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[实用新型]抗滞回损伤压溃的钢筋混凝土框架柱-CN201420350211.3有效
发明人：黄庆丰 -专利权人：华侨大学
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： E04C3/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗滞回损伤压溃的钢筋混凝土框架柱，包括框架柱，该框架柱至少在其上下两端头处内置有可侧滑的抗压模块，以在框架柱滞回损伤区传递轴压力，并阻断框架柱滞回损伤与框架柱抗压承载能力下降的耦合作用本实用新型采用至少在框架柱的上下端头处内置可侧滑的抗压模块，与混凝土浇注一体形成组合柱，可以提高框架柱的抗滞回损伤压溃能力、滞回变形能力和滞回耗能能力，及提高框架结构的抗地震倒塌能力。
抗滞回损伤钢筋混凝土框架

[实用新型]光伏系统用铝合金导体直流软电缆-CN201520655720.1有效
发明人：于贵良;赵岩;张晓欢 -专利权人：河北欣意电缆有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01B7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光伏系统用铝合金导体直流软电缆，其包括稀土高铁铝合金导体、辐照交联聚烯烃绝缘层和辐照交联聚烯烃护套层；所述辐照交联聚烯烃绝缘层设置在稀土高铁铝合金导体的外部，所述辐照交联聚烯烃护套层设置在辐照交联聚烯烃绝缘层的外部；稀土高铁铝合金导体自承重能力更强，具有优异的弯曲性能、拉伸性能、抗蠕变性能，辐照交联聚烯烃绝缘层和辐照交联聚烯烃护套层除具有优良的电绝缘性之外，还具有耐温等级高、耐磨、耐应力开裂、耐压碎，耐溶剂的特性
系统铝合金导体直流电缆

[发明专利]一种功率器件结终端结构-CN201410787496.1在审
发明人：陈万军;古云飞;刘超;程武;李震洋;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术领域，特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。并且环上方两侧均存在多晶硅场板，由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异，因而两侧多晶硅场板在纵向上存在高度差，该交错形成的多晶硅场板结构与其下方场氧化层结构形成了具有电容作用的结构，重新分布削弱了由于总剂量辐照在右侧场板下方的电场形成的叠加作用，故而使得结终端在总剂量辐照后的耐压能力有一定提高。本发明在不增加结终端面积的前提下，提高了器件抗总剂量辐照能力，使得由于辐照引起的耐压下降减少，满足在大功率以及复杂环境应用下的需求。本发明尤其适用于功率半导体器件。
一种功率器件终端结构

[发明专利]一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法-CN201811347645.7有效
发明人：吕贺;李鹏伟;孙明;张洪伟;梅博;于庆奎;李兴冀;杨剑群 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种低剂量率辐照损伤增强效应判定方法，包括步骤：1)获得所述待测试对象辐照前的电参数测试结果；2)制作成多个辐照试验线路板，分别进行不同剂量率、不同偏置的电离辐照试验，获得多个辐照剂量点的电参数测试结果；3)确定所述待测试对象的电参数退化量的比值和待测试对象的电参数退化可靠性影响因子；4)根据电参数退化量的比值和电参数退化可靠性影响因子，判定所述待测试对象是否具有低剂量率辐照损伤增强效应。本发明通过分别进行高低剂量率辐照试验，获得高低剂量率的对比数据，考虑元器件参数退化因子及低剂量率辐射损伤增强因子的大小，获得宇航用元器件是否具有低剂量率辐照损伤增强效应的评判结果。
一种剂量率辐照损伤增强效应判定方法

[发明专利]一种闪烁晶体阵列抗辐照加固结构及抗辐照加固方法-CN202110484301.6在审
发明人：王强;丁雨憧;屈菁菁;王璐;赵静 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪烁晶体阵列抗辐照加固结构，在闪烁晶体阵列外表面包覆有中子吸收层，中子吸收层将闪烁晶体阵列除出光面的其余面包覆，在中子吸收层外表面包覆有中子慢化层，中子慢化层将中子吸收层外表面包覆；并公开了闪烁晶体阵列抗辐照加固方法，该方法从闪烁晶体阵列中子的屏蔽、闪烁晶体阵列中晶条抗X/γ辐照加固、闪烁晶体阵列中反射层材料抗X/γ辐照加固三方面对闪烁晶体阵列进行抗辐照加固，可实现抗X/γ累计辐射剂量≥104Gy，抗中子辐照通量≥106/cm2，辐照剂量范围内光输出、能量分辨率、衰减时间、透过率降低值＜5%
一种闪烁晶体阵列辐照加固结构方法

[发明专利]一种陶瓷、塑料封装的抗辐照结构-CN202110037418.X在审
发明人：李守委;黄彦 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开一种陶瓷、塑料封装的抗辐照结构，属于集成电路封装领域。本发明提供的一种抗辐照结构不局限于陶瓷封装结构，亦可用于塑料封装结构。选用有机聚合物材料，并通过掺杂无机非金属材料来加固有机材料涂层的抗辐照性能，在电路内外表面选用涂覆的方式进行覆盖，对电路整体的抗电子辐照、伽马射线辐照性能等抗辐照性能进行加固。
一种陶瓷塑料封装辐照结构

[发明专利]带台面终端的金刚石肖特基势垒二极管器件及其制备方法-CN202010236010.0在审
发明人：郁鑫鑫;周建军;孔岑;孔月婵 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了带台面终端的金刚石肖特基势垒二极管器件及其制备方法，通过对样品的清洁处理，背面欧姆接触金属层的制备及合金处理，肖特基电极的制备，漂移层的刻蚀，刻蚀损伤修复，钝化介质沉积，介质孔刻蚀，上述过程得到二极管器件肖特基接触电极边缘电场高导致器件耐压降低的问题，以肖特基电极为掩模对漂移层进行刻蚀，实现肖特基电极和刻蚀后漂移层的自对准，开发了带有台面终端的金刚石肖特基势垒二极管器件制备技术，具有肖特基电极和刻蚀后的漂移层自对准，边缘峰值电场抑制能力强，反向漏电低，抗辐照能力强等优点。
台面终端金刚石肖特基势垒二极管器件及其制备方法

[发明专利]一种陶瓷封装新型抗辐照结构-CN202110330750.5在审
发明人：梁佩;李守委;魏斌 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L23/08 文献下载
摘要：本发明公开一种陶瓷封装新型抗辐照结构，属于集成电路封装领域。所述陶瓷封装新型抗辐照结构包括抗辐照陶瓷管壳、半导体芯片和盖板；所述抗辐照陶瓷管壳通过机械共混法在陶瓷管壳的基体材料中掺杂无机非金属材料，烧结而成；所述半导体芯片位于所述抗辐照陶瓷管壳中；所述盖板通过封帽工艺与所述抗辐照陶瓷管壳组装采用在传统的陶瓷材料中掺杂无机非金属材料保证其物理性能的同时，来加固陶瓷管壳基体材料的抗辐照性能，可在大部分陶瓷封装电路上实现；抗辐照陶瓷管壳通过机械共混法制备而成，所述掺杂方式适用于所有陶瓷封装材料，
一种陶瓷封装新型辐照结构

[发明专利]一种耐高温抗辐照加速度传感器检测设备-CN202310899389.7有效
发明人：毛靓华;韩宝凤;宋阳;潘炳辉;恽红波;龙游;牟思宇 -专利权人：常州天利智能控制股份有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01P21/00 文献下载
摘要：本发明涉及检测设备技术领域，尤其涉及一种耐高温抗辐照加速度传感器检测设备，包括：底座和驱动步进电机；所述驱动步进电机的输出端安装有安装座；耐高温抗辐照加速度传感器安装在所述调整机构上；本发明通过安装座带着安装块以及耐高温抗辐照加速度传感器做周向转动时，耐高温抗辐照加速度传感器受到向心力的作用从而检测出加速度，并且根据调整步进电机带动安装块移动时转动的圈数计算出安装块和耐高温抗辐照加速度传感器距离安装座中心之间的距离，从而得出此时耐高温抗辐照加速度传感器受到的实际加速度的数值，与耐高温抗辐照加速度传感器检测结果进行对照，对耐高温抗辐照加速度传感器的准确性进行检测。
一种耐高温辐照加速度传感器检测设备

[实用新型]一种基于SOI工艺抗辐照多晶材料电阻-CN202120017689.4有效
发明人：闫薇薇;曾传滨;高林春;李晓静;倪涛;李多力;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型属于集成电路技术领域，公开了一种基于SOI工艺抗辐照多晶材料电阻，包括：衬底、埋氧层、隔离层及多晶材料层；所述衬底、所述埋氧层、所述隔离层以及所述多晶材料层自下而上逐层布置。本实用新型提供的基于SOI工艺抗辐照多晶材料电阻具备优良的抗辐照特性，能够减少辐照敏感节点，能够极大的提升电路的抗辐照性能。
一种基于 soi 工艺辐照多晶材料电阻

[发明专利]一种空间单粒子翻转率的测量系统-CN201510741909.7在审
发明人：张楠;朱天成;李鑫;侯俊马 -专利权人：天津津航计算技术研究所
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种空间单粒子翻转率的测量系统，其中，待测器件通过插座连接CPU，抗辐照SRAM连接CPU，CPU连接微机，辐照板设置在待测器件和抗辐照SRAM一侧；在辐照板辐照前，CPU同步给抗辐照SRAM与待测器件每个字节写入相同数据；在辐照板辐照过程中，CPU循环监测待测器件所有单元中存储的数据，并与抗辐照SRAM中数据相比较，统计不同位的位数及地址，将CPU得到的结果输出到微机中显示。本发明可以在实际环境中对抗SEU加固技术进行评估；可以对抗SEU加固技术进行实时监测验证；可以测量多种器件在多种辐照环境下的单粒子翻转率。
一种空间粒子翻转测量系统

[实用新型]辐照太阳能电缆-CN201020527567.1无效
发明人：高元松;胡海杰 -专利权人：中永电缆电气集团有限公司
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01B9/00 文献下载
摘要：本实用新型属于电力传输设备领域，具体涉及辐照太阳能电缆。解决了现有的电缆对于抗臭氧、抗紫外线、耐受化学腐蚀、耐受水蒸气、抗高温低温、阻燃等方面的不足，提供一种辐照太阳能电缆，包括绝缘线芯和辐照护套，所述绝缘线芯为一根或一根以上，辐照护套包裹于绝缘线芯外，所述绝缘线芯包括导体、铝塑复合带、辐照绝缘料，铝塑复合带纵包于导体外，辐照绝缘料包裹于铝塑复合带外。本实用新型辐照太阳能电缆抗臭氧、抗紫外线、耐受化学腐蚀、耐受水蒸气、抗高温低温、阻燃性好，适宜推广应用。
辐照太阳能电缆

[发明专利]利用脉冲电流恢复核反应堆压力容器辐照损伤的方法-CN202210645879.X在审
发明人：张新房;李弼谦 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G21C17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用脉冲电流恢复核反应堆压力容器辐照损伤的方法包括：获取核反应堆压力容器的辐照损伤梯度分布；获取每个梯度下核反应堆压力容器的位错环数量密度以及核反应堆压力容器的尺寸；根据位错环数量密度以及核反应堆压力容器的尺寸确定脉冲电流的处理参数；根据确定后的脉冲电流对核反应堆压力容器辐照损伤进行处理。本发明提供一种利用脉冲电流快速恢复核反应堆压力容器辐照损伤的方法。本发明可在不调整一回路冷却剂温度且不移动堆芯的情况下“原位”地对辐照损伤的压力容器进行处理，降低基体中辐照缺陷数量密度，最大程度地恢复辐照损伤的压力容器力学性能；不需额外设置热源辅助，所需时间短，可降低能源消耗
利用脉冲电流恢复核反应堆压力容器辐照损伤方法

[发明专利]一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法及装置-CN201710063101.7在审
发明人：石强;李兆成 -专利权人：深圳市量为科技有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN发光二极管抗辐照能力无损筛选方法及装置，所述方法包括获取随机子样器件的输出光功率Pout和1/f噪声幅值B；获取经过辐照实验后的所述随机子样器件的输出光功率Pout′；基于所述Pout和所述Pout′，计算退化量ΔPout＝Pout′‑Pout；以所测量的1/f噪声幅值B作为信息参数，以输出光功率退化量ΔPout作为辐照性能参数，采用线性回归法建立B和ΔPout之间的线性回归方程并计算得到线性回归方程中的ΔPout和信息参数B的系数向量建立信息参数B和辐照性能参数之间的无损筛选回归预测方程利用所述无损筛选回归预测方程预测单个器件的抗辐照性能。
一种 gan 发光二极管辐照能力无损筛选方法装置

[发明专利]基于电介质薄膜电容特性的抗激光损伤能力的比较方法-CN201810068936.6在审
发明人：韩敬华;冯国英;范卫星;陈红元;周寿桓 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明解决了目前光学薄膜的抗激光损伤能力对比时结果精度不高，且耗时较多的问题，提供了一种基于电介质薄膜电容特性的抗激光损伤能力的比较方法，其技术方案可概括为：针对欲对比的处于光学元件表面的至少两个薄膜，MOS电容结构，采用半导体标志系统测试各MOS结构的高频电容‑电压曲线，得到各归一化电容与电压的变化曲线，对比各归一化电容与电压的变化曲线，判断其中平带电压向正电压方向移动最大的那一个变化曲线对应的薄膜为抗激光损伤能力最强的薄膜本发明的有益效果是：简单实用，适用于判断薄膜抗激光损伤能力。
抗激光损伤薄膜变化曲线电介质薄膜电容电容归一化光学元件表面正电压方向薄膜技术标志系统电压曲线高频电容光学薄膜金属电极能力对比平带电压镀制硅基半导体耗时测试移动制作