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[发明专利]垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法-CN202310711994.7在审
发明人：张立宇;苏辉;林中晞;钟杏丽;陈辉;李雄 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直腔面发射激光器芯片及其制备方法，包括基底、外延柱体、环形沟槽、填充层、钝化层、氧化孔与电极，外延柱体设置于基底之上，外延柱体上方设置环形沟槽形成由环形沟槽围绕的“孤岛”波导区；环形沟槽内部填充有填充层；所述电极包括P面电极、N面电极与相连电极；所述P面电极设置于“孤岛”波导区上方，并与环形沟槽及其内部填充的填充层呈同心圆环；所述N面电极设置于基底上方并毗邻于外延柱体；所述相连电极与外延柱体通过钝化层隔离，并在钝化层开窗处与P面电极形成电连接；P面电极与环形沟槽、氧化孔的圆心重合。
垂直发射激光器芯片及其制备方法

[发明专利]模式转换器及其制造方法-CN201780043323.0有效
发明人： J.德拉克;D.勒罗斯;H.尼克南 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：所述方法包括：在DSOI层结构的装置层的部分上提供第一掩膜；向下蚀刻装置层的未遮掩部分至至少上掩埋氧化物层，由此提供腔；蚀刻第一隔离沟槽和第二隔离沟槽至模式转换器层，所述模式转换器层：在上掩埋氧化物层相对于装置层的相对侧上并且介于上掩埋氧化物层与下掩埋氧化物层之间，下掩埋氧化物层在衬底上方；其中第一隔离沟槽和第二隔离沟槽限定锥形波导；用绝缘材料填充第一隔离沟槽和第二隔离沟槽，由此光学隔离锥形波导与剩余的模式转换器层；和再生长装置层的所蚀刻区域。
模式转换器及其制造方法

[发明专利]一种光波导及其加工方法-CN201310085366.9无效
发明人：薛列龙 -专利权人：江苏荣邦微电子有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种光波导及其加工方法。提供了一种在满足高保真、高效率信号传输的前提下，芯片薄，工艺条件友好，加工成本更低的光波导及其加工方法。包括基底上开设的倒梯形沟槽，在沟槽底部设有芯体层，所述芯体层的上部设有覆盖层。在所述基底的顶面以及沟槽的表面上设有抑制层。本发明的加工方法，依次包括覆膜、涂胶光刻、腐蚀窗口内覆膜层和蚀刻基底沟槽工序，然后按以下步骤加工：1）烧结芯体层；在沟槽底部填充玻璃粉一，烧结，冷却，得芯体层；2）烧结覆盖层；在沟槽下部芯体层的顶面填充玻璃粉二
一种波导及其加工方法

[发明专利]一种高效紧凑的马赫-曾德尔光开关结构-CN201310173317.0有效
发明人：刘克;牟思璇;黄晖 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：包括输入波导I（1）和输入波导II（2），互相垂直交汇成十字型结构，在交汇处刻蚀分光微纳沟槽（3），相邻的波导的两端作为光开关的输入端I（1a）和输入端II（2a），另外两端作为输出端分别与L型参考臂（5）和L型相移臂（6）的一端相连；输出波导I（9）和输出波导II（10），互相垂直交汇成十字型结构，在交汇处刻蚀合光微纳沟槽（8），十字型结构中相邻的波导的两端作为光开关的输出端I（9b）和输出端II（
一种高效紧凑马赫曾德尔光开关结构

[发明专利]波长复用器/解复用器及其制造方法-CN201110191067.4无效
发明人：川岛洋志;奈良一孝;长谷川淳一 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种波长复用器/解复用器及其制造方法，所述波长复用器/解复用器包括马赫-增德尔干涉仪和阵列波导衍射光栅，所述波长复用器/解复用器具有简单的构造，并且可以降低在马赫-增德尔干涉仪中提供的温度补偿材料的温度补偿特性的劣化或者温度补偿材料的脱落波长复用器/解复用器包括：包括两个分离的平板波导的AWG和包括两个支路波导的MZI。在两个支路波导中形成温度补偿沟槽，其中在温度补偿沟槽和两个分离的平板波导之间的空间中，填充补偿材料，其折射率匹配AWG或马赫-增德尔干涉仪的补偿材料的折射率，该补偿材料具有的温度依赖系数的符号不同于波导芯的温度依赖系数的符号
波长复用器解复用器及其制造方法

[发明专利]基于弯月周期结构的高效多通道滤波器检测装置及方法-CN201610553935.1有效
发明人：陈麟;朱亦鸣;孙青云 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于弯月周期结构的多通道滤波器检测装置及方法，金属结构层通过光刻和镀膜附着在衬底上，述金属结构层包括能量传输部分、转换部分、波导传输部分、谐振环部分，能量传输部分具有一个共面波导；转换部分由Vivaldi天线的经典指数方程绘出，用于激发表面等离子体激元，保证宽频带的高效激励；波导传输部分由渐变沟槽、固定沟槽、渐变深漕的金属波导组成，用于控制其传输频率，汇聚能量；传输部分中间设有一个缺口，用于配合谐振环部分工作；谐振环部分由多个依次排列的弯月谐振环组成，通过弯月波导耦合产生多个谐振峰；所述安捷伦矢量网络分析仪的探针置于能量传输部分，用于发射、探测信号以及实现高效多通道滤波器的检测。
基于周期结构高效通道滤波器检测装置方法

[发明专利]可调变平面光波导光学衰减器及其生产方法-CN200510040932.X无效
发明人：宋奇望;王许明;孙麦可 -专利权人：奥普为光子科技(无锡)有限公司;宋奇望
申请日： 2005-07-05 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：可调变平面光波导光学衰减器及其生产方法，是一种用半导体器件生产工艺设备在平面芯片上制造一个或大量光学器件的技术平台。按照本发明所提供的设计方案，在硅衬底上有二氧化硅下包层，在二氧化硅下包层上形成核心波导及覆盖住核心波导的二氧化硅上包层，并在核心波导与二氧化硅上包层间设置侧沟槽，在侧沟槽内充满光热材料，在核心波导上面的二氧化硅上包层上形成加热电极
可调平面波导光学衰减器及其生产方法

[实用新型]照明系统以及光机系统-CN202123450824.3有效
发明人：赵鹏;赵永顺;严子深;李屹 -专利权人：深圳光峰科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种照明系统，包括光波导件、耦入装置以及耦出光栅，耦入装置设置于耦入区，用于接收单一偏振态的入射光，并将入射光耦入光波导件，以使入射光在光波导件内发生全反射。耦出光栅设置于耦出区，耦出光栅具有多个沟槽，所述沟槽内填充有双折射晶体层，耦出光栅用于耦出由光波导件传导的入射光，形成垂直于耦出区出射的照明光，耦出光栅还用于透过图像光。通过采用厚度尺寸更小的光波导件进行光照明，因此可以使得照明系统更加轻薄，利于应用于虚拟显示设备等对体积和重量要求较高的光机系统中。此外，本申请实施例还提供了一种光机系统。
照明系统以及

[发明专利]用于波导电路的波导弯角-CN200510022880.3无效
发明人：马赫茂德·拉斯拉斯;安乔·G.·旺－富瓦 -专利权人：朗迅科技公司
申请日： 2005-12-09 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明涉及用于波导电路的波导弯角。波导弯角具有互相之间成一个角度取向并通过反射面互相光耦合的两个波导。在一个实施例中，反射面是在波导的核心与包层的区域中形成的沟槽的侧面，它被设计来基于全内反射(TIR)来反射光。反射面可被设计成具有适当的弯曲的形状以减小在波导之间的耦合损耗。由于对于反射面可达到的相对较陡的转弯(反射)角度，本发明的波导弯角占用的电路面积比起典型的现有技术波导弯角的大大地减小。
用于波导电路弯角

[发明专利]基于光子引线键合的泵浦中红外光源发生装置-CN202211288434.7在审
发明人：施跃春;彭程;陈向飞;李密;张益昕 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光子引线键合的泵浦中红外光源发生装置，包括：热沉衬底、泵浦光源发生部、中红外波段增益光纤和耦合光波导；热沉衬底表面形成有沟槽；泵浦光源发生部和中红外波段增益光纤嵌设在沟槽内；耦合光波导的两端连接泵浦光源发生部的输出端和中红外波段增益光纤的输入端本发明采用光子引线获得的聚合物光波导，作为泵浦光源与增益光纤的耦合光波导，一方面避开了现有技术中复杂的泵浦光束准直系统与微透镜组耦合系统，另一方面提高了泵浦光的耦合效率，最低耦合损耗低至平均0.73dB
基于光子引线泵浦中红外光源发生装置

[发明专利]具有分布式反馈的激光二极管及其生产方法-CN201680038974.6有效
发明人：约尔格·弗里克;格茨.埃伯特;保罗·柯如姆;乔纳森·德克 -专利权人：柏林合作研究学会
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光二极管(100)，该激光二极管(100)包括：有源层(10)；波导区域(12)，该波导区域(12)至少部分围绕该有源层(10)；后端面(14)；前端面(16)，该前端面(16)被设计用于使激光辐射出耦，其中，该有源层(10)至少部分地沿着第一轴线(X)在该后端面(14)与该前端面(16)之间延伸；以及光栅(18)，该光栅(18)可操作地连接到该波导区域(12)，其中，该光栅(18)包括多个脊(22)和多个沟槽(24)，其特征在于，该多个沟槽(24)被设计为使得沿着该光栅(18)的该多个沟槽(24)的耦合参数P的平均增量是非零，其中，该沟槽(24)的耦合参数P通过公式(1)来定义，其中，dres是该沟槽(24)到该有源层(10)的距离，W是该沟槽(24)的宽度，并且Δn是该沟槽(24)的折射率与围绕该沟槽(24)的材料的折射率之间的折射率差。
具有分布式反馈激光二极管及其生产方法

[实用新型]一种法兰、护套、护套组件及软波导组件-CN202123183304.0有效
发明人：伍舒宁;彭威;吴文龙;许庆基 -专利权人：广州市吉峰金属塑胶制品有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01P3/14 文献下载
摘要：本申请涉及通信领域的微波器件技术领域，公开了一种法兰、护套、护套组件及软波导组件。法兰包括：第一本体；所述第一本体中间开有台阶波导孔；所述第一本体的外侧壁形成一个或多个台阶，在至少一个台阶的外侧壁形成径向沟槽，在至少一个台阶的外侧壁形成轴向沟槽。本申请实施例可以提升法兰连接的强度。
一种法兰护套组件软波导

[发明专利]一种高增益沟槽波导缝隙阵列微波天线-CN200710178640.1有效
发明人：罗先刚;黄成;杜春雷;赵泽宇;邓启凌 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种高增益沟槽波导缝隙阵列微波天线，其具体特征如下：首先确定天线激励源的工作波长λ；然后选择金属板材料，金属板的厚度为h；在金属板中间开串行的金属缝隙结构，所开的金属缝隙的个数为M，宽度为w₁，长度为L；激励源从金属板下方垂直于金属表面入射，从金属板上方金属表面出射；在金属板的出射面，金属缝隙结构的两侧并行排布N个对称的有限沟槽，沟槽的周期为P，深度为d，宽度为w₂；本发明将一维周期沟槽结构应用到波导缝隙阵列天线中，极大的提高了天线的方向性，同时，该天线的增益也得到了极大的提高。
一种增益沟槽波导缝隙阵列微波天线

[发明专利]一种直线反射式电光相位调制器-CN201710270432.8在审
发明人：牛晓晨;陈硕;刘占元;侯继彪;郑天祥;李璐;孙海江;李春城;叶志奇 -专利权人：全球能源互联网研究院;国网江苏省电力公司;国家电网公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明提供了一种直线反射式电光相位调制器，包括基片、光波导、调制电极、高反射膜和环行器；其中基片为长条形，在其一侧设置直线型沟槽，直线型沟槽内嵌结构相同的光波导；光波导一端设高反射膜，另一端与所述环形器垂直设置；调制电极包括正极调制电极和负极调制电极，且分别平行设置于所述光波导两侧，实现了相位调制。本发明采用电光晶体或有机物作为基片，利用电光晶体的电光效应改变材料的折射率进而实现相位调制；并在光波导的波导端面镀有高反射膜，实现光束的反射；正极调制电极和负极调制电极是调制电信号的施加与作用通道；本发明提供的电光相位调制器可以在不增加器件长度的前提下降低半波电压
调制电极光波导电光相位调制器高反射膜正极直线型沟槽负极电光晶体相位调制反射式调制电信号半波电压波导端面垂直设置电光效应改变材料内嵌结构平行设置作用通道有机物长条形环形器环行器集成化折射率减小反射施加应用

[发明专利]一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法-CN201510170072.5有效
发明人：林涛;张浩卿;孙航;郭恩民;孙锐娟 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器，激光器所用外延片结构由从下至上依次设置的衬底，缓冲层，下限制层，下波导层，量子阱和量子垒区，上波导层，上限制层和上欧姆接触层组成；基模半导体激光器结构的上欧姆接触层的上表面设置有脊型波导，脊型波导位于基模半导体激光器的纵向中心线上，脊型波导的两端均设置有非吸收窗口，非吸收窗口与激光器的出腔面重合，脊型波导的两侧还设置有隔离沟槽，非吸收窗口和隔离沟槽下量子阱中形成禁带宽度变宽的区域，本发明的利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器
一种利用量子混杂制作半导体激光器制作方法

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