钻瓜专利网为您找到相关结果
12 个，建议您
升级VIP 下载更多相关专利
[发明专利] 反向阻断高迁移率晶体管 -CN202111518536.9 有效
发明人：
刘丹
- 专利权人：
晶通半导体（深圳）有限公司
申请日：
2021-12-13
-
公布日：
2023-05-26
-
主分类号：
H01L29/06 文献下载
摘要： 本发明公开了一种反向阻断高迁移率晶体管，包括自下而上依次为衬底层、以及设置在所述衬底层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，所述异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、肖特基接触层；源电极、栅电极分别制备在所述源极金属结构层、栅极金属结构层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层之间设置有若干P型半导体层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层环绕所述P型半导体层之间形成肖特基接触，漏电极制备在所述P型半导体层与所述肖特基接触层的接触面。漏电极的图案化P型半导体区域形成结势垒，以分配高阻断电压和低泄漏电流的电场，从而在单一器件实现晶体管的反向电压阻断能力。反向 阻断 迁移率 晶体管
[发明专利] P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管 -CN202210393627.2 有效
发明人：
刘丹
- 专利权人：
晶通半导体（深圳）有限公司
申请日：
2022-04-15
-
公布日：
2023-05-05
-
主分类号：
H01L29/06 文献下载
摘要： 本发明公开了一种P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，包括自下而上依次为衬底层、缓冲层，以及设置在缓冲层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、N型欧姆接触层；源电极、栅电极分别制备在源极金属结构层、栅极金属结构层，N型欧姆接触层与异质结结构层之间设置有若干相互独立分离的P型半导体层，漏电极制备在P型半导体层与N型欧姆接触层的接触面。本申请通过漏电极的图案化P型半导体区域与N型欧姆接触层之间形成P型混合欧姆接触，在漏点极加入P型半导体区域注入空穴，降低氮化镓晶体管的动态导通电阻。混合 欧姆 接触 氮化 晶体管
[发明专利] 结势垒肖特基二极管 -CN202111517428.X 有效
发明人：
刘丹
- 专利权人：
晶通半导体（深圳）有限公司
申请日：
2021-12-13
-
公布日：
2023-04-11
-
主分类号：
H01L29/872 文献下载
摘要： 本发明公开了一种结势垒肖特基二极管，包括自下而上依次为衬底层、以及设置在所述衬底层上含有一个或多个二维电子气沟道的异质结结构层，所述异质结结构层上设置有相互分离的肖特基接触层、第一欧姆接触层；所述第一欧姆接触层上制备阴极，所述肖特基接触层与所述异质结结构层之间设置有多个复合势垒层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层在所述复合势垒层之间形成肖特基接触，在所述复合势垒层与所述肖特基接触层对应的上表面制备阳极。使用图案化P‑GaN区域形成结势垒，以分配高阻断电压和低泄漏电流的电场，在保持高开关速度、低动态损耗、低导通损耗、高输出功率密度的同时，实现高阻断电压、低泄漏电流，结构简单且易于实现。结势垒肖特基 二极管
[发明专利] 肖特基二极管 -CN202211170574.4 有效
发明人：
刘丹
- 专利权人：
晶通半导体（深圳）有限公司
申请日：
2022-09-26
-
公布日：
2023-03-28
-
主分类号：
H01L29/872 文献下载
摘要： 本发明的实施例公开了一种肖特基二极管，属于半导体技术领域。本发明保护一种肖特基二极管，包括：衬底和依次形成于所述衬底上的第一沟道层和第一势垒层；刻蚀所述第一势垒层至所述第一沟道层的内部形成缺口，所述缺口具有底面和一个侧壁，所述底面为所述第一沟道层；在所述第一势垒层上、所述侧壁和所述底面上形成第二沟道层；分别刻蚀所述第二沟道层形成第一凹槽和第二凹槽，在所述第一凹槽内填充形成阴极，在所述第二凹槽内填充形成阳极。本发明通过设置第二沟道层，使被刻蚀的第一沟道层的表面填充了第二沟道层，修补了晶格缺陷，减小了刻蚀对第一沟道层的影响，减少了界面态，减小了阴极到阳极的漏电电流。肖特基 二极管
[发明专利] 高电子迁移率晶体管 -CN202211170579.7 有效
发明人：
刘丹
- 专利权人：
晶通半导体（深圳）有限公司
申请日：
2022-09-26
-
公布日：
2023-01-10
-
主分类号：
H01L29/778 文献下载
摘要： 本发明的实施例公开了一种高电子迁移率晶体管，属于半导体技术领域。本发明保护的高电子迁移率晶体管，包括：衬底和依次形成于所述衬底上的第一沟道层和第一势垒层。刻蚀形成第一凹槽，所述第一凹槽具有底面和侧壁。在所述第一势垒层上、所述侧壁和所述底面上形成第二沟道层。分别刻蚀所述第二沟道层形成第二凹槽和第三凹槽，填充第二凹槽和第三凹槽形成源极和漏极，在所述第一凹槽内填充形成栅极。本发明通过设置第二沟道层，使被刻蚀的第一沟道层的表面填充了第二沟道层，减小了刻蚀对第一沟道层的影响，同时，新增加的第二沟道层增加了源极到漏极的电子迁移通道，提升了电子迁移率。电子 迁移率 晶体管
[实用新型] 一种p-GaN氮化镓基晶体管结构 -CN202222196141.8 有效
发明人：
刘丹
- 专利权人：
晶通半导体（深圳）有限公司
申请日：
2022-08-18
-
公布日：
2022-12-09
-
主分类号：
H01L29/06 文献下载
摘要： 本实用新型公开了一种p‑GaN氮化镓基晶体管结构，包括：衬底、缓冲层、GaN层及AlGaN层，在所述AlGaN层上还设有源极、漏极和p‑GaN帽层；所述p‑GaN帽层上设有栅极，所述p‑GaN帽层和所述栅极之间至少设有一层绝缘层。通过在p‑GaN帽层与栅极之间增加了一层绝缘层，使得本实用新型提供的氮化镓基晶体管具有更高的导通电压与击穿电压，让该晶体管在工作时栅极和源极之间的工作电压即使发生波动也无法达到上述的导通电压与击穿电压，可以避免栅极和源极之间的击穿问题，提高晶体管工作时的稳定性，特别是氮化镓基晶体管中，可以避免由于击穿导致的不可逆的永久损坏。一种 gan 氮化 晶体管 结构
[发明专利] 一种p-GaN氮化镓基晶体管结构 -CN202210994568.4 在审
发明人：
刘丹
- 专利权人：
晶通半导体（深圳）有限公司
申请日：
2022-08-18
-
公布日：
2022-10-11
-
主分类号：
H01L29/06 文献下载
摘要： 本发明公开了一种p‑GaN氮化镓基晶体管结构，包括：衬底、缓冲层、GaN层及A l GaN层，在所述A l GaN层上还设有源极、漏极和p‑GaN帽层；所述p‑GaN帽层上设有栅极，所述p‑GaN帽层和所述栅极之间至少设有一层绝缘层。通过在p‑GaN帽层与栅极之间增加了一层绝缘层，使得本发明提供的氮化镓基晶体管具有更高的导通电压与击穿电压，让该晶体管在工作时栅极和源极之间的工作电压即使发生波动也无法达到上述的导通电压与击穿电压，可以避免栅极和源极之间的击穿问题，提高晶体管工作时的稳定性，特别是氮化镓基晶体管中，可以避免由于击穿导致的不可逆的永久损坏。一种 gan 氮化 晶体管 结构
[发明专利] 一种单片集成分压器的氮化镓器件 -CN202211075943.1 在审
发明人：
刘丹
- 专利权人：
晶通半导体（深圳）有限公司
申请日：
2022-09-05
-
公布日：
2022-10-11
-
主分类号：
H01L27/06 文献下载
摘要： 本发明公开了一种单片集成分压器的氮化镓器件，包括氮化镓晶体管及分压器，氮化镓晶体管与分压器单片集成。本发明提供的氮化镓器件与分压器单片集成，使得该器件能够实现对源极和漏极之间电压的准确检测，当面对温度变化时，分压器内的多块同质电阻之间的电阻比值不变，故分压器的分压系数不会受到温度变化的影响，进一步提高了对源极和漏极之间电压的准确检测，避免器件击穿损坏。通过单片集成分压器的方式，可以有效减少电阻与氮化镓器件之间的导线长度，减少寄生，降低延迟，对比于现有直接加装外部电阻的方案，本方案的电阻体积极小，成本极低，能够在确保整个氮化镓器件体积变化极小的情况下，保证整个氮化镓器件体积维持原有较小体积。一种 单片 集成 分压器 氮化 器件
[发明专利] 氮化镓肖特基二极管 -CN202210393546.2 在审
发明人：
刘丹
- 专利权人：
晶通半导体（深圳）有限公司
申请日：
2022-04-15
-
公布日：
2022-08-05
-
主分类号：
H01L29/06 文献下载
摘要： 本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管，包括自下而上依次为衬底层、缓冲层以及设置在所述缓冲层上含有一个或多个二维电子气沟道的异质结结构层，所述异质结结构层上设置有相互分离的肖特基接触层、第一欧姆接触层；所述第一欧姆接触层上制备阴极，所述肖特基接触层与所述异质结结构层之间设置有若干离子注入区域，所述肖特基接触层与所述异质结结构层环绕所述离子注入区域之间形成肖特基接触，在所述离子注入区域与所述肖特基接触层接触面制备阳极。使用图案化离子注入区域，以分配反向电场实现高阻断电压和低泄漏电流，在保持高开关速度、低动态损耗、低导通损耗、高输出功率密度的同时，实现高阻断电压、低泄漏电流，结构简单且易于实现。氮化 镓肖特基 二极管
[发明专利] 氮化镓反向阻断晶体管 -CN202210393534.X 在审
发明人：
刘丹
- 专利权人：
晶通半导体（深圳）有限公司
申请日：
2022-04-15
-
公布日：
2022-07-29
-
主分类号：
H01L29/06 文献下载
摘要： 本发明公开了一种氮化镓反向阻断晶体管，包括自下而上依次为衬底层、缓冲层以及设置在所述缓冲层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，所述异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、肖特基接触层；源电极、栅电极分别制备在所述源极金属结构层、栅极金属结构层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层之间设置有若干离子注入区域，所述肖特基接触层与所述异质结结构层环绕所述离子注入区域之间形成肖特基接触，漏电极制备在所述离子注入区域与所述肖特基接触层的接触面。通过漏电极的图案化离子注入区域以分配反向电场实现高阻断电压和低泄漏电流，从而在单一器件实现晶体管的反向电压阻断能力。氮化 反向 阻断 晶体管
[发明专利] 氮化镓反向导通晶体管 -CN202210394177.9 在审
发明人：
刘丹
- 专利权人：
晶通半导体（深圳）有限公司
申请日：
2022-04-15
-
公布日：
2022-07-29
-
主分类号：
H01L29/06 文献下载
摘要： 本发明公开了一种氮化镓反向导通晶体管，包括自下而上依次为衬底层、缓冲层以及设置在缓冲层上含有一个或多个二维电子气沟道的异质结结构层，异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、漏极金属结构层、肖特基接触层；源电极、栅电极、漏电极分别制备在源极金属结构层、栅极金属结构层、漏极金属结构层，肖特基接触层与异质结结构层之间形成有若干离子注入区域，肖特基接触层与异质结结构层环绕离子注入区域之间形成肖特基接触，肖特基接触层与源极金属结构层连接。使用图案化离子注入区域以分配反向电场实现高阻断电压和低泄漏电流，从而使得单一器件具有高反向导电能力和低反向导电压降能力。氮化 向导 晶体管
[发明专利] 反向导通高迁移率晶体管 -CN202111517585.0 在审
发明人：
刘丹
- 专利权人：
晶通半导体（深圳）有限公司
申请日：
2021-12-13
-
公布日：
2022-04-26
-
主分类号：
H01L29/06 文献下载
摘要： 本发明公开了一种反向导通高迁移率晶体管，包括自下而上依次为衬底层、以及设置在衬底层上含有一个或多个二维电子气沟道的异质结结构层，异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、漏极金属结构层、肖特基接触层；源电极、栅电极、漏电极分别制备在源极金属结构层、栅极金属结构层、漏极金属结构层，肖特基接触层与异质结结构层之间设置有若干P型半导体层，肖特基接触层与异质结结构层环绕P型半导体层之间形成肖特基接触，肖特基接触层与源极金属结构层连接。源电极与肖特基接触层连接，图案化P型半导体区域形成结势垒，以分配高阻断电压和低泄漏电流的电场，从而使得单一器件具有高反向导电能力和低反向导电压降能力。向导 迁移率 晶体管
