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[发明专利]晶体管制备方法及晶体管-CN202210097219.2在审
发明人：蒋其梦;王宇豪;黄森;王鑫华;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管制备方法，包括：提供一个叠层结构，所述叠层结构包括从下向上依次设置的基板、氮化镓沟道层、第一氮化铝膜层、氮化镓铝势垒层、第二氮化铝膜层、P型氮化镓膜层以及重掺杂P型氮化镓膜层；对所述叠层结构的第一区域刻蚀至氮化镓沟道层，并在所述氮化镓沟道层形成背栅电极；在所述叠层结构的第二区域形成间隔设置的源漏电极；对所述源漏电极之间的第三区域刻蚀至P型氮化镓膜层之内，并在所述刻蚀区域形成栅电极。本发明提供的晶体管制备方法及晶体管，能够通过背栅调制来实现栅下空穴的耗尽，从而完成对阈值电压的调制，避免对栅槽的深度刻蚀，提高栅下空穴的迁移率。
晶体管制备方法

[发明专利]基于刻蚀和定向外延的片内嵌入金刚石散热氮化镓晶体管及制备方法-CN201910546088.X在审
发明人：黄语恒;郭怀新;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-06-23 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于刻蚀和定向外延的片内嵌入金刚石散热氮化镓晶体管及制备方法，氮化镓晶体管自上而下包括有源区功能层、势垒层、缓冲层、衬底及散热区，散热区嵌入在衬底内，位于有源区功能层下方，紧邻热源区，通过ICP刻蚀工艺和外延定向生长金刚石厚膜形成，具有区域应力小和高的热输运能力特性，近而有效实现氮化镓晶体管的高效散热能力。本发明解决了大功率氮化镓器件有源区热积累，极大提高了器件最大输出功率。
氮化镓晶体管源区嵌入金刚石功能层散热区散热衬底刻蚀制备最大输出功率氮化镓器件金刚石厚膜定向生长高效散热能力特性有效实现缓冲层热积累热源区势垒层输运

[发明专利]一种p-GaN氮化镓基晶体管结构-CN202210994568.4在审
发明人：刘丹 -专利权人：晶通半导体（深圳）有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种p‑GaN氮化镓基晶体管结构，包括：衬底、缓冲层、GaN层及A l GaN层，在所述A l GaN层上还设有源极、漏极和p‑GaN帽层；所述p‑GaN帽层上设有栅极，所述p‑GaN帽层和所述栅极之间至少设有一层绝缘层通过在p‑GaN帽层与栅极之间增加了一层绝缘层，使得本发明提供的氮化镓基晶体管具有更高的导通电压与击穿电压，让该晶体管在工作时栅极和源极之间的工作电压即使发生波动也无法达到上述的导通电压与击穿电压，可以避免栅极和源极之间的击穿问题，提高晶体管工作时的稳定性，特别是氮化镓基晶体管中，可以避免由于击穿导致的不可逆的永久损坏。
一种 gan 氮化晶体管结构

[实用新型]一种p-GaN氮化镓基晶体管结构-CN202222196141.8有效
发明人：刘丹 -专利权人：晶通半导体（深圳）有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种p‑GaN氮化镓基晶体管结构，包括：衬底、缓冲层、GaN层及AlGaN层，在所述AlGaN层上还设有源极、漏极和p‑GaN帽层；所述p‑GaN帽层上设有栅极，所述p‑GaN帽层和所述栅极之间至少设有一层绝缘层通过在p‑GaN帽层与栅极之间增加了一层绝缘层，使得本实用新型提供的氮化镓基晶体管具有更高的导通电压与击穿电压，让该晶体管在工作时栅极和源极之间的工作电压即使发生波动也无法达到上述的导通电压与击穿电压，可以避免栅极和源极之间的击穿问题，提高晶体管工作时的稳定性，特别是氮化镓基晶体管中，可以避免由于击穿导致的不可逆的永久损坏。
一种 gan 氮化晶体管结构

[发明专利]一种用于AC/DC的氮化镓晶体管及其制造方法-CN202011569284.8在审
发明人：鲍通 -专利权人：令储（上海）科技发展有限公司
申请日： 2020-12-26 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于AC/DC的氮化镓晶体管，包括成核层和衬底层，成核层的底部设有衬底层，衬底层上设有流体散热结构，衬底层的底部固定安装有散热座，成核层的顶部设有导电缓冲层，导电缓冲层远离成核层的一侧设有漂移层，电子阻挡层远离导电缓冲层的一侧设有沟道层，沟道层远离电子阻挡层的一侧设有势垒层，势垒层顶部相对的两侧设有源极电极，有益效果：衬底层上设有流体散热结构，衬底层散热性能好，在下衬底层上安装有散热座，使得氮化镓晶体管整体具有散热结构，增加的流体散热结构和散热座，有效的改善氮化镓晶体管的散热性能，优化氮化镓晶体管的使用性能和使用寿命，降低成本。
一种用于 ac dc 氮化晶体管及其制造方法

[发明专利]模型参数的提取方法及装置、服务器和存储介质-CN202011527132.1在审
发明人：张万鑫;李翡 -专利权人：成都华大九天科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本公开提供了模型参数的提取方法及装置、服务器和存储介质，用于对氮化镓高电子迁移率晶体管的仿真模型进行模型参数的提取，所述方法包括：获取测试数据，测试数据为氮化镓高电子迁移率晶体管在一工作电压下经测试得到的漏极电流；通过fmincon函数从模型参数的多个候选取值中提取使对应仿真数据与测试数据一致的候选取值，并将提取到的候选取值确定为模型参数的目标取值；其中，仿真数据与候选取值一一对应，仿真数据为氮化镓高电子迁移率晶体管模型基于对应候选取值在工作电压下仿真得到的漏极电流本公开能够对氮化镓高电子迁移率晶体管的仿真模型进行模型参数的自动化快速提取。
模型参数提取方法装置服务器存储介质

[发明专利]一种氮化镓晶体管动态导通电阻测试电路及测试方法-CN202310834223.7在审
发明人：张魁伟;郭澄;于洋;石晓曼 -专利权人：北京海创微芯科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请实施例提供的一种氮化镓晶体管动态导通电阻测试电路及测试方法，涉及半导体技术领域，以解决目前的测试方法，存在测试环境一致性较低，测试结果的客观性和准确性较差的问题。该电路包括：第一电路，第一电路包括氮化镓晶体管；第二电路，第二电路包括氮化镓晶体管；电路切换单元，电路切换单元与第一电路和第二电路电连接，用于根据电路切换单元的切换状态形成对应的测试电路，在第一切换状态下，电路切换单元用于与第一电路电连接形成第一测试电路，在第二切换状态下，电路切换单元用于与第一电路和第二电路电连接形成第二测试电路，第一测试电路与第二测试电路用于测试氮化镓晶体管的动态导通电阻。
一种氮化晶体管动态通电测试电路方法

[发明专利]基于氮化镓高电子迁移率晶体管的室温太赫兹探测器及其制备方法-CN201610149334.4有效
发明人：侯皓文 -专利权人：侯皓文
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明涉及太赫兹信号探测领域，尤其涉及一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管的室温太赫兹探测器及其制备方法。该探测器包括氮化镓高电子迁移率晶体管，氮化镓高电子迁移率晶体管设有源极、栅极和漏极，还包括一纳米天线，纳米天线位于氮化镓高电子迁移率晶体管的源极和漏极之间、栅极一侧且与栅极之间间隔一定距离；栅极在与纳米天线相邻的一侧设有与纳米天线相对应形状和间隔的突起阵列
基于氮化电子迁移率晶体管室温赫兹探测器及其制备方法

[发明专利]一种源端场板高电子迁移率晶体管-CN201310611822.9在审
发明人：唐武;王云波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明解决了现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管沟道电场分布不均匀的问题，提供了一种源端场板高电子迁移率晶体管，其技术方案可概括为：一种源端场板高电子迁移率晶体管，与现有技术区别在于，其势垒层为：AlGaN第一势垒层及AlGaN第二势垒层，AlGaN第二势垒层上还具有氮化镓盖帽层及氮化硅钝化层，氮化镓盖帽层上设置源极金属、漏极金属及栅极金属，氮化硅钝化层设置在氮化镓盖帽层上，源极金属及漏极金属之间，所述氮化硅钝化层上靠近源极金属位置设置有源端场板本发明的有益效果是，击穿电压更大，提高了输出功率，适用于高电子迁移率晶体管。
一种源端场板高电子迁移率晶体管

[发明专利]具有降低的输出电容的氮化镓器件及其制法-CN201480042237.4有效
发明人：斯蒂芬·L·克林诺;曹建军;罗伯特·比奇;亚历山大·利道;阿兰娜·纳卡塔;赵广元;马艳萍;罗伯特·斯特里特马特;迈克尔·A·德·罗吉;周春华;塞沙德里·科卢里;刘芳昌;蒋明坤;曹佳丽;阿古斯·裘哈尔 -专利权人：宜普电源转换公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有降低的输出电容的氮化镓晶体管及其制造方法。该氮化镓晶体管器件包括衬底层、配置在衬底层上的一个或多个缓冲层、配置在缓冲层上的阻挡层、及形成于阻挡层与缓冲层间的界面的二维电子气(2DEG)。该氮化镓晶体管包括一个或多个隔离区，其形成在至少一个缓冲层与阻挡层之间的界面的一部分中，以移除2DEG，从而降低氮化镓器件的输出电容Coss。
阻挡层缓冲层氮化镓晶体管输出电容氮化镓器件栅极电极配置衬底层二维电子气隔离区介电层移除制法制造

[发明专利]基于单片异质集成的Cascode结构GaN高电子迁移率晶体管及制作方法-CN201910024910.6有效
发明人：张春福;张苇杭;张家祺;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了基于单片异质集成的Cascode结构氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有Cascode结构氮化镓高电子迁移率晶体管不能单片集成的问题。其包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、Si有源层(4)，该AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽，用于对GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管进行电气隔离；Si有源层(4)印制到隔离槽一侧的AlGaN势垒层(3)的上面，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。
基于单片集成 cascode 结构 gan 电子迁移率晶体管制作方法

[发明专利]基于键合的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法-CN201910860761.7有效
发明人：张春福;张家祺;武毅畅;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了基于键合的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，主要解决现有Cascode氮化镓高电子迁移率晶体管不能大面积单片集成的问题。其自上而下包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)，该AlGaN势垒层(3)的中间刻有隔离槽(4)，用于对GaN高电子迁移率晶体管和Si金属氧化物半导体场效应晶体管进行电气隔离；Si有源层(5)印制到隔离槽一侧的AlGaN势垒层(3)上面，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。
基于单片集成 cascode 氮化迁移率晶体管制作方法

[实用新型]智能功率模块及空调器-CN201820585280.0有效
发明人：李媛媛;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开一种智能功率模块及空调器，该智能功率模块包括：安装载体；设置于安装载体上的功率驱动器、氮化镓晶体管及滤波电路；功率驱动器的输出端与滤波电路的输入端电连接，滤波电路的输出端与氮化镓晶体管的受控端电连接，功率驱动器的接地端与氮化镓晶体管的源极电连接。
氮化镓晶体管智能功率模块功率驱动器滤波电路本实用新型安装载体电连接输出端空调器驱动器输入端电连接寄生电感开关损耗接地端受控端焊线源极振铃封装引入

[发明专利]具有氮化镓结构的电阻器、电阻晶体管逻辑电路及其制法-CN202010993249.2在审
发明人：李国兴;薛胜元;吴建良;叶德炜;陈怡君 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开一种具有氮化镓结构的电阻器、电阻晶体管逻辑电路及其制法，电阻晶体管逻辑电路包含氮化镓层；氮化铝镓阻障层位于该氮化镓层上；多条p型掺杂氮化镓覆盖层位于氮化铝镓阻障层上，高、低压元件区中部分p型掺杂氮化镓覆盖层使得其下方的氮化镓层变为栅极空乏区，电阻区中未被p型掺杂氮化镓覆盖层覆盖的氮化镓层作为二维电子气电阻器；多个第一栅极，其中每个形成在高压元件区中的一条p型掺杂氮化镓覆盖层上；多个第一源极与多个第一漏极，形成在高压元件区中的氮化镓层上；多个第二栅极，其中每个形成在低压元件区中的一条p型掺杂氮化镓覆盖层上；多个第二源极与多个第二漏极，形成在低压元件区中的该氮化镓层上。
具有氮化结构电阻器电阻晶体管逻辑电路及其制法

[发明专利]氮化镓驱动器件及其封装方法、氮化镓驱动模块-CN202310341091.4在审
发明人：傅玥;刘欢;孔令涛 -专利权人：南京芯干线科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓驱动器件及其封装方法、氮化镓驱动模块，所述氮化镓驱动器件包括安装载板和功率组件；所述安装载板包括第一表面和背离所述第一表面的第二表面，所述第二表面的全部区域设置为散热层，所述散热层的材质设置为金属；所述功率组件包括氮化镓晶体管和控制所述氮化镓晶体管的驱动电路；所述功率组件紧贴设置于所述第一表面；本发明通过金属散热层实现表面散热，并进行模块化氮化镓器件的驱动；相较于现有的表面贴氮化镓器件增大散热面积
氮化驱动器件及其封装方法模块

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