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[发明专利]一种单片集成两段式DFB激光器芯片及阵列-CN202310501758.2在审
发明人：张云山;徐逸帆;顾鸿鸣;赵同飞;李连艳;郭燕婷;邹辉 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片集成两段式DFB激光器芯片及阵列，其中，单片集成两段式DFB激光器芯片包括芯片本体；所述芯片本体包括结构共用的DFB激光器段和光栅反射器段；所述DFB激光器段和光栅反射器段具有不同的布拉格波长；其中，DFB激光器阵列包括多个DFB激光器芯片；各DFB激光器芯片的DFB激光器段的自由端面并列设置；各DFB激光器芯片的DFB激光器段具有不同的布拉格波长。本发明能够获得具有失谐加载效应的单片集成两段式DFB激光器芯片，以及具有不同布拉格波长的DFB激光器阵列。
一种单片集成段式 dfb 激光器芯片阵列

[实用新型]一种单模稳定的DFB激光器-CN202123412574.4有效
发明人：唐涌波 -专利权人：深圳市斑岩光子技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本实用新型适用于激光器领域，提供了一种单模稳定的DFB激光器，所述DFB激光器包括左DFB及右DFB，及设置在所述左DFB及所述右DFB之间且连接所述左DFB及所述右DFB的共用高反侧解理区，所述共用高反侧解理区包括由下到上依次设置的解理区下电极旨在解决现有技术中DFB激光器的高反面是通过在解理面镀高反膜来实现，受工艺容差影响，解理面的位置无法精确控制，这导致DFB高反面的相位随机不定，进而影响了DFB激光器的单模产出的技术问题。
一种单模稳定 dfb 激光器

[发明专利]一种DFB激光器的测试装置及其测试方法-CN201910426382.7在审
发明人：陈建;戴微微;高天 -专利权人：北京中创为南京量子通信技术有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种DFB激光器的测试装置，包括测试电路，所述的测试电路包括能够与上位机相连接的控制器，且控制器分别与窄脉冲调节电路、DFB激光器驱动电路相连接，窄脉冲调节电路与DFB激光器驱动电路相连接且DFB激光器驱动电路分别与DFB激光器夹具上的DFB激光器的RF‑端、DC‑端相连接，DFB激光器驱动电路能够在控制器的控制下设定DFB激光器夹具上的DFB激光器的RF‑端、DC‑端的电流值，DFB激光器夹具通过光纤与测试仪器相连接本发明的测试装置能够完成对量子保密通信中的DFB激光器的光学参数、技术指标进行测试，并覆盖DFB厂家的出厂参数测试，保障其可靠的应用于量子保密通信产品的光源中。
驱动电路夹具测试装置控制器量子保密通信测试电路窄脉冲测试电路测试仪器出厂参数光学参数技术指标上位机光源光纤覆盖应用

[发明专利]分布式反馈激光器-CN202080005821.8在审
发明人： M·阿拉卢西;K·马素达;P·斯里尼瓦桑 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：一种安装在硅光子集成电路(Si PIC)上的分布式反馈激光器(DFB)，所述DFB具有从所述DFB激光器的第一端延伸到所述DFB激光器的第二端的纵向长度，所述DFB激光器包括：外延堆栈，所述外延堆栈包括：一个或多个活性材料层；包括部分光栅的层，所述部分光栅从所述DFB激光器的所述第二端仅部分地沿着所述DFB激光器的所述纵向长度延伸，使得所述部分光栅不延伸到所述DFB激光器的所述第一端；高反射介质，所述高反射介质位于所述DFB激光器的所述第一端；以及后端面，所述后端面位于所述DFB激光器的所述第二端。
分布式反馈激光器

[发明专利]DFB激光器及其制备方法-CN202211565252.X在审
发明人：张岚;黄文勇;许明;唐豪;谈杰 -专利权人：平湖科谱激光科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种DFB激光器及其制备方法。DFB激光器，包括：DFB激光器结构，具有脊型波导；低应力介质层，至少覆盖所述脊型波导的侧壁；所述低应力介质层的热膨胀系数与所述脊型波导的热膨胀系数相匹配。本发明的DFB激光器，可以显著降低所述DFB激光器的寄生电容，从而提高所述DFB激光器在高频条件下的带宽性能。本发明采用的是热膨胀系数与所述脊型波导的热膨胀系数相匹配的所述低应力介质层，所述DFB激光器在不同的操作温度下，不会产生明显的热应力，不会对所述DFB激光器结构中的量子阱材料产生应力而影响DFB激光器的性能，所述低应力介质层不会和所述DFB激光器结构因热应力失配而造成层脱离，从而确保所述DFB激光器的性能。
dfb 激光器及其制备方法

[发明专利]一种基于两个DFB激光器注入锁定的无本振上变频系统-CN201710513620.9有效
发明人：王菊;王帅帅;于晋龙 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于两个DFB激光器注入锁定的无本振上变频系统，包括微波源、第一、二DFB激光器均、第一、二DFB激光器驱动电路；第一DFB激光器与第二DFB激光器之间连接有偏振控制器，第二DFB激光器驱动电路输出上变频信号；两个DFB激光器驱动电路均包括激光器电流驱动电路和激光器偏置电路，激光器偏置电路包括陶瓷电容、高频扼流圈和SMA接头，陶瓷电容的电容值为100nF～1μF，两个DFB激光器驱动电路基本相同，只是第二DFB本发明通过DFB激光器电流和光功率之间相互影响的特性，上变频信号直接由DFB激光器驱动电路检测并输出，具有很高的稳定性。
一种基于两个 dfb 激光器注入锁定变频系统

[发明专利]基于DFB-SA激光器的单片集成光子脉冲神经元实现方法-CN202310387711.8在审
发明人：项水英;张雅慧;郭星星;施跃春;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于DFB‑SA的单片集成光子脉冲神经元实现方法，包括：对DFB‑SA激光器进行功率测试，以确定DFB‑SA激光器的工作电压和偏置电流范围；对DFB‑SA激光器进行光谱测试，以确定DFB‑SA激光器的自身波长范围；根据DFB‑SA激光器的自身波长范围确定需注入的光信号波长范围；基于确定的偏置电流范围向DFB‑SA激光器的增益区施加偏置电流，同时基于确定的工作电压向DFB‑SA激光器的SA区施加反向偏置电压，并在上述条件下，按照确定的注入光信号波长范围向DFB‑SA激光器注入光信号，观察DFB‑SA激光器的输出光谱，以确定与待处理目标对应的注入光信号波形，从而实现光子脉冲神经元的功能。
基于 dfb sa 激光器单片集成光子脉冲神经元实现方法

[实用新型]一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片-CN201720678133.3有效
发明人：李马惠;潘彦廷;卫思逸;王昱玺;冯旭超;穆瑶;师宇晨;王兴;罗俊岗;刘从军;张海超;王娜;党晓亮 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片，包括基板，基板上端并排设置有DFB‑MQW和EAM‑MQW，DFB‑MQW的末端和EAM‑MQW的首端相接，DFB‑MQW上端设置有DFB‑LD区局部光栅层，DFB‑LD区局部光栅层的长度Lg与DFB‑LD区总长度之比为0.5～0.8，通过设置DFB‑LD区的部分区域光栅层，大幅度提升DFB‑LD的抗反射特性，有了这种结构后，EML芯片就不用做倾斜的波导或者倾斜的出光面
一种反射吸收调制半导体激光器芯片

[发明专利]激光器的制作方法及激光器-CN202011158751.8在审
发明人：邓秋芳 -专利权人：中兴光电子技术有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种激光器的制作方法及激光器，制作方法包括：在衬底上依次划分第一分布式反馈DFB区域、调谐区域和第二DFB区域；分别在第一DFB区域和第二DFB区域上制备选区介质掩膜条对，或者在调谐区域上制备选区介质掩膜条对；在制备有选区介质掩膜条对的第一DFB区域、调谐区域和制备有选区介质掩膜条对的第二DFB区域，或者在第一DFB区域、制备有选区介质掩膜条对的调谐区域和第二DFB区域依次外延生长下分别限制层、多量子阱层以及上分别限制层，以使调谐区域的多量子阱层的组分分别偏离第一DFB区域和第二DFB区域的多量子阱层的组分；去掉选区介质掩膜条对；通过该制作方法所制作的激光器可靠性高并能够增大激光器波长调谐范围。
激光器制作方法

[发明专利]一种EML芯片及光模块-CN202110267875.8在审
发明人：章力明;吴名忠 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本申请提供的EML芯片及光模块，EML芯片用于光模块；EML芯片包括：衬底；EAM‑MQW层，设置在衬底的上方；DFB‑MQW层，设置在EAM‑MQW层的上方；光栅层，设置在DFB‑MQW层的上方；InP包层，沉积设置在光栅层的上方；电极层，刻蚀设置在InP包层的上表面，电极层包括DFB正电极、EAM正电极和EML负电极，DFB正电极和EAM正电极之间设置电隔离区，DFB正电极位于DFB‑MQW层的上方通过EAM‑MQW层上方设置DFB‑MQW层实现DFB‑MQW和EAM‑MQW的堆叠，减少EML芯片制作复杂性，以提升EML制成速度，提高EML晶元的良率和稳定性，便于保证EML芯片的一致性。
一种 eml 芯片模块

[发明专利]单片集成DFB-SA同时实现脉冲激活和突触权重的方法-CN202310436989.X在审
发明人：项水英;张雅慧;郭星星;施跃春;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本发明公开了单片集成DFB‑SA同时实现脉冲激活和突触权重的方法，包括：在对DFB‑SA的饱和吸收区进行反向电压偏置的条件下，通过调节DFB‑SA的外部光注入以及对DFB‑SA的增益电流进行时变调整，以在单片集成DFB‑SA上同时实现非线性脉冲激活和突触线性加权；其中，所述增益电流中包含静态偏置电流和时变电流；DFB‑SA的兴奋性阈值随所述增益电流的增加而降低、DFB‑SA的不应期随所述增益电流的增加而减小，DFB‑SA
单片集成 dfb sa 同时实现脉冲激活突触权重方法

[发明专利]一种具有温度补偿功能的激光器组件-CN202111251913.7在审
发明人：李昱;苏炎;陈居凯 -专利权人：苏州众为光电有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有温度补偿功能的激光器组件包括DFB激光器和线性滤光片；线性滤光片的透过率或插损与波长存在线性关系；DFB激光器在不同温度下输出不同的波长，不同波长下输出不同的功率值，针对DFB激光器，选择对应的线性滤光片安装在DFB激光器之前。本发明中线性滤光片的插损或透射率随波长是线性变化的，DFB激光器由于发热等问题造成的温漂效应使得DFB激光器输出的波长发生变化，DFB激光器的透过率或插损随波长而变化，从而引起DFB激光器在不同波长下的输出功率发生线性变化通过添加在特定的波长范围内插损或透射率随波长线性变化的线性滤光片，可弥补温度变化对DFB激光器所造成的影响，使得DFB激光器在不同温度下的输出功率实现恒定输出。
一种具有温度补偿功能激光器组件

[实用新型]一种具有温度补偿功能的激光器组件-CN202122588947.7有效
发明人：李昱;苏炎;陈居凯 -专利权人：苏州众为光电有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有温度补偿功能的激光器组件包括DFB激光器和线性滤光片；线性滤光片的透过率或插损与波长存在线性关系；DFB激光器在不同温度下输出不同的波长，不同波长下输出不同的功率值，针对DFB激光器，选择对应的线性滤光片安装在DFB激光器之前。本实用新型中线性滤光片的插损或透射率随波长是线性变化的，DFB激光器由于发热等问题造成的温漂效应使得DFB激光器输出的波长发生变化，DFB激光器的透过率或插损随波长而变化，从而引起DFB激光器在不同波长下的输出功率发生线性变化通过添加在特定的波长范围内插损或透射率随波长线性变化的线性滤光片，可弥补温度变化对DFB激光器所造成的影响，使得DFB激光器在不同温度下的输出功率实现恒定输出。
一种具有温度补偿功能激光器组件

[实用新型]DFB光源模块-CN202320455468.4有效
发明人：陈祥宝;李启宏 -专利权人：深圳市博科斯光电科技有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本实用新型提供了DFB光源模块，包括DFB光源本体和封装外壳，所述DFB光源本体位于封装外壳内，封装外壳内装设有铜板，铜板与DFB光源本体之间装设有铜导管，封装外壳上侧装设有散热鳍片，散热鳍片与铜板固定连接本实用新型可以方便对DFB光源本体进行散热，且不会破坏DFB光源本体的密封结构，加快散热效率；还可以直接通过散热口进行空气交换，加快DFB光源本体的散热。
dfb 光源模块

[发明专利]一种基于边模光注入DFB的光子脉冲神经元实现方法-CN202211217958.7在审
发明人：项水英;张雅慧;郭星星;高爽;马雨欣;施跃春;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于边模光注入DFB的光子脉冲神经元实现方法，包括：设置DFB工作在目标偏置电流；向DFB注入目标功率的光调制信号，以使DFB被激发出神经元特性对光调制信号进行非线性响应运算，并使DFB输出光子脉冲神经元的运算结果；目标偏置电流大于DFB的激发阈值电流；光调制信号的载波为目标波长的CW信号，且光调制信号携带的调制信息以CW信号的瞬时功率下降来表示；目标波长与目标边模波长之间的距离为0nm～0.2nm，目标边模波长是从DFB在自由运行状态下输出的若干个边模波长中所选取的；目标功率至少确保CW信号能够使DFB进入注入锁定状态。
一种基于边模光注入 dfb 光子脉冲神经元实现方法

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