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[发明专利]一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器-CN202010735158.9有效
发明人：李兴冀;杨剑群;董尚利;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及放大电路技术领域，提供一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器，包括输入电容、冲击传感器和电荷灵敏放大子电路，输入电容和冲击传感器各自与电荷灵敏放大子电路的输入端电连接，使输入电容和冲击传感器各自直接与电荷灵敏放大子电路的输入端耦合，在冲击传感器处于探测状态下，输入电容具备防止输出微弱电荷脉冲信号至电荷灵敏放大子电路的性能，避免了冲击传感器通过输入电容与电荷灵敏放大子电路耦合，防止输入电容跟随冲击传感器工作，克服了现有微弱脉冲信号放电电路中的输入电容在冲击传感器与电荷灵敏放大子电路之间造成信号干扰的缺陷。
一种微弱脉冲信号放大电路微尘探测器

[发明专利]一种超高压光电耦合器和数字信号系统-CN202010735247.3有效
发明人：李兴冀;杨剑群;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03K19/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种超高压光电耦合器和数字信号系统，涉及光电学元件技术领域。所述超高压光电耦合器包括发射端、可见光纤、接收端以及光电流调理电路，所述发射端用于将输入的电信号转换为光信号，所述可见光纤作为传输介质，用于传输所述发射器发射的光信号，所述可见光纤的一端与所述发射端连接；所述接收端用于接收所述可见光纤传输的光信号，所述可见光纤的另一端与所述接收端连接；所述光电流调理电路用于对所述接收端接收到的信号进行修正。这样，通过所述发射端、所述可见光纤、所述接收端以及所述光电流调理电路的配合，以实现10KV耐压的超高压光电耦合器。
一种超高压光电耦合器数字信号系统

[发明专利]一种二维材料异质结及其性能分析方法和用途-CN202010735693.4有效
发明人：李兴冀;李伟奇;杨剑群;应涛;庞凯娟 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料异质结及其性能分析方法，以及所述异质结在半导体和光电能量转化方面的用途。所述二维材料异质结包括：包括Janus二维材料的第一二维材料；以及包括硅烯的第二二维材料；第一二维材料和第二二维材料纵向堆叠。本发明提供的异质结不仅可以利用不同材料自身的卓越性能，而且可以克服单一二维材料的缺陷，通过Janus二维材料与硅烯的相互作用，打开硅烯的带隙，使得二维材料的能量谱分布相对于构成其的两种组分的各自单独的性质发生明显改变。异质结的性能分析方法基于含时密度泛函理论和随机相位近似进行电子能量损失谱谱分析，步骤简单、易于操作，为基于打开带隙为目的的异质结设计提供快速的分析途径和有力支持。
一种二维材料异质结及其性能分析方法用途

[发明专利]空间环境效应数据库和数据库工作方法-CN202210885626.X有效
发明人：李洪普;李兴冀;杨剑群;王成;陆俊杰;杨鹏渤;舒朗 -专利权人：中船奥蓝托无锡软件技术有限公司;哈尔滨工业大学
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F16/28 文献下载
摘要：本发明提出了一种空间环境效应数据库和数据库工作方法，包括：数据装载模块，用于对航天器材料与器件数据包括自身特性参数和使用损耗参数，在自身特性参数中通过分别对航天器部件参数，位置信息、试验工况进行实时获取操作；数据管理模块，用于航天器材料与器件数据进行动态筛选建模，将筛选后的相应数据进行工况模拟，对工况数据进行实时数据维护，并对维护的数据进行分类操作；数据应用模块，用于对工况模拟后分类的工况数据信息进行属性匹配，匹配的航天器材料与器件数据建立应用数据表，对应用数据表所显示的任何内容进行应用场景导入，在场景导入过程中进行航天器材料与器件的位置信息对应。
空间环境效应数据库工作方法

[发明专利]电子器件氧化层中固定负电荷陷阱的检测方法-CN202010735209.8有效
发明人：李兴冀;杨剑群;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子器件氧化层中固定负电荷陷阱的检测方法，包括以下步骤：选择N型半导体材料制备成衬底；在衬底上制备P型外延层；在外延层上形成N+源区、N+漏区和P+阱区；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成N+源极、N+漏极和栅极；将源极和漏极接地，栅氧电场保持正偏置，阱区负偏置，衬底负偏置；将源极、漏极、阱区和衬底接地，栅氧电场保持负偏置；栅氧电场交替进行正偏置和负偏置，正偏置和负偏置的交替时间和交替次数相同，在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获负电荷的状态，达到电子器件氧化层中固定负电荷陷阱检测与判定的目的。
电子器件氧化固定负电荷陷阱检测方法

[发明专利]半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法-CN202010735719.5有效
发明人：李兴冀;杨剑群;李鹏伟;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01N23/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体材料辐射诱导位移缺陷的检测方法，包括以下步骤：S100、制备低阻单晶样品；S200、对低阻单晶样品的背面进行高浓度掺杂得到掺杂样品；S300、在掺杂样品的正面刻蚀沟槽；S400、对开槽的样品进行钝化，在样品的正面、背面和沟槽内形成介质层；S500、刻蚀样品背面的介质层，制备背面电极并形成欧姆接触；S600、刻蚀样品正面的介质层形成刻蚀区，制备正面电极并形成肖特基接触，制得测试样品；S700、对测试样品进行辐射诱导位移缺陷表征。本发明的检测方法通过制备出合适的半导体材料测试样品，有利于达到高效、高灵敏度位移缺陷检测与判定的目的，实现了半导体材料和器件中的辐射诱导位移缺陷快速、高效、准确检测。
半导体材料辐射诱导位移缺陷检测方法

[实用新型]一种基于大电流分立器件陶瓷封装的管壳-CN202320099138.6有效
发明人： 杨剑群;谭川;冉秋虹;李兴冀 -专利权人：哈尔滨工业大学重庆研究院;重庆华创星际科技有限责任公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及管壳技术领域，尤其涉及一种基于大电流分立器件陶瓷封装的管壳，包括管壳和键合指，键合指固定设置在管壳内，管壳的一侧设置有金属封装盖板，管壳的高度设置为3.9～4.1mm，键合指上设置有金属层，金属层上固定连接有键合丝，金属层的面积设置为2.9mm*2.9mm～3.1mm*3.1mm，键合指与管壳的外壁距离设置为0.65～0.85mm。用来解决背景技术中指出的管壳尺寸不宜过大，但对于需要键合丝进行连接的结构所选用的丝径越来越大的问题。
一种基于电流分立器件陶瓷封装管壳

[实用新型]一种用于分立器件表贴类转直插类的检测工装夹具-CN202223511925.1有效
发明人： 杨剑群;贺强;李兴冀 -专利权人：哈尔滨工业大学重庆研究院;重庆华创星际科技有限责任公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及夹具领域，公开了一种用于分立器件表贴类转直插类的检测工装夹具，包括底座、上盖板和转换电路板，上盖板铰接在底座的上侧并能够盖合在底座上，底座上设有第一凹槽，上盖板上设有第二凹槽，当上盖板盖合在底座上时，第一凹槽和第二凹槽共同组成容纳并固定分立器件的安装槽，转换电路板固定在底座的下侧，电路板上固定有三根用于连接检测设备夹具的PIN针，底座的第一凹槽内设有三个用于贴合分立器件三个电极的金属垫片，三个金属垫片分别与转换电路板上的三个PIN针相连。本实用新型将表贴类分立器件转换为直插类，然后连接检测设备，不仅能够实现表贴类分立器件检测的可重新性和结果一致性，还能够降低分立器件的电极被磨损的风险。
一种用于分立器件表贴类转直插类检测工装夹具

[实用新型]一种用于表贴类分立器件离心试验的工装夹具-CN202223511953.3有效
发明人： 杨剑群;贺强;王山林;李兴冀 -专利权人：哈尔滨工业大学重庆研究院;重庆华创星际科技有限责任公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及表贴类分立器件测试领域，公开了一种用于表贴类分立器件离心试验的工装夹具，包括横板夹具、竖板夹具和纵板夹具，所述横板夹具、竖板夹具和纵板夹具均包括基板和盖板，所述基板上设有多个用于安装待测器件的容纳腔，所述基板上开设有多个安装孔，所述安装孔位于相邻两个容纳腔之间的区域，所述盖板上对应安装孔的位置设置有安装柱，所述盖板盖合于基板上，所述安装柱插设于安装孔内。本实用新型能够解决离心机自配的夹具使用时难以与被测器件匹配的问题。
一种用于表贴类分立器件离心试验工装夹具

[发明专利]一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法及系统-CN202211415078.0在审
发明人：李兴冀;杨剑群;侯书浩;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法及系统，涉及半导体检测领域，通过将缺陷参数输入至位移缺陷模型中，相当于假定缺陷为位移缺陷，得到模拟出的仿真曲线，这个仿真曲线是MESFET器件发生位移缺陷的情况下得到的曲线，将仿真曲线与通过实际测试得到的性能曲线进行比较，当仿真曲线与性能曲线吻合的时候，就能够验证当前测试的MESFET器件中发生了位移缺陷。用这种方法对MESFET器件进行检测，不需要再通过多次退火试验来进行验证确认，仅对待测元件进行电学性能测试，获得性能曲线，再与模拟仿真获得的仿真曲线相互对比佐证，就能够准确的检测出位移缺陷，提高检测的速度。
一种金属半导体场效应位移缺陷检测方法系统

[发明专利]一种元器件总剂量效应仿真软件宇航应用验证方法-CN202211706489.5在审
发明人：吕贺;梅博;王乾元;曹爽;莫日根;李鹏伟;张洪伟;李兴冀;杨剑群 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种元器件总剂量效应仿真计算软件宇航应用验证方法，包括：S1、选取一款典型的元器件a，对其进行总剂量效应仿真计算，给出总剂量计算结果；S2、判断是否存在在轨飞行数据；S3、判断是否存在地面模拟试验数据；S4、与成熟软件计算数据进行比对；S5、根据S2、S3、S4的对比计算结果，判断元器件总剂量辐射效应计算软件的准确性，并确定偏差结果，根据偏差结果，调整软件的相关参数。本发明通过合理的软件验证评估流程，及时验证并修正仿真系统模型，降低仿真应用风险，提高仿真计算精度。
一种元器件剂量效应仿真软件宇航应用验证方法

[发明专利]一种抗单粒子烧毁的大功率晶体管及其制作方法-CN202010735726.5有效
发明人：李兴冀;杨剑群;应涛;李伟奇;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗单粒子烧毁的大功率晶体管及其制备方法。所述大功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；对所述外延层进行氧化处理和光刻处理，形成注入窗口；通过所述注入窗口对所述外延层进行多次重金属离子注入，且后一次注入所述重金属离子形成的离子注入区位于前一次注入所述重金属离子形成的离子注入区的上方。本发明通过对外延层进行多次重金属离子注入，增加外延层辐射诱导电子空穴对的复合率，减少在高电场下电荷的收集效率，提升晶体管的抗单粒子烧毁能力，同时还能够保证晶体管本身的高性能指标。另外，本发明与常规的晶体管的制备方法工艺上兼容，步骤简单，易于操作。
一种粒子烧毁大功率晶体管及其制作方法

[发明专利]复合材料损伤分析方法、装置、设备及存储介质-CN202211618609.6在审
发明人： 杨剑群;李兴冀;荆宇航;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合材料损伤分析方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：将复合材料单胞划分为六面体单元，获取各个六面体单元中节点的坐标信息；获取复合材料的纤维轮廓包络面方程；进而获取各个所述六面体单元的材料属性；根据坐标信息以及材料属性，构建得到复合材料的单胞模型；根据位移载荷信息以及复合材料的参数，获取单胞模型的单元平衡方程，然后获取总体平衡方程，再获取单胞模型的节点位移；根据节点位移，获取仿真计算结果，并根据仿真计算结果更新单胞模型中刚度矩阵和单元本构关系。本发明显著简化了复合材料建模过程，降低的建模难度，且不需要借助商业软件和二次开发，显著提高了复合材料损伤分析的效率。
复合材料损伤分析方法装置设备存储介质

[发明专利]一种抗辐射功率晶体管及其制备方法-CN202010735237.X有效
发明人：李兴冀;杨剑群;李鹏伟;董善亮 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；向所述外延层内注入碳离子，以在所述外延层底部形成碳离子注入层；在所述外延层顶部两侧形成基区，并向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过碳离子注入层可形成有效的抗辐射隔离区，并形成碳氧/碳碳络合物及碳化硅结构层等，有助于提升晶体管抗辐射能力。同时，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度梯度的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，减少基区损伤区域，提升晶体管的抗辐射能力，同时又能够保证晶体管本身的性能。
一种辐射功率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种抗辐射功率晶体管及其制备方法-CN202010735238.4有效
发明人：李兴冀;杨剑群;吕钢;董善亮;李鹏伟 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述抗辐射功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层，在所述外延层上形成基区；向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过向基区内多次注入第一杂质粒子，在基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度差的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，降低其被复合掉的几率，有效地减缓了辐射环境下复合电流的增加，减少基区损伤区域，从而提升晶体管的抗辐射能力，达到减缓晶体管辐射损伤的目的，同时又能够保证晶体管本身的性能。
一种辐射功率晶体管及其制备方法

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