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[实用新型]一种脱除冶炼烟气中氟化氢的系统-CN202222046939.4有效
发明人：鲁伟;王晓武;王辉;徐晖;李崇军;邓戈;周剑宗;肖景东;欧阳飞;谢姣;徐养良;阮金文 -专利权人：云南铜业股份有限公司西南铜业分公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B01D53/68 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种脱除冶炼烟气中氟化氢的系统，包括空塔，所述空塔底侧设有进气口，所述空塔顶部设有排气口；固定网层，所述固定网层设置在所述空塔内，且所述固定网层位于所述进气口上方；瓷环，所述瓷环设置在所述固定网层上。本实用新型中的脱除冶炼烟气中氟化氢的系统通过空塔内的瓷环与氟化氢发生反应进行脱氟处理，当冶炼烟气从进气口进入空塔内后，将会向上与瓷环接触从而发生反应，然后脱除氟化氢后的烟气继续向上进入排气口排出，采用本实用新型提供的脱除冶炼烟气中氟化氢的系统脱氟成本低且脱氟后烟气进入制酸系统不会对填料造成堵塞。
一种脱除冶炼烟气氟化氢系统

[发明专利]一种治疗溃疡性结肠炎的灌肠液-CN202210270091.5在审
发明人：刘国政;肖景东;陈嫣;杨硕 -专利权人：辽宁中医药大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： A61K36/9064 文献下载
摘要：本发明公开了一种治疗溃疡性结肠炎的灌肠液，涉及治疗溃疡性结肠炎技术领域，具体为一种治疗溃疡性结肠炎的灌肠液，它由如下重量份数的组份组成：黄连3‑9份、蒲公英10‑20份、苦参5‑15份、甘草6‑12份、地榆炭6‑12份、五倍子12‑18份、海螵蛸10‑20份、砂仁5‑15份、白豆蔻5‑15份、血竭6‑12份、黄芪10‑20份、白及10‑20份、白蔹8‑16份、三七粉3‑5份。该治疗溃疡性结肠炎的灌肠液可实现清热解毒、健脾和胃和托腐生肌的功能。
一种治疗溃疡性结肠炎灌肠

[实用新型]烟气脱硫装置-CN202121589593.1有效
发明人：王晓武;鲁伟;刘云凯;徐晖;许璐曦;道云宝;张继才;肖景东;谢姣;李胜 -专利权人：云南铜业股份有限公司西南铜业分公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B01D53/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种烟气脱硫装置，其包括依次连接的吸收塔、烟气管道、尾动力波吸收塔和烟囱。所述吸收塔、所述尾动力波吸收塔和所述烟囱竖直设置，所述烟气管道水平设置，所述吸收塔内设置分酸器和除雾器，所述尾动力波吸收塔内设置吸水器。所述烟气管道内的水平段内设置至少一组第一喷头，所述烟气管道内还设置与所述尾动力波吸收塔连接的输液管道，所述烟气脱硫装置还包括用于连接所述第一喷头和所述尾动力波吸收塔的第一循环泵。本实用新型提供的烟气脱硫装置使得排出的烟气各指标均符合烟气排放的标准，进一步实现尾气处理的低成本、超净排放，提高尾气处理效率，有利于工业生产中的污染物处理。
烟气脱硫装置

[实用新型]一种净化塔-CN202121493192.6有效
发明人：王晓武;鲁伟;肖景东;周剑宗;王辉;林卫强;道云宝;许璐曦;谢姣;李胜 -专利权人：云南铜业股份有限公司西南铜业分公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B01D53/50 文献下载
摘要：本实用新型公开一种净化塔，包括：喷淋室，所述喷淋室内设有喷淋设备；电除雾器，所述电除雾器设于所述喷淋室的上方，所述电除雾器的下方设有与所述喷淋室连通的连通口；隔离结构，所述隔离结构设于所述喷淋室内且设于所述喷淋结构的上方、所述连通口的下方，用于隔离电除雾器内的排出物，所述隔离结构上设有排气口，所述排气口用于连通所述隔离结构的上下两侧气流。避免所述电除雾器内的排出物掉落到喷淋室堵塞设于所述喷淋室内的喷淋设备，进而避免了产生过大的压差。
一种净化

[实用新型]一种污酸液处理装置-CN202121614182.3有效
发明人：鲁伟;王晓武;刘波;许璐曦;道云宝;郭勇;肖景东;谢姣;李胜;徐晖 -专利权人：云南铜业股份有限公司西南铜业分公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B01D53/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及化工领域，具体涉及一种污酸液处理装置，包括：脱硫塔及用于连通中间槽与脱硫塔之间的管道；中间槽的上端设置有槽入口、下端设置有槽出口，脱硫塔从上至下依次设置有负压出口、污酸液入口、空气入口及液体出口；中间槽的槽出口通过管道与脱硫塔的污酸入口连通，负压出口的气压低于空气入口的气压。通过脱硫塔的空气入口和负压出口之间的压差设置，进入到脱硫塔的污酸液内的硫化物气体会从负压出口处被吸出，使的从脱硫塔的液体出口处排出的液体得以脱硫。
一种污酸液处理装置

[实用新型]一种中医用中药材粉碎装置-CN202120997468.8有效
发明人：刘国政;肖景东;杨硕;陈嫣嫣 -专利权人：辽宁中医药大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： B02C4/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种中医用中药材粉碎装置，包括粉碎筒，所述粉碎筒内安装有粉碎机构，粉碎机构包括两个对应设置的粉碎辊、转动杆、驱动电机，粉碎机构连接有清理机构，清理机构包括第一链轮、链条、第二链轮、清理刷，所述粉碎筒顶部连通有进料通道，所述进料通道上安装有除尘干燥机构，除尘干燥机构包括热风机、热风管、出风口、隔网，所述进料通道顶部固定连接有进料斗，所述粉碎筒底部安装有下料口，该中医用中药材粉碎装置采用快速流动的热风带走粉碎前中药材表面的灰尘与水汽，既可以提高粉碎后中药材的质量，也可以避免粉碎后中药材集结成团，且可以对粉碎辊进行清理，以防止中药材附着在粉碎辊上造成浪费。
一种医用中药材粉碎装置

[实用新型]中医用医疗用品收纳箱-CN202120997462.0有效
发明人：刘国政;肖景东;杨硕;陈嫣嫣 -专利权人：辽宁中医药大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了中医用医疗用品收纳箱，包括出气孔、上盖、把手、箱体、箱门、底座、第一固定台阶、密封垫、存放槽A、存放槽B、支撑架A、存放槽C、进气孔A、气管、第二固定台阶、存放槽D、存放槽E、支撑架B、存放槽F、进气孔B、气槽、加热板、风机、隔板、蓄电池、加热室、固定架和电源室，所述上盖的上表面设置有所述出气孔，所述上盖安装在所述箱体的顶端，所述箱体的底部安装有所述底座，所述箱体的顶端设置有所述第一固定台阶和所述第二固定台阶，且所述第一固定台阶设置在所述第二固定台阶的上方，所述第一固定台阶和所述第二固定台阶上安装有所述密封垫，本实用新型具有内部干燥除湿的特点。
医用医疗用品收纳

[实用新型]一种PH取样检测装置-CN201921952252.9有效
发明人：王俊;周剑宗;郭勇;刘明;道云宝;李崇军;谢娇;何云峰;曹水华;郑峰;肖景东;严波 -专利权人：云南铜业股份有限公司西南铜业分公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型技术方案提供了一种PH取样检测装置，包括相互交叉设置的两个均为圆筒形的第一取样槽和第二取样槽，其中，第一取样槽与第二取样槽之间共用第一取样槽的槽壁作为隔板，在隔板的顶部和底部均开设有槽口，此外第一取样槽内设置有用于传感器安装的圆管。本实用新型技术方案的PH取样检测装置由于第一取样槽和第二取样槽的形状均为圆筒形，循环液结晶不易粘接在槽壁上，隔板的顶部和底部均开设有槽口，能够减少循环液流动滞后带来的测量误差，第一取样槽内设置专门用于传感器安装的圆管，能够防止循环液冲击对传感器造成的损坏，本实用新型技术方案的PH取样检测装置结构简单，使用方便。
一种 ph 取样检测装置

[发明专利]抗辐照双极器件及该器件的制备方法-CN201410135845.1有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;肖景东;何世禹 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：抗辐照双极器件及该器件的制备方法，涉及双极器件的抗辐照技术。它为了解决现有双极器件抗辐照能力差的问题。本发明在双极器件基区表面设置有以发射区为中心的高掺杂浓度区。抗辐照双极器件的制备方法为在完成基区扩散或离子注入后，进行发射区扩散或离子注入前，进行抗辐照加固方法，抗辐照加固方法首先在基区掩膜版的基础上制备基区表面掺杂掩膜版，基于该掩膜版向基区表面注入与基区体内相同的杂质离子，注入浓度为体区浓度的10～10000倍，最后进行退火处理。本发明通过改变基区表面结构及掺杂浓度，使器件失效阈值高了1.4～3.7倍。本发明适用于NPN器件、PNP器件、数字双极电路、模拟双极电路及数模/模数电路。
辐照器件制备方法

[发明专利]一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法-CN201410136054.0有效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;肖景东;何世禹 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种基于第二钝化层钝化方式的双极器件抗辐照加固方法，涉及双极器件抗辐照技术领域。解决了双极器件的钝化层中，由于氧化物俘获正电荷和界面态的影响，导致双极器件的抗辐照能力低的问题。所述抗辐照加固方法包括以下步骤步骤一、采用传统工艺制备双极晶体管，并在双极晶体管上形成第一钝化层；步骤二、第一钝化层形成后，采用低压化学气相淀积法在第一钝化层上生长第二钝化层；步骤三、对第二钝化层进行离子注入；步骤四、对双极晶体管、第一钝化层和第二钝化层形成的一体结构进行退火工艺。本发明适用于提高双极器件抗辐照能力。
一种基于第二钝化方式器件辐照加固方法

[发明专利]一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法-CN201410135842.8有效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;肖景东;何世禹;杨德庄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法，属于电子技术领域，本发明为解决现有双极型器件的ELDRS效应地面模拟实验没有加速实验的普遍适用方法，即不能用高剂量率辐照实验来实现低剂量率增强效应加速实验的问题。具体过程为根据选取的双极型器件钝化层厚度和密度，利用SRIM软件进行仿真，获取注入氢离子的能量与射程；利用TCAD软件进行仿真，获取抗辐照性能参数电流增益；改变氢离子的注量，使TCAD模拟双极型器件的电流增益变化量小于10%，记录氢离子注量；根据注入氢离子的能量、射程和注量，在钝化层中注入氢离子；对注入氢离子后的双极型器件进行辐照实验。本发明用于空间辐照环境中。
一种基于氢离子注入双极型器件 eldrs 效应加速实验方法

[发明专利]一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法-CN201410135934.6有效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;马国亮;肖景东;何世禹;杨德庄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种基于基区离子注入方式的双极型器件抗位移辐照加固方法，属于电子技术领域。适应了对位移辐射损伤小、双极型器件抗辐照能力强的双极型器件的需求。本发明利用双极型器件的结构参数，采用SRIM软件模拟获得注入双极型器件的离子的能量和射程信息；采用TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化，改变双极型器件的离子注入量，使TCAD软件模拟双极型器件的电流增益变化量小于未注入离子时双极型器件电流增益的10%，记录离子注入量；并根据注入双极型器件的离子的能量、射程信息和离子注入量设置离子注入机的电压、电流和注入时间，最后进行退火处理，实现双极型器件抗位移辐照加固。本发明适用于对双极型器件进行抗位移辐照加固。
一种基于离子注入方式双极型器件位移辐照加固方法

[发明专利]一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法-CN201410135913.4有效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;肖景东;何世禹 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法，属于电子技术领域。本发明目的是针对目前的双极型器件表面的氧化物俘获正电荷和界面态使得双极型器件的抗辐照能力减弱的问题。本发明所述基于钝化层离子注入方式的双极型器件抗电离辐照加固方法，首先通过对离子种类为F、Cl、Br、I和As离子采用SRIM和TCAD软件进行模拟仿真，仿真获得离子能量、射程与注量，再进行离子注入。入射离子选用F、Cl、Br、I和As元素形成电离辐射缺陷的俘获陷阱，可降低电离辐射缺陷的密度。通过钝化层离子注入方式，减小氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能的影响，提高双极型器件的抗辐照能力，用于航天器用电子器件的抗辐照加固。
一种基于钝化离子注入方式双极型器件电离辐照加固方法

[发明专利]基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法-CN201410136016.5有效
发明人：李兴冀;杨剑群;刘超铭;肖景东;马国亮;何世禹;杨德庄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法，涉及电子技术领域。它是为了解决低剂量率增强试验的测试时间长，导致过剩基极电流和电流增益产生较大的影响的问题。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低低剂量率增强效应试验的时间与费用，同比降低了15%以上，也可为优化双极晶体管和电路抗辐照性能提供必要依据，减小过剩基极电流和电流增益产生的影响，同比减小了15%，对电子元器件的低剂量率增强效应测试和研究具有重大的意义。本发明适用于电子技术领域。
基于改变温度剂量率增强效应加速实验方法

[发明专利]一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法-CN201410136007.6无效
发明人：李兴冀;刘超铭;杨剑群;马国亮;肖景东;何世禹;杨德庄 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G01N27/61 文献下载
摘要：一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，属于电子技术领域。解决了现有双极型晶体管的电离辐射损伤缺陷无法定量化的问题。它的过程为：首先，将双极型器件安装到深能级瞬态谱仪低温测试台上，保证双极型器件与深能级瞬态谱仪低温测试台紧密连接，并将双极型器件基极与集电极分别与深能级瞬态谱仪的高、低测试接头相连；其次，设置测试参数，该参数包括反向偏压V_R、脉冲电压V_P、测试周期T_W、脉冲宽度T_P及温度扫描范围，获得氧化物电荷和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽，最后，根据DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽获得双极型器件电离辐射损伤缺陷。应用在缺陷检测领域。
一种基于能级瞬态技术双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法

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