层两侧为台阶状结构，在一侧的台阶状结构上方的钝化层的表面设置有N型半导体，在另一侧的台阶状结构上方的钝化层的表面设置有P型半导体，以及，在阳极电极上的钝化层表面、N型半导体上表面以及P型半导体上表面均设置金属电极。本发明通过N型半导体、P型半导体、金属电极，利用帕尔贴原理实现对量子阱有源层快速散热，从而提高激光芯片的效率。
一种集成帕耳贴制冷 fp 激光芯片及其制备方法

[发明专利]一种基于偏振合束的多光路激光器、控制方法及设备-CN202310769023.8在审
发明人： 周少丰;刘鹏;刘飞;王亮;曹雄 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种基于偏振合束的多光路激光器、控制方法及设备。本发明提供激光器通过设置隔离部分，并在壳体上设置吸光结构，减少了壳体环境中发光单元因光学元件而产生的杂散光，从而提高激光器的工作稳定性和使用寿命；本发明方案利用了偏振合束模块非理想合束的特性，使基于传感器的功率预测数值更为准确，有效实现激光器的输出功率控制，进一步增加了激光器的工作稳定性和使用寿命，同时避免了在激光器输出后采样造成的效率损失。
一种基于偏振多光路激光器控制方法设备

[发明专利]一种具有电流非注入层的激光芯片及其制备方法-CN202310468533.1有效
发明人： 周少丰;丁亮;刘鹏;陈华为 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电流非注入层的激光芯片，所述激光芯片在所述脊波导层与所述前端面接触的部分凹进形成台阶，所述台阶上设有电流非注入层，所述第三电极生长在所述电流非注入层的上方。本发明利用电流非注入层技术，在激光芯片的发射腔面侧制备电流非注入层，并在电流非注入层的上方生长第三电极。当第三电极加正向电压时，会使得电流非注入层下方p型半导体的耗尽层向有源区推移，抑制腔面部分的载流子浓度，从而减少腔面有源区载流子的注入，减少腔面的光吸收，从而降低腔面的温度。
一种具有电流注入激光芯片及其制备方法

[发明专利]一种高效率蓝光半导体激光芯片-CN202310430064.4有效
发明人： 周少丰;陈华为;刘鹏;丁亮;覃紫唅 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种高效率蓝光半导体激光芯片。本发明提供的蓝光半导体激光芯片中，量子阱有源区包括多个交叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层沿生长方向依次为多个第一量子阱层、一个第二量子阱层和多个第三量子阱层，其中，沿生长方向的多个第一量子阱层厚度逐渐减少，In组分逐渐增加，沿生长方向的多个第三量子阱层厚度逐渐增加，In组分逐渐减少，本发明利用不同量子层之间的结构和In组分差异设计，有效减少了有源区的电子泄露，提高载流子复合效率，从而获得更高的光电转换效率。
一种高效率半导体激光芯片

[发明专利]一种阶梯设计的光纤耦合半导体激光器及焊接设备-CN202310430085.6有效
发明人： 周少丰;刘飞;陈华为;王亮;覃紫唅 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01S5/02251 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种阶梯设计的光纤耦合半导体激光器及焊接设备。本发明提供的阶梯设计的光纤耦合半导体激光器，通过安装部与阶梯式热沉的两段导热设计，使得发光单元的产热在竖直向下传递的同时进行侧向传递，实现处于不同级台阶的发光单元具有相近的散热效果，减少发光单元之间的性能差异，在保证总体散热的同时提高了光束质量。
一种阶梯设计光纤耦合半导体激光器焊接设备

[发明专利]激光器高温测试方法、电路、电子设备及存储介质-CN202310468527.6在审
发明人： 周少丰;梁凯宇;王亮;罗军波 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种激光器高温测试方法。包括：根据激光器输出光束的功率变化、金属板温度变化以及激光器壳体温度变化判断激光器壳体温度变化趋势及数值，并根据激光器壳体温度变化趋势及数值和/或输出光束的功率变化选择预设方法以调整激光器壳体温度，直至激光器壳体温度达到预设温度范围并维持预设时间且激光器输出光束的功率变化小于第一预设数值，记录此时激光器输出光束的功率。上述方案，根据激光器壳体温度变化趋势及数值及输出光束的功率变化选择预设方法以调整激光器壳体温度，能够加快达到预设温度的时间并减少在功率稳定后进行温度调整的时间，提高了激光器高温测试的效率。
激光器高温测试方法电路电子设备存储介质

[发明专利]一种半导体激光器耐回返光能力的光路测试系统及方法-CN202011592314.7有效
发明人： 周少丰;黄良杰;刘鹏;欧阳春宝;尹晓峰 -专利权人：深圳市星汉激光科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体激光器耐回返光能力的光路测试系统及方法，涉及半导体激光技术领域；该系统包括：待测试的半导体激光器、第一光纤耦合器、第二光纤耦合器和光功率计；所述第一光纤耦合器和所述第二光纤耦合器均为2×2的光纤耦合器；所述激光器和所述光功率计分别连接至所述第一光纤耦合器一端的两个端口；所述第一光纤耦合器另一端的一个端口连接至所述第二光纤耦合器的一端的其中一个端口，另一个端口连接至所述第二光纤耦合器的另一端的其中一个端口，组成一个环形光路。通过光功率计读数计算激光器接收的回返光功率，可以直观且准确的计算半导体激光器的耐回返光阈值。
一种半导体激光器回返能力测试系统方法

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