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- [发明专利]硅基行波电极调制器及其制作方法-CN202010601740.6在审
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闫冬冬;李显尧
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苏州旭创科技有限公司
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2020-06-29
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2022-01-14
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G02F1/03
- 本申请公开了一种硅基行波电极调制器及其制作方法，该硅基电极调制器包括依次层叠的硅衬底、绝缘层和光波导层，以及设于所述光波导层上的行波电极；所述光波导层包括光波导和光波导两侧的掺杂接触区，所述行波电极通过导电过孔与所述掺杂接触区电连接；所述硅衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面临近所述绝缘层；所述硅衬底位于所述光波导下方的区域设有贯穿所述第一表面和第二表面的沟槽。在硅衬底位于光波导下方的位置设置沟槽，以减少调制器的微波损耗，可有效提高调制器的带宽；在沟槽内填充无损耗介质，以增强机械强度，提高调制器的可靠性、稳定性和产品良率。
- 行波电极调制器及其制作方法
- [发明专利]厚膜光波导及其制造方法-CN202010343495.3有效
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何来胜;朱继光;王琬箐
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联合微电子中心有限责任公司
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2020-04-27
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2022-08-05
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G02B6/136
- 本发明涉及一种厚膜波导的制造方法。所述厚膜光波导的制造方法包括如下步骤：提供一基底；进行多次循环步骤，形成沿垂直于所述衬底的方向排布的多个子波导层、以及沿垂直于所述衬底的方向排布、且覆盖于所述子波导层侧壁的多个子填充层；所述循环步骤包括：沉积一波导芯层于所述基底表面；刻蚀所述波导芯层，形成贯穿所述波导芯层的沟槽，残留的所述波导芯层作为一子波导层；形成子填充层于所述沟槽内，并以所述子填充层的表面和所述子波导层的表面共同作为下一次循环步骤的基底表面本发明克服了由于一次沉积较厚的波导芯层所引起的龟裂和翘曲等问题，并减小了波导传输损耗，有效改善了厚膜光波导的性能。
- 厚膜光波导及其制造方法
- [实用新型]Q波段毫米波功率放大器-CN201220744754.4有效
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张君;欧阳建伟;武永
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南京才华科技集团有限公司
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2012-12-31
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2013-07-10
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H03F3/20
- 波段毫米波功率放大器，包括驱动模块、驱动控制模块、功率分配器、功放模块和功率合成器；所述功放模块和功率合成器在同一屏蔽盒内；屏蔽盒内腔的截面形状为圆形，在屏蔽盒的内腔内装有金属圆盘；金属圆盘上开有多个沟槽作为波导，沟槽的数量与功放模块的数量相同；各个沟槽的长度方向与金属圆盘的半径方向相同，且它们关于金属圆盘的圆形成轴对称；每个沟槽内放置一个功放模块，功放模块的微波输出端朝向金属圆盘的圆心方向，功放模块的微波输入端背向金属圆盘的圆心方向；输出波导口位于金属圆盘的圆心位置；屏蔽盒上的与功放模块输入端位置对应处开波导口，功放模块的微波输入端通过波导与该波导口连接。
- 波段毫米波功率放大器
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