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[发明专利]一种具有抗单粒子辐照能力的VDMOS器件-CN201710682472.3有效
发明人：李泽宏;林育赐;谢驰;罗蕾;李佳驹;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有抗单粒子辐照能力的VDMOS器件，属于功率器件技术领域。本发明在传统VDMOS器件中形成具有不同禁带宽度的漂移区，单粒子辐照时，不同禁带宽度漂移区之间形成空穴的势阱，在势阱的作用下，改变了单粒子辐照产生空穴的路径，进而避免了传统器件空穴经由N⁺源区下方的P型体区致使寄生晶闸管开启的缺陷，从而提高了器件的抗单粒子辐照能力，从而提高了器件的抗单粒子辐照能力；同时本发明采用分立栅结构在降低密勒电容的同时也显著降低单粒子栅穿的概率。
一种具有粒子辐照能力 vdmos 器件

[发明专利]一种改善碳化硅肖特基二极管抗单粒子效应能力的方法-CN202310787715.5在审
发明人：刘翠翠;郭刚;史慧琳;张付强;刘建成 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善碳化硅肖特基二极管抗单粒子效应能力的方法，属于半导体材料技术领域，该方法包括：S1、将待辐照SiC JBS器件分组，将同型号器件固定在多自由度样品运动控制平台上；S2、对样品辐照靶室抽真空；S3、改变加速器质子束流参数，开展不同辐照条件下的验证实验，确定改善SiC JBS器件抗单粒子效应能力的最优参数；S4、重复步骤S1‑S3，获得改善不同型号器件抗单粒子效应能力的最优参数；S5、针对某个型号器件，设置与之匹配的最优加速器质子束流参数，开展批量化辐照；S6、辐照结束后对器件进行室温退火，最后进行电学性能测试和抗单粒子效应能力验证。本发明提供的方法能够快速批量完成SiC JBS半封装器件、裸片以及晶圆的抗单粒子效应能力改善。
一种改善碳化硅肖特基二极管粒子效应能力方法

[实用新型]一种新型塑料封装的抗辐照材料结构-CN202121967358.3有效
发明人：李守委;颜炎洪;徐衡;谢永亮;陈鹏;沈雄 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型塑料封装的抗辐照材料结构，涉及抗辐照材料相关技术领域，包括新型塑料封装的抗辐照封基板，新型塑料封装的抗辐照封基板顶端中部安装有半导体芯片，半导体芯片两侧连接有键合丝，半导体芯片与新型塑料封装的抗辐照封基板之间设置有粘结材料，新型塑料封装的抗辐照封基板顶部设置有复合包封料，通过以上各装置之间的配合使用可以使得包封料在保证其物理性能的同时，可以加固塑封基板、包封料内部有机聚合物的抗辐照性能，提升封装料的抗辐照能力，有效防止封装体在长期遇到冲击后发生损坏，从而使得封装体的抗辐射性能和整体强度大大提升。
一种新型塑料封装辐照材料结构

[发明专利]光学薄膜抗重复频率激光损伤特性的评价方法-CN200910048695.X有效
发明人：张东;贺洪波;赵元安;夏燏 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2009-04-01 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：一种光学薄膜抗重复频率激光损伤特性的评价方法，该方法是用具有一定能量密度的一串序列激光脉冲辐照待测薄膜样品的不同测试点，确定并记录每个测试点的损伤状态，计算出该能量密度下的弱损伤几率；多次改变激光的能量密度辐照待测薄膜样品的不同测试点，确定并记录各测试点的损伤状态，分别计算每个能量密度下的弱损伤几率；以能量密度和弱损伤几率分别为横坐标和纵坐标制作弱损伤几率随激光能量密度的变化曲线，用该几率曲线的损伤几率峰值所对应的能量密度来评价该光学薄膜抗重复频率激光损伤的特性该能量密度越大，光学薄膜抗重复频率激光损伤的特性就越好。本发明使评价光学薄膜产品抗重复频率激光损伤特性的方法更加简单和实用。
光学薄膜重复频率激光损伤特性评价方法

[发明专利]一种核燃料包壳涂层及其制备方法-CN202010715321.5有效
发明人：陈琳;罗军;庞盼;金小越;包放;廖斌;张旭;吴先映;英敏菊 -专利权人：北京市辐射中心
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供的核燃料包壳涂层包括核燃料包壳和位于核燃料包壳表面至少一组层叠的复合涂层；每组复合涂层由内至外依次包括抗腐蚀抗氧化金属层、抗辐照过渡层和抗辐照非晶纳米晶层。本发明所述抗腐蚀抗氧化金属层不仅可以释放涂层中的内应力、提高与核燃料包壳的结合力，还可以在900℃以上的蒸汽条件下抗高温氧化并耐反应堆冷却水的腐蚀；所述抗辐照过渡层可以减少内应力的累积，并且同时具有抗辐照、抗腐蚀的性能；所述抗辐照非晶纳米晶层具有高硬度，且其可以直接吸收辐照产生的缺陷和损伤，从而减少辐照对包壳材料造成的影响。
一种核燃料涂层及其制备方法

[发明专利]一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法-CN202110596613.6在审
发明人：周舒婷;王磊;谢鑫 -专利权人：四川省星时代智能卫星科技有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明涉及一种卫星芯片抗辐照封装结构及其制作方法，封装结构包括电路板、安装在电路板上的芯片以及安装在芯片外表面上的抗辐照部件，进而使得封装结构具有抗辐照能力。此外，通过室温硅橡胶以灌封的形式将芯片以及抗辐照部件密封在电路板上。由于灌封后，电路板、芯片以及抗辐照部件三者之外的其他缝隙均被室温硅橡胶填充满，待室温硅橡胶固化后，从而将电路板、芯片以及抗辐照部件三者密封在硅橡胶中。可以保证封装结构的内部结构更加稳定，从而降低三者之间发生相对位移的概率，进而确保抗辐照部件起到较好的抗辐照作用。因此，采用本方案，不但可以使得芯片具有较强的抗辐照性能，还能有效节约成本。
一种卫星芯片辐照封装结构及其制作方法

[发明专利]一种改进SOI结构抗辐照性能的方法-CN201110418276.8有效
发明人：吕荫学;毕津顺;罗家俊;韩郑生;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种改进SOI结构抗辐照性能的方法，该方法包括以下步骤：对所述SOI结构进行质子、中子和γ射线等高能粒子注入，并执行退火操作。本发明通过利用高能粒子注入在埋氧层中引入位移损伤，以此来提高SOI结构抗辐照的性能。
一种改进 soi 结构辐照性能方法

[发明专利]一种抗辐照加固单光子探测器及其制备方法-CN202210989618.X有效
发明人：郭霞;刘巧莉;胡安琪;张世凤;许莉;任艳玲;蔡子昱;王涛;张明;陈力;廖建新 -专利权人：北京邮电大学;无锡中微晶园电子有限公司;北京中盾安民分析技术有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种抗辐照加固单光子探测器及其制备方法，抗辐照加固单光子探测器包括衬底、钝化层、雪崩层、补偿层、第一欧姆接触复合层和第二欧姆接触复合层；第二欧姆接触复合层、衬底和钝化层依次层叠设置，第一欧姆接触复合层包括第一接触电极和第一欧姆接触层雪崩层与第一欧姆接触层朝向第二欧姆接触复合层的一面连接；第一接触电极与钝化层同层设置，且第一接触电极与第一欧姆接触层连接；补偿层位于衬底内，补偿层背离第二欧姆接触复合层的一面与钝化层接触，补偿层用于预补偿辐照损伤在衬底中感应的电荷本发明的抗辐照加固单光子探测器结构简单、抗辐照损伤效果明显。
一种辐照加固光子探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法-CN201410136054.0有效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;肖景东;何世禹 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法，涉及双极器件抗辐照技术领域。解决了双极器件的钝化层中，由于氧化物俘获正电荷和界面态的影响，导致双极器件的抗辐照能力低的问题。所述抗辐照加固方法包括以下步骤步骤一、采用传统工艺制备双极晶体管，并在双极晶体管上形成第一钝化层；步骤二、第一钝化层形成后，采用低压化学气相淀积法在第一钝化层上生长第二钝化层；步骤三、对第二钝化层进行离子注入本发明适用于提高双极器件抗辐照能力。
一种基于第二钝化方式器件辐照加固方法

[发明专利]一种金刚石半导体反冲质子望远镜-CN201710432465.8有效
发明人：吴宜灿;刘超;李雅男;李桃生;蒋洁琼 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G01T1/16 文献下载
摘要：本申请公开一种金刚石半导体反冲质子望远镜，包括穿透型探测器和全耗尽探测器，其中，所述全耗尽探测器采用金刚石探测器，由于金刚石探测器具有抗辐照能力强的特点，在中子流强较高时，能够具有较好的抗辐照能力；而且对于中子能量较高时由于本发明提供的金刚石半导体反冲质子望远镜的抗辐照能力更强，可以避免使用屏蔽体对辐照进行屏蔽，从而相对于现有技术中抗辐照能力较差的反冲质子望远镜而言，本发明提供的反冲质子望远镜的结构更加简单。
一种金刚石半导体反冲质子望远镜

[发明专利]Furfurman在制备卵巢抗辐射药物或治疗卵巢电离辐射损伤药物中的用途-CN202310496253.1在审
发明人：余意可;蔡圣芸;徐明娟;夏蕾蕾;陆胜莲;刘胜楠;闻笔伟;李本栋;林钒 -专利权人：中国人民解放军海军军医大学第一附属医院
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： A61K31/7024 文献下载
摘要：本发明涉及Furfurman在制备卵巢抗辐射药物或治疗卵巢电离辐射损伤药物中的应用。本发明得到的一种靶向Dectin‑2受体的潜在卵巢辐射防护剂Furfurman，将其用于动物模型实验，结果发现可以改善辐照小鼠的动情周期紊乱、增加辐照小鼠的卵巢器官系数以及改善辐照引起的小鼠卵巢激素水平紊乱，证实了Furfurman可减轻辐射诱导的卵巢组织损伤，为减轻卵巢的辐射损伤防护带来了新希望。
furfurman 制备卵巢辐射药物治疗电离辐射损伤中的用途

[发明专利]一种经济的增强室内养殖幼鱼抗应激能力的物理方法-CN201711338377.8在审
发明人：郑家浪 -专利权人：浙江海洋大学
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： A01K61/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种经济的增强室内养殖幼鱼抗应激能力的物理方法，该方法以蓝色LED对幼鱼进行辐照处理，提高了幼鱼肝脏中过氧化氢酶与超氧化物歧化酶的活性，能够有效地清除机体应激所产生的过多的活性氧，增强幼鱼的抗应激能力，保护细胞免受氧化损伤；该方法无需添加抗氧化剂和水体改良剂，避免了水体的二次污染，同时也没有采用混养模式，避免了鱼类的种群竞争。
幼鱼抗应激能力室内养殖超氧化物歧化酶添加抗氧化剂过氧化氢酶水体改良剂二次污染辐照处理氧化损伤蓝色LED 活性氧有效地混养应激肝脏鱼类水体种群细胞

[发明专利]一种利用梯度结构筛选耐辐照损伤材料的方法-CN201910662035.4有效
发明人：沙刚;薛晶;胡蓉;陈汉 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明属于材料抗辐照损伤领域，特别是一种利用梯度结构筛选耐辐照损伤材料的方法。包括如下步骤：步骤(1)：制备梯度结构材料；步骤(2)：对梯度结构材料具有不同晶粒尺寸的表面进行辐照实验；步骤(3)：对辐照后的材料，在不同晶粒尺寸大小的区域，利用纳米压痕和汇聚离子束对不同晶粒尺寸区域的样品进行力学性能测试及微观组织结构表征样品的自动制备本发明通过这种方法可以实现在一块样品上制造出不同的晶粒尺寸,之后再进行辐照实验,从而可以减少研究不同晶粒大小对于辐照损伤影响所需样品数量,同时提高在进行微观结构表征的制备样品的效率，提高筛选耐辐照损伤材料的效率
一种利用梯度结构筛选辐照损伤材料方法

[发明专利]具有极紫外光谱纯度和抗辐照损伤的多层膜-CN201510190363.0无效
发明人：喻波;王珣;姚舜;靳京城 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2015-04-21 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有极紫外光谱纯度和抗辐照损伤的多层膜，属于极紫外光刻技术领域。解决了现有技术中极紫外多层膜在带外波段的反射率比较高，在高能量激光辐照下，极紫外波段的反射率严重下降的技术问题。本发明的多层膜从下至上依次包括基底、周期层、第一光谱纯化层、第一Mo层、第二光谱纯化层和抗辐照损伤层，其中，周期层的周期个数为40-60，每个周期由从下至上依次排列的Si层、第二Mo层组成，第一光谱纯化层与第二光谱纯化层的材料分别为C、SiC或Si₃N₄，抗辐照损伤层的材料为TiN或SiO₂。
具有紫外光谱纯度辐照损伤多层

[发明专利]双极器件异种辐照源电离损伤等效评价试验方法-CN201810135807.4有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：双极器件异种辐照源电离损伤等效评价试验方法，涉及材料和器件的辐照试验，属于核科学与技术领域，为了实现对不同类型粒子辐照条件下双极晶体管的性能退化特征的预测。本发明基于一种辐照源建立性能退化模型等效模拟其他辐照源辐射损伤的地面等效模拟试验方法，其应用对象包括双极晶体管及其他类型的双极工艺器件；仅通过选择某一特定种能量和种类的带电粒子，在合适的辐照通量条件下进行辐照试验，就可建立双极器件性能退化模型；结合Monte Carlo方法计算分析其他类型辐照源的损伤能力，即可将不同类型辐照源的辐射损伤进行归一化，达到预测在轨性能退化的目的。有益效果为准确地预测双极晶体管在轨电离损伤性能退化规律，步骤简单，易于操作。
器件辐照电离损伤等效评价试验方法